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1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 沈坤 岳爱文 王任凡 武汉电信器件公司芯片部
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光... 详细信息
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n型4H-SiC欧姆接触特性研究
n型4H-SiC欧姆接触特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈刚 南京电子器件研究所
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最... 详细信息
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SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈媛媛 余金中 严清峰 陈少武 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,... 详细信息
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MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 佟存柱 韩勤 杜云 徐应强 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所(北京)
本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受到腐蚀圆台直径影响,详细研究了氧化各向异性与时间、氧化圆台直径等因素的关系,并用理论模型分析了此种... 详细信息
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2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振中 常凯 中科院半导体所超晶格国家重点实验室(北京)
采用Metropolis Monte Carlo(MC)方法研究了,不同杂质电荷以及高度对2维Wigner晶格的影响.该系统由有限个在抛物限制势场中带电粒子所组成,我们发现对不同粒子数系统,杂质效应会引致的两种不同类型的相变.其中具有幻数的系统具有很强的... 详细信息
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SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王广甫 刘超 李建平 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息
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19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王文军 惠峰 高永亮 王志宇 中科院半导体所
长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供... 详细信息
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MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张源涛 朱慧超 崔勇国 刘大力 杨树人 杜国同 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室(吉林省长春市)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角... 详细信息
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AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李娜 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算... 详细信息
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过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT
过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 姚飞 成步文 薛春来 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
首次提出用过腐蚀自对准离子注入的工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向粘蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.
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