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AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频... 详细信息
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B在SiGe中的应变补偿作用
B在SiGe中的应变补偿作用
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室(北京)
用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变... 详细信息
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离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 江炳尧 任琮欣 冯涛 蒋军 柳襄怀 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)
本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.... 详细信息
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单电子数据转换电路
单电子数据转换电路
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 欧晓斌 吴南健 中国科学院半导体研究所(北京)
本文提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合的数模转换和模数转换电路有以下一些优点:1)大的负载能力;2)在室温条件下工作;3)低功耗.对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC... 详细信息
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二维光子晶体激光器的FDTD仿真
二维光子晶体激光器的FDTD仿真
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙增辉 陈弘达 张晓帆 许兴胜 裴为华 周毅 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
二维光子晶体结构在平面内可以形成光子禁带,改变光子晶体结构的完整,可以在禁带内引入缺陷态,从而形成谐振模式.本文主要利用时域有限差分法(FDTD)计算了二维光子晶体的带隙结构,仿真了二维光子晶体激光器的微腔对谐振模的选择.
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微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究
微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李传波 毛容伟 左玉华 成步文 余金中 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模... 详细信息
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一种新型的三稳态纳电子器件
一种新型的三稳态纳电子器件
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 牛萍娟 陈乃金 郭维廉 梁惠来 王文新 天津工业大学信息与通信工程学院 天津大学电子信息工程学院 中科院物理所分子束外延实验室
我们制作了在电流-电压特性曲线上具有双微分负阻的共振隧穿器件,室温就可达到较高的峰谷比5.2:1,这种器件采用两个隧穿二极管背靠背串联的结构,可以在多值逻辑或其它有关降低电路复杂性方面有较为广泛的应用.
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6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响
6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘莉 杨银堂 西安电子科技大学微电子所(西安)
制约碳化硅MOS器件特性的主要因素是SiO/SiO的界面特性和栅氧化层的质量,本文主要对6H-SiC MOSFET器件沟道热载流子的产生和其对栅氧化层的注入过程作了较为深入的分析.界面陷阱的存在和薄栅氧化层中电子能量分布较宽使得陷落的电子与... 详细信息
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Si衬底上生长GaN基蓝光LED
Si衬底上生长GaN基蓝光LED
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 莫春兰 方文卿 刘和初 周毛兴 江风益 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心(南昌)
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30... 详细信息
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n型4H-SiC MOS电容的特性研究
n型4H-SiC MOS电容的特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 宁瑾 刘忠立 高见头 中科院半导体研究所微电子中心(北京)
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H、O合成热生长的Si... 详细信息
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