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InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
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铟量子点单电子晶体管
铟量子点单电子晶体管
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭荣辉 赵正平 刘玉贵 武一斌 吕苗 西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息
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SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王广甫 刘超 李建平 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息
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硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘超 高兴国 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京师范大学物理系(北京)
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,被I... 详细信息
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低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响
低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 邓加军 赵建华 蒋春萍 牛智川 杨富华 郑厚植 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,M... 详细信息
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光网络中关键性光子集成器件的研究进展
光网络中关键性光子集成器件的研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
本文从高速率大容量光纤网络体系基本功能构架(即信息的超大容量传输,灵活的上下载路分插复用,快速的交换共享和高效经济的路由选择)的需求出发,指出光子集成是实现上述功能构架的关键硬件,包括高速响应的集成激光源、波导光栅阵列密集... 详细信息
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铁磁半导体GaMnAs的MBE生长和特性研究
铁磁半导体GaMnAs的MBE生长和特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 杨春雷 何洪涛 葛惟昆 王建农 邱凯 姬长建 钟飞 王玉琦 香港科技大学物理系 材料物理重点实验室 中科院固体物理研究所(合肥)
我们用MBE生长得到一系列不同Mn含量的GaMnAs外延层,其X-射线衍射峰的半高宽为(40-90sec),在含5﹪的Mn的样品中所测到的铁磁居里转变温度约为110K.在居里点以下至10K,样品表现出良好的金属导电特性,同时我们也讨论了GaMnAs的晶格常数随M... 详细信息
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螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李实 刘韦 苏小保 阴和俊 中科院电子所微波器件中心(北京)
本文介绍了用MAFIA软件的准周期边界条件计算螺旋线行波管慢波结构的色散和耦合阻抗的方法和用ANSYS软件对螺旋线径向挤压变形建模的方法,并对螺旋线受挤压径向变形对其冷测特性的影响进行了详细的分析.分析结果表明,螺旋线螺旋线径向... 详细信息
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6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 惠峰 王文军 高永亮 王志宇 中国科学院半导体所
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民用... 详细信息
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N-Al共掺p型ZnO薄膜
N-Al共掺p型ZnO薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吕建国 叶志镇 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 浙江大学 硅材料国家重点实验室(浙江杭州)
利用直流反应磁控溅射技术得到N-Al共掺p型ZnO薄膜.结果表明:ZnO中Al的存在显著提高了薄膜中N的掺杂量,从而可以实现具有优良p型传导特性的ZnO薄膜.当Al含量为0.15wt.﹪时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×10cm... 详细信息
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