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文献类型

105 篇 会议

馆藏范围

105 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

101 篇 工学
- 92 篇 电子科学与技术（可...
- 69 篇 材料科学与工程（可...
- 20 篇 光学工程
- 9 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 航空宇航科学与技...
7 篇 理学
- 7 篇 物理学

主题

35 篇 半导体材料
16 篇 砷化镓
14 篇 氮化镓
11 篇 分子束外延
10 篇 外延生长
8 篇 半导体器件
6 篇 量子点
5 篇 磷化铟
4 篇 欧姆接触
4 篇 单晶生长
4 篇 制作工艺
4 篇 化学气相淀积
4 篇 结构设计
3 篇 二维电子气
3 篇 微波器件
3 篇 光荧光谱
3 篇 器件制作
3 篇 量子级联激光器
3 篇 光电探测器
3 篇 集成电路

机构

8 篇 中国科学院半导体...
6 篇 南京电子器件研究...
6 篇 信息产业部电子第...
5 篇 中科院微电子中心
5 篇 中国科学院半导体...
4 篇 中国科学院上海微...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中科院半导体研究...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 河北工业大学
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 河北半导体研究所
3 篇 北京工业大学
2 篇 信息产业部电子第...
2 篇 信息功能材料国家...
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 天津大学
2 篇 信息产业部1413所
2 篇 中国科学院半导体...

作者

12 篇 曾一平
10 篇 王占国
9 篇 李晋闽
9 篇 林兰英
7 篇 杨辉
7 篇 余金中
7 篇 徐波
6 篇 金鹏
6 篇 孙殿照
5 篇 王晓亮
5 篇 刘峰奇
4 篇 曲胜春
4 篇 王启明
4 篇 李爱珍
4 篇 夏冠群
4 篇 梁骏吾
4 篇 李成明
4 篇 胡国新
4 篇 刘宏新
4 篇 冯淦

语言

105 篇 中文

检索条件"任意字段=第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

共 105 条记录，以下是101-110 订阅

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详细简洁

排序：

1.55μm MEMS可调谐光滤波器的设计和分析

1.55μm MEMS可调谐光滤波器的设计和分析

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：左玉华成步文黄昌俊毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞王良臣余金中王启明集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体研究所(北京)

随着互联网的快速发展,可调谐技术日益成为DWDM技术中不可或缺的重要技术.在众多的可调谐技术中,MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术由于其特有的优势—能够实现低成本,低功耗和大的调谐范围,已被公认是最佳的解决途径之一.本... 详细信息

随着互联网的快速发展,可调谐技术日益成为DWDM技术中不可或缺的重要技术.在众多的可调谐技术中,MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术由于其特有的优势—能够实现低成本,低功耗和大的调谐范围,已被公认是最佳的解决途径之一.本文介绍了利用Si表面微机械技术,在Si衬底上制作1.55μm Fabry-Perot共振腔型的可调谐光滤波器.其原理是利用上下反射镜的静电吸引作用,实现波长的调谐.我们在国内首次制作了1.55μm的Si基可调谐光滤波器,得到了初步的测量结果.本文详细讨论了可调谐滤波器的设计原则,并进行了力学和光学性能的分析,进而讨论了影响MEMS滤波器可调谐性能的器件参数.

关键词：表面微机械可调谐滤波器器件制作光学性能力学性能

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用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN MESFET的特性

用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN MESFET的特性

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭宝增宋登元河北大学电子信息工程学院(保定)

本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10cm.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接... 详细信息

本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10<'17>cm<'-3>.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I<,d>与漏源电压的V<,ds>输出特性曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下漏极电流I<,d> i为5.03A/cm,这是一个比较高的值.模拟还得到了跨导和电流截止频率与栅源电压的关系曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=1.5V,的条件下,跨导出现最大值,最大值为112ms/mm.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下,电流截止频率f<,T>出现最大值,最大值为98GHZ.

