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大功率倒装结构GaN LED P电极研究
大功率倒装结构GaN LED P电极研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 伊晓燕 马龙 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 中科院半导体研究所(北京)
从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体... 详细信息
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基于白光照明的GaN基功率型LED芯片的研究进展
基于白光照明的GaN基功率型LED芯片的研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张国义 陈志忠 杨志坚 秦志新 于彤军 胡晓东 童玉珍 陆羽 康香宁 丁晓民 章蓓 北京大学物理学院 北京大学宽禁带半导体研究中心(北京)
GaN基白光发光二极管(LED)因为其高效、节能、环保等优点,正在成为新一代照明的固态照明(Solid-State Lighting,SSL)最具潜力的光源.目前主要研究方向有:倒封装芯片技术;结构衬底,表面粗化以及微结构技术;激光剥离、上下电极芯片技术等.
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Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周晓龙 孙聂枫 赵彦军 杨克武 杨光耀 谢德良 刘二海 孙同年 中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究... 详细信息
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AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李娜 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算... 详细信息
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InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
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半导体器件参数比例差值谱分析系统
半导体器件参数比例差值谱分析系统
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 谭长华 许铭真 杨斌 马金源 北京大学微电子研究院
该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、... 详细信息
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螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李实 刘韦 苏小保 阴和俊 中科院电子所微波器件中心(北京)
本文介绍了用MAFIA软件的准周期边界条件计算螺旋线行波管慢波结构的色散和耦合阻抗的方法和用ANSYS软件对螺旋线径向挤压变形建模的方法,并对螺旋线受挤压径向变形对其冷测特性的影响进行了详细的分析.分析结果表明,螺旋线螺旋线径向... 详细信息
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19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王文军 惠峰 高永亮 王志宇 中科院半导体所
长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供... 详细信息
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MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张源涛 朱慧超 崔勇国 刘大力 杨树人 杜国同 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室(吉林省长春市)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角... 详细信息
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微晶硅薄膜的微结构及光电特性
微晶硅薄膜的微结构及光电特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郝会颖 孔光临 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 许颖 中科院半导体研究所表面物理实验室 中国地质大学(北京) 中科院半导体研究所表面物理实验室
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移... 详细信息
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