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AlN基板上无源器件的制作与建模
AlN基板上无源器件的制作与建模
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈晓娟 刘新宇 和致经 刘键 邵刚 中国科学院微电子研究所(北京)
无源器件是MMIC电路中必不可缺的部分,本文研究了AlN基板上几种关键无源器件的制作工艺.电阻的方阻为16.85Ω/□,在微波测试中表现出良好特性,电容的漏电流在40V下只有pA量级,击穿电压>40V,电容可靠性高,介质层致密.采用HP 8510c网... 详细信息
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Ar/O<,2>比对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜带隙的影响
Ar/O<,2>比对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜带隙的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈兰兰 叶志镇 赵炳辉 马德伟 林朝通 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
研究了Ar/O比对溅射沉积ZnCdO(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的ZnCdO薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O=1:1时,薄膜带隙达到最小值.
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1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 沈坤 岳爱文 王任凡 武汉电信器件公司芯片部
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光... 详细信息
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SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈媛媛 余金中 严清峰 陈少武 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,... 详细信息
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n型4H-SiC欧姆接触特性研究
n型4H-SiC欧姆接触特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈刚 南京电子器件研究所
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最... 详细信息
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AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频... 详细信息
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Ku波段低相噪体效应管
Ku波段低相噪体效应管
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张晓 刘萍 单云东 南京电子器件研究所(南京)
体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证... 详细信息
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SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王广甫 刘超 李建平 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息
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大功率GaN基LED的效率分析
大功率GaN基LED的效率分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭金霞 马龙 伊晓燕 王良臣 王国宏 李晋闽 中科院半导体研究所
本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总... 详细信息
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铟量子点单电子晶体管
铟量子点单电子晶体管
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭荣辉 赵正平 刘玉贵 武一斌 吕苗 西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息
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