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PECVD SiC薄膜的制备、应力控制与力学特性研究
PECVD SiC薄膜的制备、应力控制与力学特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王煜 张海霞 田大宇 李素兰 张国炳 郝一龙 北京大学微电子研究院(北京)
本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试,以获取薄膜的力学参数,如应力、模量和硬度等.通过改变薄膜... 详细信息
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偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数... 详细信息
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等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 曾湘波 廖显伯 郝会颖 王博 戴松涛 刁宏伟 向贤碧 孔光临 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室(北京) 清华大学物理系 原子分子纳米科学教育部重点实验室(北京)
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活... 详细信息
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In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰... 详细信息
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GaN基准二维八重光子准晶的研制
GaN基准二维八重光子准晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振生 章蓓 徐军 任谦 杨志坚 经光银 王琦 胡晓东 于彤军 俞大鹏 张国义 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维... 详细信息
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AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中的反弱局域化现象
AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中的反弱局域化现象
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吕捷 沈波 桂永胜 仇志军 唐宁 夏艳 陈敦军 赵红 张荣 郑有炓 郭少令 褚君浩 南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室(江苏南京) 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室(上海)
本文通过低温磁输运测量对AlGaNN/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可... 详细信息
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量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 汪艳贞 吴南健 中国科学院半导体研究所(北京)
本文主要研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正文形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况是不可避免的.我们模拟了在正态... 详细信息
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Si基微纳集成光波导的理论设计
Si基微纳集成光波导的理论设计
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈志文 李章健 朱启乐 赵玉周 林旭彬 李静 蔡志岗 王钢 李宝军 中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州)
提出了一种宽度从微米到亚微米、深亚微米、再到纳米级渐变的微纳集成结构光波导,并通过理论分析和模拟计算得到了基于Si基半导体材料的这种微纳集成光波导参数.其制作工艺非常简单,插入损耗在1到2.5dB之间.这种微纳集成光波导不但可解... 详细信息
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InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基... 详细信息
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垂直腔面发射激光器的研制
垂直腔面发射激光器的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭霞 董立闽 达小丽 渠红伟 邓军 杜金玉 邹德恕 沈光地 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京市光电子技术实验室(北京)
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个... 详细信息
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