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航天微电子器件辐射效应研究
航天微电子器件辐射效应研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王长河 信息产业部电子十三所(河北石家庄)
本文主要论述空间自然辐射环境与人为辐射环境对航天器中微电子器件的影响.分析了几种典型器件的辐射效应及损伤机理,提出提高微电子器件抗辐射加固的相应途径.
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Ku波段功率放大器的研制
Ku波段功率放大器的研制
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 钱峰 蒋幼泉 叶育红 徐波 南京电子器件研究所
Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.
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φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备
φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 牛沈军 兰天平 丰梅霞 李文江 信息产业部电子第四十六研究所
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.
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在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 邱凯 谢自力 尹志军 张晓娟 陈建炉 南京电子器件研究所
利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.
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半导体材料晶体的等效微重力生长
半导体材料晶体的等效微重力生长
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 徐岳生 刘彩池 王海云 唐蕾 河北工业大学信息功能材料研究所(天津市)
本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.
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强限制多模干涉耦合器的设计
强限制多模干涉耦合器的设计
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王小龙 余金中 中科院半导体研究所(北京)
本文设计了一阵新型的多模干涉(MMI)耦合器,通过减小多模波导区衬底折射率,加强了对光场的限制,以激发更多的导模来提高映像质量.我们采用二维有限差分波束传播方法(2-D FDBPM)模拟了这种新型的结构,结果表明映像质量比传统结构有明显提高.
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芯片倒装技术
芯片倒装技术
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王静辉 卜瑞艳 张务永 李绍武 信息产业部电子十三研究所 香港兴华半导体工业有限公司
电子产品的小型、轻量、多功能、智能化的要求,同时也对集成电路的封装提出了更高的要求.本文主要叙述了芯片的倒装技术的工艺流程,工艺难点,倒装技术的最新发展,芯片倒装中粘合剂添加工艺的影响因素.
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多端口开关射频自动测试系统
多端口开关射频自动测试系统
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 洪倩 陈新宇 吴振海 李拂晓 邵凯 杨乃彬 南京电子器件研究所
针对移动通讯用GaAs开关集成电路,采用Agilent-VEE软件,建立多端口GaAs开关电路的RF参数自动测试系统,完成器件的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs器件批量生产的需求.
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LMX2325在并行口控制频率合成器电路中的应用
LMX2325在并行口控制频率合成器电路中的应用
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 郭彬 赵瑞华 张越成 周凤宇 河北半导体研究所(河北石家庄)
本文简述了用National Semiconductor公司的串行口控制锁相环电路LMX2325和PHILIPS公司的多功能单片机87LPC76设计并行口控制频率综合器的方法.实验结果验证了该方法的正确性.
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异质外延用高质量蓝宝石单晶衬底片研制
异质外延用高质量蓝宝石单晶衬底片研制
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 步云英 谢礼丽 于秉华 王皎瑜 苗福贺 皮宝林 天津半导体技术研究所
本文通过实验,对影响蓝宝石单晶衬底片的质量参数进行了进一步的研究,对单晶控制,切割技术,研磨工艺和抛光工艺进行改进,以期取得更好实用效果.
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