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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

143 篇 会议

馆藏范围

143 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

133 篇 工学
- 121 篇 电子科学与技术（可...
- 110 篇 材料科学与工程（可...
- 19 篇 光学工程
- 13 篇 仪器科学与技术
- 2 篇 电气工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
19 篇 理学
- 19 篇 物理学
- 4 篇 化学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

10 篇 gan
9 篇 半导体材料
8 篇 分子束外延
6 篇 发光二极管
6 篇 晶体管
5 篇 半导体激光器
5 篇 磁控溅射
5 篇 algan/gan
5 篇 x射线衍射
5 篇 表面形貌
5 篇 氮化镓
4 篇 金属有机化学气相...
4 篇 光波导
4 篇 制备工艺
4 篇 外延生长
4 篇 垂直腔面发射激光...
4 篇 晶体生长
3 篇 半导体
3 篇 zno薄膜
3 篇 磁控溅射法

机构

16 篇 中国科学院半导体...
9 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 中国科学院半导体...
5 篇 北京大学
5 篇 浙江大学
4 篇 吉林大学
3 篇 南京大学
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 清华大学
3 篇 北京师范大学
3 篇 西安电子科技大学
3 篇 电子科技大学
3 篇 武汉大学
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 北京工业大学
3 篇 中山大学
2 篇 人工微结构和介观...
2 篇 北京科技大学

作者

13 篇 曾一平
10 篇 李晋闽
8 篇 王晓亮
7 篇 杨辉
7 篇 王启明
6 篇 叶志镇
5 篇 成步文
5 篇 和致经
5 篇 刘新宇
5 篇 赵炳辉
5 篇 王军喜
5 篇 李传波
4 篇 杜国同
4 篇 张国义
4 篇 韩勤
4 篇 刘键
4 篇 毛容伟
4 篇 左玉华
4 篇 杨志坚
4 篇 牛智川

语言

143 篇 中文

检索条件"任意字段=第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议"

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ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：邵乐喜刘小平黄惠良湛江师范学院信息科技学院(广东湛江) 国立清华大学电子工程研究所(台湾新竹)

本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料... 详细信息

本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI<,2>基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al<,2>O<,3>为靶材在ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料特别是ZnS和CuInS<,2>的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS<,2>),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.

关键词：射频溅射扫描电镜 ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底 ZnO:Al薄膜

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1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟

1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：高俊华李传波毛容伟左玉华罗丽萍中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的... 详细信息

本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的波长间隔内呈双模分布,两峰分别来源于浸润层和量子点区.理论研究表明,Ge量子点RCE探测器的量子效率只与量子点的高度和占空比有关,而对量子点的均匀性要求不高.生长高度(height)均匀和高占空比的多层量子点对于提高探测器的性能尤为重要.

关键词：传输矩阵 Ge量子点探测器

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Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度

Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：李宝河黄阀杨涛翟中海朱逢吾北京科技大学材料物理系(北京) 北京工商大学数理部(北京) 北京科技大学材料物理系(北京) 金日成综合大学物理系(朝鲜平壤) 北京科技大学材料物理系(北京)

采用直流磁控测射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,后在不同温度下真空热处理得到了有序相L1-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[Fe(1.5nm)/Pt(1.5nm)]薄膜在350℃热处理后,有序度已经增加到0.6,... 详细信息

采用直流磁控测射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,后在不同温度下真空热处理得到了有序相L1<,0>-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[Fe(1.5nm)/Pt(1.5nm)]<,13>薄膜在350℃热处理后,有序度已经增加到0.6,而且矫顽力达到了6.1KOe.多层膜化促进有序化在较低的温度下进行主要是原子在多层膜界面扩散更快的结果.

关键词：有序相磁控溅射 Fe/Pt多层膜 L1-FePt薄膜转变温度

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垂直腔面发射激光器的研制

垂直腔面发射激光器的研制

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：郭霞董立闽达小丽渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室(北京)

采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个... 详细信息

采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个性能参数的影响,如氧化孔径越小器件的阈值电流越低,串联电阻越大.我们已制备出可在室温连续工作的器件,其中小氧化孔器件,阈值电流低达0.8mA,工作电流为15mA时,输出功率达3.2mW;大氧化孔器件,阈值电流为5mA,工作电流为35mA时,输出功率达8mW.

