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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 兰州大学物理学院(兰州)
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单... 详细信息
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锌源温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响
锌源温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘博阳 杜国同 杨小天 赵佰军 张源涛 刘大力 杨树人 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春) 吉林大学物理学院相干光、原子与分子光谱教育部重点实验室(吉林长春) 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春)
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)对所生长氧化锌薄膜的晶体质量、光学特性和表面形貌进行了比较与研究.研究... 详细信息
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磁控溅射方法制备(CoCr/Pt)<,20>纳米多层膜及表征
磁控溅射方法制备(CoCr/Pt)<,20>纳米多层膜及表征
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 黄阀 李宝河 杨涛 翟中海 朱逢吾 北京科技大学材料物理与化学系(北京) 金日成综合大学物理系(朝鲜民主主义人民共和国平壤) 北京科技大学材料物理与化学系(北京) 北京工商大学数理部(北京) 北京科技大学材料物理与化学系(北京)
采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)纳米多层膜的微结构和磁性的影响.所有样品溅射时玻璃基片温度保持在220℃,Ar溅射气压从0.4Pa到1.6Pa.研究结果表明,Ar溅射气压对(CoCr/... 详细信息
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