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粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束... 详细信息
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射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周炳卿 刘丰珍 朱美芳 刘金龙 谷锦华 张群芳 李国华 丁琨 中国科学院研究生院物理系(北京) 内蒙古师范大学物理与电子信息学院(呼和浩特) 中国科学院研究生院物理系(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得... 详细信息
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Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此... 详细信息
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GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究
GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 马艳 杜国同 殷景志 李万程 刘大力 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室(吉林长春)
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O流量为130sccm时,ZnO薄膜结晶质量最好,(002)衍射峰半高宽PWHM最低赕0.185°.O流量增加,薄膜光致发光谱中近... 详细信息
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Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度
Fe/Pt多层膜化降低L1<,0>-FePt有序相转变温度
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李宝河 黄阀 杨涛 翟中海 朱逢吾 北京科技大学材料物理系(北京) 北京工商大学数理部(北京) 北京科技大学材料物理系(北京) 金日成综合大学物理系(朝鲜平壤) 北京科技大学材料物理系(北京)
采用直流磁控测射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,后在不同温度下真空热处理得到了有序相L1-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[Fe(1.5nm)/Pt(1.5nm)]薄膜在350℃热处理后,有序度已经增加到0.6,... 详细信息
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取样光栅DFB激光器
取样光栅DFB激光器
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 阚强 赵玲娟 周帆 王宝军 王圩 中国科学院半导体研究所国家光电工艺中心(北京)
近年来,取样光栅(SG)结构的宽带可调谐激光器成为研究的热点.这是由于取样光栅制作工艺跟传统全息曝光光栅制作工艺兼容,无需使用昂贵和低效的电子束刻蚀工艺和灵活性差的相位掩模板曝光技术,并且取样光栅结构同样能实现高的边模抑制比(... 详细信息
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低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 谷锦华 周玉琴 朱美芳 周炳卿 刘丰珍 刘金龙 张群芳 中国科学院研究生院物理系
为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d的关系:δ~d,动力学标... 详细信息
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1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 高俊华 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的... 详细信息
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MBE生长GaAs基Al<,0.68>In<,0.32>As/Ga<,0.67>In<,0.33>AsMHEMT外延材料
MBE生长GaAs基Al<,0.68>In<,0.32>As/Ga<,0.67>In<,0.33>AsMHEMT...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 苗振林 武一宾 陈昊 齐国虎 商耀辉 中国电子科技集团公司第十三研究所(石家庄市)
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条件和残余应力对表面形貌和电性能的影响.并且设计生长了InAs组... 详细信息
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生长条件及退火处理对磷化铟单晶的结构完整性的影响
生长条件及退火处理对磷化铟单晶的结构完整性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵有文 董宏伟 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院物理所(北京)
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现... 详细信息
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