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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

105 篇 会议

馆藏范围

105 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

101 篇 工学
- 92 篇 电子科学与技术（可...
- 69 篇 材料科学与工程（可...
- 20 篇 光学工程
- 9 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 航空宇航科学与技...
7 篇 理学
- 7 篇 物理学

主题

35 篇 半导体材料
16 篇 砷化镓
14 篇 氮化镓
11 篇 分子束外延
10 篇 外延生长
8 篇 半导体器件
6 篇 量子点
5 篇 磷化铟
4 篇 欧姆接触
4 篇 单晶生长
4 篇 制作工艺
4 篇 化学气相淀积
4 篇 结构设计
3 篇 二维电子气
3 篇 微波器件
3 篇 光荧光谱
3 篇 器件制作
3 篇 量子级联激光器
3 篇 光电探测器
3 篇 集成电路

机构

8 篇 中国科学院半导体...
6 篇 南京电子器件研究...
6 篇 信息产业部电子第...
5 篇 中科院微电子中心
5 篇 中国科学院半导体...
4 篇 中国科学院上海微...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中科院半导体研究...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 河北工业大学
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 河北半导体研究所
3 篇 北京工业大学
2 篇 信息产业部电子第...
2 篇 信息功能材料国家...
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 天津大学
2 篇 信息产业部1413所
2 篇 中国科学院半导体...

作者

12 篇 曾一平
10 篇 王占国
9 篇 李晋闽
9 篇 林兰英
7 篇 杨辉
7 篇 余金中
7 篇 徐波
6 篇 金鹏
6 篇 孙殿照
5 篇 王晓亮
5 篇 刘峰奇
4 篇 曲胜春
4 篇 王启明
4 篇 李爱珍
4 篇 夏冠群
4 篇 梁骏吾
4 篇 李成明
4 篇 胡国新
4 篇 刘宏新
4 篇 冯淦

语言

105 篇 中文

检索条件"任意字段=第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

共 105 条记录，以下是41-50 订阅

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排序：

Ga(As)Sb/GaAs量子阱量子点光学特性的研究

Ga(As)Sb/GaAs量子阱量子点光学特性的研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：罗向东徐仲英王文新王玉琦葛惟琨中科院半导体研究所超晶格重点实验室(北京) 香港科技大学物理系

本文用稳态和瞬态光谱研究了Ga(As)Sb/GaAs量子阱的能带结构及其相应的发光性质,并报道GaSb/GaAs量子点的自组织生长过程和退火特性.

关键词： Ga(As)Sb/GaAs量子阱量子点光学特性

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IC生产成本管理和成品率

IC生产成本管理和成品率

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李绍武王静辉香港兴华半导体工业有限公司信息产业部电子十三研究所

本文利用成本管理理论研究和分析了IC生产的成本因素.成本函数.固定成本管理.成品率管理.及以成本为量化的盈亏平衡点分析等.并给出了IC制造企业成本管理的必要性和应采取的有效措施和方法.

关键词：成本管理成本函数成品率集成电路

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InP基PHEMT器件研制

InP基PHEMT器件研制

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李岚丁奎章王同祥刘玉贵信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)

采用InP基的PHEMT材料,对现有的GaAs工艺进行调整,进行毫米波器件的研制.通过采用台面隔离、快速合金欧姆接触、介质填充及电子束直写制作亚微米栅等先进工艺技术,研制出f达270GHz,f约120GHz的毫米波器件.器件的栅长0.15μm,栅宽为70μm... 详细信息

采用InP基的PHEMT材料,对现有的GaAs工艺进行调整,进行毫米波器件的研制.通过采用台面隔离、快速合金欧姆接触、介质填充及电子束直写制作亚微米栅等先进工艺技术,研制出f<,max>达270GHz,f<,T>约120GHz的毫米波器件.器件的栅长0.15μm,栅宽为70μm,源漏间距2.4μm.

关键词：毫米波器件磷化铟器件制造台面隔离欧姆接触

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GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于广辉千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.

关键词：低温缓冲层半导体材料氮化镓化学气相淀积外延生长

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宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚南矿军何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.

关键词：半导体激光器脉冲测量热阻测量

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<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究

<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李冰寒夏冠群周健刘文超中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与Si注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与Si注入的剂量和能量无关,比接触电阻均在3×10Ω·cm... 详细信息

本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与<'29>Si<'+>注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与<'29>Si<'+>注入的剂量和能量无关,比接触电阻均在3×10<'-7>Ω·cm<'2>左右.

关键词：欧姆接触离子注入快速合金化 AuGeNi/Au 半导体器件砷化镓

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提高光刻分辨率的光刻技术

提高光刻分辨率的光刻技术

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：冯伯儒张锦四川大学物理系(中国成都) 宗德蓉蒋世磊苏平中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(中国成都) 四川大学物理系(中国成都)

本文简要论述提高光刻分辨率的几种所谓增强光刻技术,如相移掩模技术,离轴照明和光学邻近效应校正的基本原理和相关技术.

关键词：光刻技术增强光刻半导体器件光刻分辨率

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