SGOI(SiGe on Insulator)是近年来日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种的新型微电子材料,并被ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文介绍了我们用气...
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SGOI(SiGe on Insulator)是近年来日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种的新型微电子材料,并被ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文介绍了我们用气固源分子束外延工艺(GSMBE)在SOI超薄硅衬底上外延生长高质量驰豫态SiGe合金薄膜来制备SGOI样品及其高温退火行为的研究结果.用Raman、DCXRD、RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.
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