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  • 13 篇 曾一平
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  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 王启明
  • 6 篇 叶志镇
  • 5 篇 成步文
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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘超 高兴国 李建平 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京师范大学物理系(北京)
SGOI(SiGe on Insulator)是近年来日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种的新型微电子材料,并被ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文介绍了我们用气... 详细信息
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BST铁电薄膜的微观结构研究
BST铁电薄膜的微观结构研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 冷文建 杨传仁 罗世希 符春林 陈宏伟 廖家轩 电子科技大学 微电子与固体电子学院(成都)
本文采用RF磁控溅射法在Pt(111)/Ti/SiO/Si(100)衬底上制备(BaSr)TiO(BST)薄膜.我们采用了微波晶化法对BST薄膜进行退火.和气氛炉退火相比较,微波晶化法退火之后的BST薄膜,晶粒尺寸小而分布均匀,薄膜表面平均粗糙度(RMS)较小.利用X射线... 详细信息
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半导体量子点自组织生长过程的控制研究
半导体量子点自组织生长过程的控制研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 娄朝刚 李献杰 张晓兵 雷威 东南大学电子工程系(南京) 中电集团第十三研究所(石家庄)
本文对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明通过将衬底表... 详细信息
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热光调谐滤波器的高温性能分析
热光调谐滤波器的高温性能分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 左玉华 毛容伟 李传波 赵雷 蔡晓 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,透射峰强度下降,DBR(Distributed Bragg Beflector)反射率下降,同... 详细信息
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掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 蒋中伟 张维连 牛新环 张书玉 河北工业大学半导体材料研究所(天津)
采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm和800cm等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强.采用X射线单晶衍射技术(SCXRD)对SiGe单晶的晶格... 详细信息
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AlGaN中应变状态的研究
AlGaN中应变状态的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张纪才 王建峰 王玉田 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉)
本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)... 详细信息
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ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究
ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 邵乐喜 刘小平 黄惠良 湛江师范学院信息科技学院(广东湛江) 国立清华大学电子工程研究所(台湾新竹)
本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料... 详细信息
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脉冲激光沉积法合成Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜及其光吸收特性
脉冲激光沉积法合成Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜及其光吸收特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 林元华 王建飞 何泓材 周剑平 周西松 南策文 清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出BiTiO薄膜材料.结果发现,SiO基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的BiTiO薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在... 详细信息
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CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘延祥 夏冠群 唐绍裘 程宗权 郑燕兰 湖南大学材料科学与工程学院(湖南) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 湖南大学材料科学与工程学院(湖南)
本文引入一种新的低毒化合物CHCSNH/NHOH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH)S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES对钝化前后... 详细信息
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稀磁半导体二维电子气的磁输运
稀磁半导体二维电子气的磁输运
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 杨文 常凯 北京中科院半导体研究所
我们研究了稀磁半导体二维电子气在垂直电场和磁场下的磁输运.由于导带电子与Mn的3d电子间的s-d交换作用,不同自旋的Landau能级发生巨Zeeman劈裂,并随磁场的增强发生交叉;杂质散射使Landau能级展宽甚至交迭,致使纵向磁阻的周期性SdH振... 详细信息
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