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化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究
化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵国忠 张振伟 崔伟丽 张存林 首都师范大学物理系(北京)
本文利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱.通过快速傅立叶变换(THz),我们由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化... 详细信息
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2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振中 常凯 中科院半导体所超晶格国家重点实验室(北京)
采用Metropolis Monte Carlo(MC)方法研究了,不同杂质电荷以及高度对2维Wigner晶格的影响.该系统由有限个在抛物限制势场中带电粒子所组成,我们发现对不同粒子数系统,杂质效应会引致的两种不同类型的相变.其中具有幻数的系统具有很强的... 详细信息
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Si衬底上MOCVD生长GaN的研究
Si衬底上MOCVD生长GaN的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 唐海平 叶志镇 朱丽萍 赵炳辉 洪炜 倪贤锋 赵浙 浙江大学硅材料国家重点实验室
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构***测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(0002)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)为560arcsec.用拉曼光谱表征样品(0002)面处于双轴张应力状态.
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3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 兰天平 王建利 丰梅霞 常玉璟 牛沈军 中国电子科技集团公司第四十六研究所(天津市)
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
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火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吴远大 夏君磊 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 张玉书 中国科学院半导体研究所光电研发中心(北京)
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)分析了光照前后薄膜的折射率和吸收损耗变化情况.
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InP基HEMT的自洽计算模型
InP基HEMT的自洽计算模型
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李东临 曾一平 王军喜 王晓亮 中国科学院半导体所材料中心(北京)
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定... 详细信息
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SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线
SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王晓欣 张建国 王启明 中国科学院半导体所(北京)
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO薄膜经过高温退火生长SiNWs的... 详细信息
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带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 贺月娇 方青 辛红丽 陈鹏 李芳 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)
制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510—1610nm波长范围内动态调节范围可达到0-29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.
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AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李娜 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算... 详细信息
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过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT
过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 姚飞 成步文 薛春来 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
首次提出用过腐蚀自对准离子注入的工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向粘蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.
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