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  • 7 篇 余金中
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InP基上InAs纳米结构构型的研究
InP基上InAs纳米结构构型的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵凤瑷 徐波 金鹏 王占国 中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.
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应变SiGe沟道PMOSFET开关特性研究
应变SiGe沟道PMOSFET开关特性研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 杨荣 罗晋生 中国科学院微电子中心一室(北京) 西安交通大学微电子学研究所(西安)
以Medici程序模拟为途径,研究了有效沟长为0.5μm的典型SiGe沟道PMOSFET器件开关特性,分析了开关时间随器件垂直层结构和参数的变化规律,通过同Si PMOSFET器件开关时间的对比,表明了SiGe PMOSFET相对优良的开关性能.
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用MOCVD外延P-InP的掺杂特性
用MOCVD外延P-InP的掺杂特性
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 于丽娟 杨辉 芦秀玲 金潮渊 中国科学院半导体研究所
本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP的掺杂浓度与退火环境的关系,结果显示,在不同的退火环境(AsH/H和PH/H)下,所得到的浓度相差一个数量积.
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X波段6W HFET
X波段6W HFET
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 邱旭 杨梦丽 黄礼蓥 信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)
该论文中介绍了X波段大功率HFET的设计、制作和性能,包括电路的CAD优化设计,GaAs HFET工艺技术研究,功率合成技术研究等.经测试该器件性能在8.8~9.5GHz,输出功率大于6W,增益大于8dB.
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GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 黄文奎 夏冠群 周萍 李志怀 中国科学院上海信息技术与微系统研究所(上海)
暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对于GaInAsSb红外探测器的暗电流特性的改善和动态电阻的提高.
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中红外量子级联激光器中光栅的设计与制备
中红外量子级联激光器中光栅的设计与制备
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 徐刚毅 张雄 李爱珍 信息功能材料国家重点实验室 中科院微系统与信息技术研究所(上海)
本文针对InP基InGaAs/InAlAs量子级联激光器的有源层和波导结构,计算了不同激光波长所对应的分布反馈光栅的周期,并且计算了光栅的不同结构参数对光栅耦合作用的影响.
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Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究
Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 林耀望 潘钟 吴荣汉 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量的GaNAs和GaInNAs量子阱结构材料和器件的研究结果.
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GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的零场自旋分裂
GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的零场自旋分裂
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 李灵霄 林兰英 中国科学院半导体所新材料部(北京)
采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象.
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多模干涉耦合器光开关的设计考虑
多模干涉耦合器光开关的设计考虑
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈少武 余金中 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室(北京)
以多模干涉(MMI)耦合器为核心器件的硅基光开关是一种新颖的光开关结构,具有制作容差大,偏振不敏感,与标准CMOS工艺兼容等优点.为了使器件性能得到优化,必需充分考虑开关的结构设计,改善器件插入损耗,消光比,功耗和可集成性,同时应保证... 详细信息
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量子级联激光器的材料生长与器件制作
量子级联激光器的材料生长与器件制作
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 常秀兰 李成明 刘峰奇 王占国 中国科学院半导体研究所材料开放实验室(北京市)
本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm,峰值输出功率是~7.2mW.
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