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用于无线通信的GaN微波功率器件
用于无线通信的GaN微波功率器件
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 袁明文 专用集成电路国家重点实验室(河北石家庄)
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔的前景.
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微波功率管在老化试验中失效机理分析
微波功率管在老化试验中失效机理分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王慧敏 北京微电子技术研究所(北京)
本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.
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Ni与非晶SiGe薄膜的反应特性研究
Ni与非晶SiGe薄膜的反应特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 屈新萍 段鹏 陈韬 李炳宗 复旦大学微电子学系(上海)
本文用X射线衍射方法(XRD),四探针薄层电阻测试(FPP)等方法研究了Ni与PVD制备了非晶SiGe的反应特性.
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分子束外延半导体低维结构
分子束外延半导体低维结构
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孔梅影 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
本文通过对分子束外延技术发展中一些重要问题的分析和讨论,结合我们自己的研究工作,综合评述了利用分子束外延技术制备半导体低维结构的特点、关键和发展.
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VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制
VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 牛沈军 常玉璟 丰梅霞 王建利 兰天平 中国电子科技集团公司第四十六研究所
结合VB-GaAs晶体生长工艺、对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了实际的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.
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AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 邵刚 刘新宇 和致经 刘键 陈晓娟 吴德馨 中国科学院微电子研究所(北京)
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.
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用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉 北京大学微电子研究院
本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
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大功率氮化镓基LED关键技术研究
大功率氮化镓基LED关键技术研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 马龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
本文对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,P电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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去除半导体工艺用水中的硼
去除半导体工艺用水中的硼
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 闻瑞梅 邓守权 郭伟伟 上海同济大学
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L... 详细信息
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晶片清洗中的新技术新工艺
晶片清洗中的新技术新工艺
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 朱蓉辉 材料中心
晶体加工中新技术新工艺不断涌现,其中不少是纯物理的清洗方法,因此具有较广的应用范围而不受清洗对象的制约,消耗成本低等优点,在此对目前新出现的一些可应用到抛光晶片及外延片方面的清洗技术做一个概括性的介绍和简述,希望能在清洗... 详细信息
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