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准连续140w半导体激光器线阵列
准连续140w半导体激光器线阵列
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 安振峰 刘英斌 王晓燕 李学颜
采用MOCVD折射率渐变量子阱外延材料,外延层挖槽隔离和铬金金属化工艺,腔面镀以增透和高反膜,研制出了1cm长线阵列,在准连续(QCW)条件下输出功率达140W,近场图形完好,远场图分布对称,在100W输出功率下可以实用.
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多层强耦合量子点的研究现状
多层强耦合量子点的研究现状
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 朱天伟 徐波 何军 谢二庆 王占国 中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州)
本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
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电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 罗四维 王维军 江泽流 刘玉贵 河北半导体研究所(河北石家庄)
介绍用光学设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,而用高分辨率的电子束设备制作线宽不大于0.5um、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.
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自对准InGaP/GaAs HBT器件
自对准InGaP/GaAs HBT器件
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孙海锋 和致经 王延锋 刘新宇 郑丽萍 吴德馨 中科院微电子中心
利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V.
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GaAs基谐振腔增强型(RCE)发射器和接收器
GaAs基谐振腔增强型(RCE)发射器和接收器
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 吴荣汉 杨晓红 梁琨 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文报导了GaAs基近红外RCE型发射器和接收器的实验结果,并对用相同生长结构的芯片制作发射器和接收器的可行性、兼容性及其优化进行了物理分析.
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光纤极化及其应用于光开关方面的研究
光纤极化及其应用于光开关方面的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 崔晓明 王爱民 徐万劲 北京大学物理学院(北京)
研究了石英玻璃体材料极化的机理,对光纤进行了极化,分析了极化区内离子层的分布,探讨了极化过程,利用模拟方法得出的理论Maker条纹结果与实验值基本吻合.并进一步成功演示了全光纤的极化光开关器件的光开关功能.
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难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘文超 夏冠群 周健 李冰寒 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
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SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究
SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 朱朝嵩 张有涛 夏冠群 惠峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院半导体所(北京)
本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的均匀性,可以反映整个圆片的阈值电压均匀性.PL mapping测试技术是GaAs数字电路研究、生产的有效测试手段.
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多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 何军 徐波 朱天伟 曲胜春 刘峰奇 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)
对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子点发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝低能方向移动,这说明在制备多层耦合1.3μm量子点的时候我们必须考虑GaAs间隔层的厚度.
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C-GaN/GaAs(001)晶格常数测量的新方法
C-GaN/GaAs(001)晶格常数测量的新方法
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王玉田 郑新和 杨辉 梁骏吾 中科院半导体研究所 集成光电子学国家联合重点实验室(北京)
本文提出一种用X射线三轴晶衍射测量C-GaN晶格常数的新方法.实验测定完全弛豫的C-GaN的晶格常数为4.5036±0.0004A,这非常接近理想晶体的计算值.双晶X射线衍射的零点误差为0.004°,在测量精度之内.
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