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氮化镓微波器件的进展
氮化镓微波器件的进展
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 袁明文 信息产业部电子13所专用集成电路国家重点实验室(石家庄)
GaN是一种很稳定的化合物半导体材料,其化学的和热的稳定性材料性质尤其有利于制造高温器件.本文综述了优良的宽度半导体GaN微电子器件的优点性能及其新进展.
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碳化硅电子器件的基础问题
碳化硅电子器件的基础问题
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李效白 专用集成电路国家重点实验室(石家庄市)
SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.
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微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践
微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 高尚通 王文琴 中电科技集团电子13所(石家庄)
本文作者对过去多年来从来微波器件封装科研开发的实践成果进行了总结,对今后封装的发展提出了一些建议.所涉及的微波器件封装,外壳类型为金属陶瓷外壳.
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GaN固体光源的进展
GaN固体光源的进展
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张万生 赵彦军 电子第十三研究所(石家庄)
本文将结合我们的工作体会,主要对以蓝宝石为衬底的GaN固体光源的进展情况加以综述和介绍,并展望了GaN固体光源的应用前景.
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AlGaN/GaN HEMT器件
AlGaN/GaN HEMT器件
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 肖冬萍 魏珂 王润梅 中科院微电子中心
报道了AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺和器件的室温直流特性测试结果.器件的栅长为0.8μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为25mA/mm,最大跨导为12mS/mm.
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微波低噪声器件噪声参数提取方法研究
微波低噪声器件噪声参数提取方法研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 高翠琢 李道成 韩利华 孙静 信息产业部电子第13研究所
设计微波低噪声放大器及MMIC,需要确定增益和噪声系数随输入源导纳变化的规律,选择最佳的源导纳,设计出理想的微波器件,本文论述了国内外各种提取微波低噪声器件噪声参数的方法,并对其进行了比较.
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PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用
PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 郑英奎 汪宁 刘新宇 中科院微电子中心(北京)
本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO、SiON膜,低应力钝化膜优于高应力钝化膜的结论.
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MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 谢自力 邱凯 陈建炉 张晓娟 南京电子器件研究所(南京)
利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件.
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半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李成基 李韫言 何宏家 中国科学院半导体研究所(北京)
本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系.
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航天微电子器件辐射效应研究
航天微电子器件辐射效应研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王长河 信息产业部电子十三所(河北石家庄)
本文主要论述空间自然辐射环境与人为辐射环境对航天器中微电子器件的影响.分析了几种典型器件的辐射效应及损伤机理,提出提高微电子器件抗辐射加固的相应途径.
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