关键词：场效应晶体管化合物半导体氮化镓 Monte Carlo方法直流特性交流特性

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磷化铟中掺杂行为对其晶格常数和相邻外延层的影响

磷化铟中掺杂行为对其晶格常数和相邻外延层的影响

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：董宏伟赵有文焦景华曾一平李晋闽林兰英中国科学院半导体研究所材料科学中心(北京)

本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同于被替位的铟或磷原子而引起的.而且受分凝系数的限制,磷化铟... 详细信息

本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同于被替位的铟或磷原子而引起的.而且受分凝系数的限制,磷化铟中主要的掺杂剂仅限于Sn,S,Zn和Fe等几种元素.当掺杂元素的共价半径小于铟(或磷)时,磷化铟晶格倾向于变小.反之,当掺杂元素的半径大于铟(或磷)时,磷化铟晶格变大.为了比较,我们用固源分子束外延技术(SSMBE)在两种铁浓度不同的半绝缘InP衬底上生长了张应力In<,0.49>Al<,0.51>As外延层来作了进一步解释.双晶x射线的结果证实:在张应力条件下,掺有高浓度铁(>10<'16>cm<'-3>)的InP衬底与外延层的匹配度更好.这主要是由于一定浓度铁的替位使得磷化铟的晶格常数变小造成的.

关键词：磷化铟晶格常数双晶衍射 MBE 半导体材料掺杂元素分子束外延

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极低温度下失配外延层的MBE生长

极低温度下失配外延层的MBE生长

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：段瑞飞曾一平王宝强朱占平中科院半导体研究所新材料部(北京)

大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的InGaAs/GaAs外延.结果发现,远远超过InGaAs/GaAs临界厚度(11ML)的InGaAs(14ML)在很... 详细信息

大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs外延.结果发现,远远超过In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs临界厚度(11ML)的In<,0.35>Ga<,0.65>As(14ML)在很低的温度下(460℃)并没有形成量子点.通过原子力显微镜(AFM)的观测,我们发现,沉积的In<,0.35>Ga<,0.65>As形成了单原子层的台阶状生长,每个台阶的高度几乎都接近In<,0.35>Ga<,0.65>As的晶格常数5.8A的一半,即一个原子单层.我们认为单层生长而非SK生长主要是由于极低温度下形成量子点的驱动力不够,即SK生长模式下量子点的形成不仅仅是一个动力学过程也是一个热力学的平衡过程,SK自组织量子点形成需要的驱动力来源于两个方面:晶格失配内应力和生长温度产生的外应力.二者之和最终决定量子点的形成.

关键词： GaAs基材料 AFM 单原子层生长半导体材料外延生长

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直径4″InP单晶生长研究

直径4″InP单晶生长研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙聂枫杨光耀陈秉克徐永强曹立新赵彦军安国雨齐志华谢德良刘二海周晓龙杨克武赵正平孙同年信息产业部电子第十三研究所(河北省石家庄市)

InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主... 详细信息

InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主要发达国家普遍加强了对大直径、高质量InP单晶材料研究的投入,以保证可靠的衬底来源.九十年代末美国、日本率先生长出4英寸InP单晶,而我国还停留在2-3英寸的水平上,为了与国际领先水平看齐我们也开展了4英寸InP单晶生长的研究.为进行更好的晶体生长工作得到优质的大尺寸InP单晶,对关系实验成败最关键因素的热场设计进行了专题实验研究.晶体直径一旦加大极易在晶体生长过程中出现孪晶,而且随着晶体直径的加大,位错密度也呈指数倍增加.所以为提高晶体质量,提高晶体成晶率,主要克服的是孪晶的出现和降低位错密度.通过对原有热场和生长工艺参数的改进,并探讨了避免大直径单晶生长易生成孪晶的机理,提出了避免<100>晶向晶体生长时孪晶出现的模型.通过多次试验,终于成功地在内径为129mm的坩埚中生长出100-104mm(4英寸)<111>、<100>晶向、整锭InP单晶.继而在内径为150mm的坩埚中重复生长出105-114mm大直径、低位错密度、无孪晶(少孪晶)的优质<100>晶向、整锭InP单晶材料.本工作的开展使我们在美、日后不久成为世界上第三个掌握4英寸InP单晶生长技术的国家,使我们单晶生长工艺达到了世界领先水平.我们有信心在不久的将来将4英寸高质量InP单晶成熟化,争取在未来的国际市场占有一席之地.

关键词：半导体材料单晶生长磷化铟单晶

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