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对InPSi亲水性直接键合的研究
对InPSi亲水性直接键合的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵洪泉 于丽娟 黄永箴 中科院半导体所集成光电子国家重点实验室(北京)
为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了... 详细信息
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氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张书明 朱建军 李德尧 杨辉 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直... 详细信息
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凹透镜结构全内反射光开关及阵列的理论研究
凹透镜结构全内反射光开关及阵列的理论研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 朱启乐 陈志文 李章健 胡巧燕 禹国俊 江绍基 蔡志岗 王钢 李宝军 中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州)
提出并分析和设计了一种Si基凹透镜载流子注入结构全内反射2×2光波导开关以及由这种2×2单元结构组成的高性能4×4光开关阵列.分别对该2×2结构光波导开关单元及其4×4结构光波导开关阵列的串音、反射损耗和消光... 详细信息
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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)
用MOCVD生长了120周期GaN/AlGaN超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜... 详细信息
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1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究
1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吴惠桢 黄占超 劳燕锋 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量... 详细信息
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850/1550nm智能集成分波光开关的理论设计
850/1550nm智能集成分波光开关的理论设计
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李章健 陈志文 朱启乐 赵玉周 林旭彬 李静 蔡志岗 王钢 李宝军 中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州)
理论分析和设计了一种用于850nm和1550nm两个光通信窗口的、集波长信号分离和光开关功能于一体的智能集成分波光开关,并将弧形结构全内反射面用于该集成结构中,基于Si基半导体SiGe合金材料的等离子体色散效应,对该结构智能集成分波光开... 详细信息
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缓冲层温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响
缓冲层温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 杨小天 刘博阳 杜国同 赵佰军 张源涛 刘大力 杨树人 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春) 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春) 吉林大学物理学院相干光、原子与分子光谱教育部重点实验室(吉林长春)
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶... 详细信息
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硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析
硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 安俊明 夏君旨 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心(北京) 内蒙古大学物理系 唐山工业职业技术学院 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心(北京)
采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率n和相邻阵列波导长度差△L的偏移将会对使中心波长λ偏离设计值,平板波导有效折射率n、阵列波导... 详细信息
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Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研究
Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙钱 张纪才 王建峰 陈俊 赵德刚 王玉田 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉)
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等实验测量分析.实验... 详细信息
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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 兰州大学物理学院(兰州)
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单... 详细信息
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