咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 143 篇 会议

馆藏范围

  • 143 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 133 篇 工学
    • 121 篇 电子科学与技术（可...
    • 110 篇 材料科学与工程（可...
    • 19 篇 光学工程
    • 13 篇 仪器科学与技术
    • 2 篇 电气工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...
  • 19 篇 理学
    • 19 篇 物理学
    • 4 篇 化学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 10 篇 gan
  • 9 篇 半导体材料
  • 8 篇 分子束外延
  • 6 篇 发光二极管
  • 6 篇 晶体管
  • 5 篇 半导体激光器
  • 5 篇 磁控溅射
  • 5 篇 algan/gan
  • 5 篇 x射线衍射
  • 5 篇 表面形貌
  • 5 篇 氮化镓
  • 4 篇 金属有机化学气相...
  • 4 篇 光波导
  • 4 篇 制备工艺
  • 4 篇 外延生长
  • 4 篇 垂直腔面发射激光...
  • 4 篇 晶体生长
  • 3 篇 半导体
  • 3 篇 zno薄膜
  • 3 篇 磁控溅射法

机构

  • 16 篇 中国科学院半导体...
  • 9 篇 中国科学院半导体...
  • 7 篇 中国科学院半导体...
  • 5 篇 中国科学院半导体...
  • 5 篇 北京大学
  • 5 篇 浙江大学
  • 4 篇 吉林大学
  • 3 篇 南京大学
  • 3 篇 南京电子器件研究...
  • 3 篇 中国科学院微电子...
  • 3 篇 清华大学
  • 3 篇 北京师范大学
  • 3 篇 西安电子科技大学
  • 3 篇 电子科技大学
  • 3 篇 武汉大学
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 北京工业大学
  • 3 篇 中山大学
  • 2 篇 人工微结构和介观...
  • 2 篇 北京科技大学

作者

  • 13 篇 曾一平
  • 10 篇 李晋闽
  • 8 篇 王晓亮
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 王启明
  • 6 篇 叶志镇
  • 5 篇 成步文
  • 5 篇 和致经
  • 5 篇 刘新宇
  • 5 篇 赵炳辉
  • 5 篇 王军喜
  • 5 篇 李传波
  • 4 篇 杜国同
  • 4 篇 张国义
  • 4 篇 韩勤
  • 4 篇 刘键
  • 4 篇 毛容伟
  • 4 篇 左玉华
  • 4 篇 杨志坚
  • 4 篇 牛智川

语言

  • 143 篇 中文
检索条件"任意字段=第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议"
共 143 条 记 录，以下是111-120 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构中二维电子气有效质量的研究
Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构中二维电子气有效质量的研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 唐宁 沈波 桂永胜 仇志军 吕捷 夏艳 陈敦军 赵红 张荣 郑有炓 郭少令 褚君浩 南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室(江苏南京) 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室(上海)
在低温和强磁场下对调制掺杂AlGaN/GaN异质结进行了磁输运测量.通过对不同温度下舒勃尼科夫-德哈斯(sdH)振荡的分析,计算出二维电子气(2DEG)的有效质量.发现其有效质量的大小随磁场的增加而增大.有效质量的增大与导带的非抛物性有关.
来源： 评论
量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 汪艳贞 吴南健 中国科学院半导体研究所(北京)
本文主要研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正文形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况是不可避免的.我们模拟了在正态... 详细信息
来源： 评论
InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基... 详细信息
来源： 评论
半导体可饱和吸收镜研究与应用
半导体可饱和吸收镜研究与应用
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王勇刚 马骁宇 张志刚 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津) 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津)
我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱... 详细信息
来源： 评论
粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束... 详细信息
来源： 评论
AlGaN中应变状态的研究
AlGaN中应变状态的研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张纪才 王建峰 王玉田 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉)
本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)... 详细信息
来源： 评论
Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此... 详细信息
来源： 评论
GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究
GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 马艳 杜国同 殷景志 李万程 刘大力 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室(吉林长春)
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O流量为130sccm时,ZnO薄膜结晶质量最好,(002)衍射峰半高宽PWHM最低赕0.185°.O流量增加,薄膜光致发光谱中近... 详细信息
来源： 评论
CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘延祥 夏冠群 唐绍裘 程宗权 郑燕兰 湖南大学材料科学与工程学院(湖南) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 湖南大学材料科学与工程学院(湖南)
本文引入一种新的低毒化合物CHCSNH/NHOH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH)S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES对钝化前后... 详细信息
来源： 评论
Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度
Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李宝河 黄阀 杨涛 翟中海 朱逢吾 北京科技大学材料物理系(北京) 北京工商大学数理部(北京) 北京科技大学材料物理系(北京) 金日成综合大学物理系(朝鲜平壤) 北京科技大学材料物理系(北京)
采用直流磁控测射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,后在不同温度下真空热处理得到了有序相L1-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[Fe(1.5nm)/Pt(1.5nm)]薄膜在350℃热处理后,有序度已经增加到0.6,... 详细信息
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共15页 <<  < 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 >  >>
回到顶部
执行限定条件