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火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吴远大 夏君磊 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 张玉书 中国科学院半导体研究所光电研发中心(北京)
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)分析了光照前后薄膜的折射率和吸收损耗变化情况.
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SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线
SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王晓欣 张建国 王启明 中国科学院半导体所(北京)
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO薄膜经过高温退火生长SiNWs的... 详细信息
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InP基HEMT的自洽计算模型
InP基HEMT的自洽计算模型
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李东临 曾一平 王军喜 王晓亮 中国科学院半导体所材料中心(北京)
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定... 详细信息
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带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 贺月娇 方青 辛红丽 陈鹏 李芳 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)
制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510—1610nm波长范围内动态调节范围可达到0-29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.
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钛酸锶钡薄膜的微结构研究
钛酸锶钡薄膜的微结构研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈宏伟 杨传仁 符春林 赵莉 高志强 电子科技大学微电子与固体电子学院(四川成都)
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO/Si衬底上制备了钛酸锶钡(简称BST)薄膜材料,利用XPS、XRD、AFM分别研究了BST薄膜的成分、晶体结构和形貌,利用PFM观察到了BST薄膜中的铁电畴,找出了BST薄膜由多畴转变为单畴的临界尺寸在28nm~31nm之间.
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Ar/O<,2>比对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜带隙的影响
Ar/O<,2>比对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜带隙的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈兰兰 叶志镇 赵炳辉 马德伟 林朝通 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
研究了Ar/O比对溅射沉积ZnCdO(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的ZnCdO薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O=1:1时,薄膜带隙达到最小值.
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多线切割过程及控制分析
多线切割过程及控制分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 朱蓉辉 材料中心
多线切割机用于晶圆切割具有表面损伤层浅,切缝窄,切割速度快(片平均)等优点在半导体、电子行业的应用已经有较长的时间了,本文就多线切割如何获得好的切割质量以及在实际中的应用遇到的问题做一些介绍和分析,并就其结构和控制方面提出... 详细信息
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大功率GaN基LED的效率分析
大功率GaN基LED的效率分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭金霞 马龙 伊晓燕 王良臣 王国宏 李晋闽 中科院半导体研究所
本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总... 详细信息
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AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频... 详细信息
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AlN基板上无源器件的制作与建模
AlN基板上无源器件的制作与建模
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈晓娟 刘新宇 和致经 刘键 邵刚 中国科学院微电子研究所(北京)
无源器件是MMIC电路中必不可缺的部分,本文研究了AlN基板上几种关键无源器件的制作工艺.电阻的方阻为16.85Ω/□,在微波测试中表现出良好特性,电容的漏电流在40V下只有pA量级,击穿电压>40V,电容可靠性高,介质层致密.采用HP 8510c网... 详细信息
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