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ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究
ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 邵乐喜 刘小平 黄惠良 湛江师范学院信息科技学院(广东湛江) 国立清华大学电子工程研究所(台湾新竹)
本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料... 详细信息
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1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 高俊华 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的... 详细信息
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Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度
Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 李宝河 黄阀 杨涛 翟中海 朱逢吾 北京科技大学材料物理系(北京) 北京工商大学数理部(北京) 北京科技大学材料物理系(北京) 金日成综合大学物理系(朝鲜平壤) 北京科技大学材料物理系(北京)
采用直流磁控测射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,后在不同温度下真空热处理得到了有序相L1-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[Fe(1.5nm)/Pt(1.5nm)]薄膜在350℃热处理后,有序度已经增加到0.6,... 详细信息
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垂直腔面发射激光器的研制
垂直腔面发射激光器的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 郭霞 董立闽 达小丽 渠红伟 邓军 杜金玉 邹德恕 沈光地 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京市光电子技术实验室(北京)
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个... 详细信息
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Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此... 详细信息
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氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 张书明 朱建军 李德尧 杨辉 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直... 详细信息
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凹透镜结构全内反射光开关及阵列的理论研究
凹透镜结构全内反射光开关及阵列的理论研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 朱启乐 陈志文 李章健 胡巧燕 禹国俊 江绍基 蔡志岗 王钢 李宝军 中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州)
提出并分析和设计了一种Si基凹透镜载流子注入结构全内反射2×2光波导开关以及由这种2×2单元结构组成的高性能4×4光开关阵列.分别对该2×2结构光波导开关单元及其4×4结构光波导开关阵列的串音、反射损耗和消光... 详细信息
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AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中的反弱局域化现象
AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中的反弱局域化现象
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 吕捷 沈波 桂永胜 仇志军 唐宁 夏艳 陈敦军 赵红 张荣 郑有炓 郭少令 褚君浩 南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室(江苏南京) 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室(上海)
本文通过低温磁输运测量对AlGaNN/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可... 详细信息
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射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 周炳卿 刘丰珍 朱美芳 刘金龙 谷锦华 张群芳 李国华 丁琨 中国科学院研究生院物理系(北京) 内蒙古师范大学物理与电子信息学院(呼和浩特) 中国科学院研究生院物理系(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得... 详细信息
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对InPSi亲水性直接键合的研究
对InPSi亲水性直接键合的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 赵洪泉 于丽娟 黄永箴 中科院半导体所集成光电子国家重点实验室(北京)
为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了... 详细信息
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