关键词：垂直腔面发射激光器 AlAs湿法氧化特性分析半导体激光器制备工艺

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Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王建峰张纪才张宝顺伍墨王玉田杨辉梁骏吾中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此... 详细信息

本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13-20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.

关键词： GaN Si衬底结构特性 X射线衍射 AlN缓冲层缓冲层厚度外延层

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氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性

氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张书明朱建军李德尧杨辉中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直... 详细信息

本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直流和脉冲情况下都发生蓝移;两种发光二极管的功率在直流情况下会发生饱和,并随电流的进一步增加而急剧减小.以上现象有可能是由于热效应和量子阱中的压电效应引起的.

关键词：氮化镓发光二极管压电效应波长移动发光光谱功率特性

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凹透镜结构全内反射光开关及阵列的理论研究

凹透镜结构全内反射光开关及阵列的理论研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：朱启乐陈志文李章健胡巧燕禹国俊江绍基蔡志岗王钢李宝军中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州)

提出并分析和设计了一种Si基凹透镜载流子注入结构全内反射2×2光波导开关以及由这种2×2单元结构组成的高性能4×4光开关阵列.分别对该2×2结构光波导开关单元及其4×4结构光波导开关阵列的串音、反射损耗和消光... 详细信息

提出并分析和设计了一种Si基凹透镜载流子注入结构全内反射2×2光波导开关以及由这种2×2单元结构组成的高性能4×4光开关阵列.分别对该2×2结构光波导开关单元及其4×4结构光波导开关阵列的串音、反射损耗和消光比等进行了理论分析和模拟计算.计算得到:(1)对2×2光波导开关单元器件,其串音、反射损耗和消光比分别为-24dB、0.12dB和22dB;(2)对4×4光开关阵列,其总的串音、反射损耗和消光比分别为-25dB、3.5dB和27dB.

关键词：光开关光开关阵列光波导反射损耗消光比

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AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中的反弱局域化现象

AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中的反弱局域化现象

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：吕捷沈波桂永胜仇志军唐宁夏艳陈敦军赵红张荣郑有炓郭少令褚君浩南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室(江苏南京) 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室(上海)

本文通过低温磁输运测量对AlGaNN/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可... 详细信息

本文通过低温磁输运测量对AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可以很清楚的观察到反弱局域化现象.子带间散射作用随温度升高而变强.

关键词： AlGaNN/GaN异质结构两维电子气反弱局化

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射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：周炳卿刘丰珍朱美芳刘金龙谷锦华张群芳李国华丁琨中国科学院研究生院物理系(北京) 内蒙古师范大学物理与电子信息学院(呼和浩特) 中国科学院研究生院物理系(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得... 详细信息

本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得到了沉积速率为3-4A/s的μc-Si:H薄膜材料.相应地,薄膜的暗电导在10<'-7>S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,稳定性好,达到了器件级质量.

关键词：微晶硅薄膜离子体增强化学气相沉积沉积压力电学性质沉积参数

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对InPSi亲水性直接键合的研究

对InPSi亲水性直接键合的研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：赵洪泉于丽娟黄永箴中科院半导体所集成光电子国家重点实验室(北京)

为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了... 详细信息

为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了键合力的大小.进一步的,我们我们在相对洁净的环境下成功的键合出了一系列各个不同温度和时间下退火的键合片子,随后进行了拉力测试,从测试结果可以看出我们的这个模型是比较合适的.同时从该模型中我们得到这样的结论:表面微观起伏越小,在退火时所加的压力越大,即使在比较低的温度下,也可以得到比较高的键合力.从测试结果所得到的曲线来看,我们认为InPSi的最优退火温度在400℃.

关键词：键合力界面能直接晶片键合 InPSi 亲水性

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