咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 143 篇 会议

馆藏范围

  • 143 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 133 篇 工学
    • 121 篇 电子科学与技术（可...
    • 110 篇 材料科学与工程（可...
    • 19 篇 光学工程
    • 13 篇 仪器科学与技术
    • 2 篇 电气工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...
  • 19 篇 理学
    • 19 篇 物理学
    • 4 篇 化学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 10 篇 gan
  • 9 篇 半导体材料
  • 8 篇 分子束外延
  • 6 篇 发光二极管
  • 6 篇 晶体管
  • 5 篇 半导体激光器
  • 5 篇 磁控溅射
  • 5 篇 algan/gan
  • 5 篇 x射线衍射
  • 5 篇 表面形貌
  • 5 篇 氮化镓
  • 4 篇 金属有机化学气相...
  • 4 篇 光波导
  • 4 篇 制备工艺
  • 4 篇 外延生长
  • 4 篇 垂直腔面发射激光...
  • 4 篇 晶体生长
  • 3 篇 半导体
  • 3 篇 zno薄膜
  • 3 篇 磁控溅射法

机构

  • 16 篇 中国科学院半导体...
  • 9 篇 中国科学院半导体...
  • 7 篇 中国科学院半导体...
  • 5 篇 中国科学院半导体...
  • 5 篇 北京大学
  • 5 篇 浙江大学
  • 4 篇 吉林大学
  • 3 篇 南京大学
  • 3 篇 南京电子器件研究...
  • 3 篇 中国科学院微电子...
  • 3 篇 清华大学
  • 3 篇 北京师范大学
  • 3 篇 西安电子科技大学
  • 3 篇 电子科技大学
  • 3 篇 武汉大学
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 北京工业大学
  • 3 篇 中山大学
  • 2 篇 人工微结构和介观...
  • 2 篇 北京科技大学

作者

  • 13 篇 曾一平
  • 10 篇 李晋闽
  • 8 篇 王晓亮
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 王启明
  • 6 篇 叶志镇
  • 5 篇 成步文
  • 5 篇 和致经
  • 5 篇 刘新宇
  • 5 篇 赵炳辉
  • 5 篇 王军喜
  • 5 篇 李传波
  • 4 篇 杜国同
  • 4 篇 张国义
  • 4 篇 韩勤
  • 4 篇 刘键
  • 4 篇 毛容伟
  • 4 篇 左玉华
  • 4 篇 杨志坚
  • 4 篇 牛智川

语言

  • 143 篇 中文
检索条件"任意字段=第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议"
共 143 条 记 录，以下是11-20 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
基于SOI光波导器件的回波损耗分析
基于SOI光波导器件的回波损耗分析
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈鹏 辛红丽 李芳 方青 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研发中心(北京)
利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,... 详细信息
来源： 评论
GaAs材料对器件性能影响的实验研究
GaAs材料对器件性能影响的实验研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张绵 中国电子科技集团公司第十三研究所(河北省石家庄)
随着GaAs器件、集成电路水平的不断提高,对材料的质量提出了越来越高的要求.在我们多年从事器件研究的过程中深感用来标称单晶质量的三大参数;电阻率、迁移率、位错密度已不足以全面评价材料性能,因其优劣与器件应用结果并不总能有明确... 详细信息
来源： 评论
利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙永伟 徐云 倪海桥 侯识华 宋国峰 陈良惠 中国科学院半导体研究所(北京)
Molly语言是由Veeco开发,可以实现对其MBE系统的复杂控制.本文论述了臬Molly语言实现对Gen-Ⅱ MBE系统的复杂控制,并举例说明了如何让系统自动记录系统的状态,以及如何实现在特定的真空度下对进样室中的衬底预除气.
来源： 评论
1300nm P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化
1300nm P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 倪海桥 牛智川 张石勇 徐应强 韩勤 吴荣汉 中科院半导体所超晶格实验室
本文通过仿真优化了中心波长在1300nm的P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜.通过优化结构和掺杂,大大降低了P型的GaAs/AlGaAs的电阻值,为生长出高质量的能减小发热的DBR器件摸索出了条件.
来源： 评论
钛酸锶钡(BST)薄膜的铁电性能研究
钛酸锶钡(BST)薄膜的铁电性能研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 符春林 杨传仁 陈宏伟 胡立业 王迎新 电子科技大学微电子与固体电子学院(成都)
采用射频磁控溅射法制备了BaSrTiO(简称BST)薄膜材料,研究了两种不同晶粒尺寸BST薄膜的介电偏压特性和电滞回线,分析了它们之间的差异,解释了电滞回线不对称的原因.
来源： 评论
多线切割过程及控制分析
多线切割过程及控制分析
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 朱蓉辉 材料中心
多线切割机用于晶圆切割具有表面损伤层浅,切缝窄,切割速度快(片平均)等优点在半导体、电子行业的应用已经有较长的时间了,本文就多线切割如何获得好的切割质量以及在实际中的应用遇到的问题做一些介绍和分析,并就其结构和控制方面提出... 详细信息
来源： 评论
(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 罗丽萍 李传波 赵雷 时文华 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,与铬金组合成双重掩膜层可以解决该问题,掩蔽特性良好.
来源： 评论
n型4H-SiC欧姆接触特性研究
n型4H-SiC欧姆接触特性研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈刚 南京电子器件研究所
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最... 详细信息
来源： 评论
快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张石勇 徐应强 任正伟 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)
本文从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.
来源： 评论
MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 佟存柱 韩勤 杜云 徐应强 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所(北京)
本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受到腐蚀圆台直径影响,详细研究了氧化各向异性与时间、氧化圆台直径等因素的关系,并用理论模型分析了此种... 详细信息
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共15页 <<  < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >  >>
回到顶部
执行限定条件