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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

143 篇 会议

馆藏范围

143 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

133 篇 工学
- 121 篇 电子科学与技术（可...
- 110 篇 材料科学与工程（可...
- 19 篇 光学工程
- 13 篇 仪器科学与技术
- 2 篇 电气工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
19 篇 理学
- 19 篇 物理学
- 4 篇 化学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

10 篇 gan
9 篇 半导体材料
8 篇 分子束外延
6 篇 发光二极管
6 篇 晶体管
5 篇 半导体激光器
5 篇 磁控溅射
5 篇 algan/gan
5 篇 x射线衍射
5 篇 表面形貌
5 篇 氮化镓
4 篇 金属有机化学气相...
4 篇 光波导
4 篇 制备工艺
4 篇 外延生长
4 篇 垂直腔面发射激光...
4 篇 晶体生长
3 篇 半导体
3 篇 zno薄膜
3 篇 磁控溅射法

机构

16 篇 中国科学院半导体...
9 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 中国科学院半导体...
5 篇 北京大学
5 篇 浙江大学
4 篇 吉林大学
3 篇 南京大学
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 清华大学
3 篇 北京师范大学
3 篇 西安电子科技大学
3 篇 电子科技大学
3 篇 武汉大学
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 北京工业大学
3 篇 中山大学
2 篇 人工微结构和介观...
2 篇 北京科技大学

作者

13 篇 曾一平
10 篇 李晋闽
8 篇 王晓亮
7 篇 杨辉
7 篇 王启明
6 篇 叶志镇
5 篇 成步文
5 篇 和致经
5 篇 刘新宇
5 篇 赵炳辉
5 篇 王军喜
5 篇 李传波
4 篇 杜国同
4 篇 张国义
4 篇 韩勤
4 篇 刘键
4 篇 毛容伟
4 篇 左玉华
4 篇 杨志坚
4 篇 牛智川

语言

143 篇 中文

检索条件"任意字段=第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议"

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Zn<,1-x>Cd<,x>O三元合金薄膜能带工程

Zn<,1-x>Cd<,x>O三元合金薄膜能带工程

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：马德伟叶志镇陈兰兰

对ZnCdO合金薄膜进行了XRD、PL谱测试,并对合金薄膜能带工程从半导体物理角度出发进行了较深入研究,提出了固溶范围内其带隙E与Cd组分含量x之间的关系:E(x)=3.29664-1.21687x+1.25539x(0·x·0.6,而其晶胞参数c与Cd组分含量x之... 详细信息

对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜进行了XRD、PL谱测试,并对合金薄膜能带工程从半导体物理角度出发进行了较深入研究,提出了固溶范围内其带隙E<,g>与Cd组分含量x之间的关系:E<,g>(x)=3.29664-1.21687x+1.25539x<'2>(0·x·0.6,而其晶胞参数c与Cd组分含量x之间的关系符合Végard定律,即有:c(x)=0.5229+0.00357x(0·x·0.6).

关键词：薄膜能带工程 ZnCdO合金薄膜三元合金薄膜

来源：评论

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紫外写入平板波导的折射率分布

紫外写入平板波导的折射率分布

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：夏君磊郜定山吴远大安俊明李健胡雄伟中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)

本文通过紫外写入方法制作出了表面折射率分布均匀的平板波导,在光敏芯区实现了高达0.0051的光致折变.通过棱镜耦合仪测量了波导深度方向上的折射率分布和光致折变△n随深度的变化趋势,并对光致折变随深度变化曲线进行了拟合,获得了光... 详细信息

本文通过紫外写入方法制作出了表面折射率分布均匀的平板波导,在光敏芯区实现了高达0.0051的光致折变.通过棱镜耦合仪测量了波导深度方向上的折射率分布和光致折变△n随深度的变化趋势,并对光致折变随深度变化曲线进行了拟合,获得了光致折变在深度方向上分布的数学表达式

关键词：紫外写入平板波导折射率分布

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微晶硅薄膜的微结构及光电特性

微晶硅薄膜的微结构及光电特性

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：郝会颖孔光临廖显伯刁宏伟曾湘波许颖中科院半导体研究所表面物理实验室中国地质大学(北京) 中科院半导体研究所表面物理实验室

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移... 详细信息

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H<,2>/SiH<,4>中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移率寿命(μτ)乘积分析了薄膜的光电特性.

关键词：光电特性微晶硅薄膜微结构等离子体增强化学气相沉积

来源：评论

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Ku波段低相噪体效应管

Ku波段低相噪体效应管

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张晓刘萍单云东南京电子器件研究所(南京)

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证... 详细信息

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证一定的输出功率的情况下,相位噪声小于-98dBc/Hz/5KHz,-10dB谱线宽度小于200Hz.

关键词：相位噪声砷化镓体效应振荡器

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B在SiGe中的应变补偿作用

B在SiGe中的应变补偿作用

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：成步文姚飞薛春来张建国李传波毛容伟左玉华罗丽萍王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)

用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变... 详细信息

用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.232×10<'-24>.

关键词： SiGe 应变补偿 B掺杂真空化学汽相淀积

来源：评论

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Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量

Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：周晓龙孙聂枫赵彦军杨克武杨光耀谢德良刘二海孙同年中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究... 详细信息

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.

关键词：磷化铟 EPD 分布测量位错分布生长工艺晶体生长半导体材料