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快速大容量磷注入合成磷化铟技术
快速大容量磷注入合成磷化铟技术
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙聂枫 周晓龙 陈秉克 杨光耀 付建德 赵彦军 杨克武 孙同年 中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸InP单晶.本文讨论了合成InP多晶和生长InP晶体的工艺技术.高纯... 详细信息
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依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张晓昕 岳维松 王小光 曾一平 王保强 朱占平 中科院半导体所新材料部(北京) 北京工业大学计算机学院模式识别与图象处理实验室 中科院上海技物所物理室(上海)
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧... 详细信息
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偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数... 详细信息
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LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 英敏菊 杜小龙 梅增霞 曾兆权 周忠堂 郑浩 袁洪涛 周均铭 贾金锋 薛其坤 中科院物理研究所表面物理国家重点实验室(北京)
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响,发现O等离子体预处理... 详细信息
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In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰... 详细信息
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柔性衬底上GaN生长研究
柔性衬底上GaN生长研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王军喜 王晓亮 刘宏新 胡国新 李建平 李晋闽 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应... 详细信息
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10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用
10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周毅 陈弘达 左超 贾久春 申荣铉 孙增辉 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
本文介绍10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网技术(10Gigabit Erthernet Technology)的应用.万兆以太网使用以太网结构实现10.000Gbit/s点对点传输,距离可达到40Km,使以太网应用从局域网扩展到城域网和广域网.下面将介绍万兆以太网的功... 详细信息
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SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征
SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王晓峰 曾一平 孙国胜 王雷 赵万顺 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变... 详细信息
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GaN基准二维八重光子准晶的研制
GaN基准二维八重光子准晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振生 章蓓 徐军 任谦 杨志坚 经光银 王琦 胡晓东 于彤军 俞大鹏 张国义 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维... 详细信息
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V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 中国科学院半导体所(北京)
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面... 详细信息
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