检索结果-内蒙古大学图书馆

人们对宽带通讯的前所未有的要求给通讯带来了无限的机会和挑战.由于光纤所具有的巨大的带宽使全光通讯一直成为人们研究的热点.作为一种新兴的可以方便的提高系统的传输容量、具有巨大的扩容潜力的通讯技术,密集波分复用(DWDM)就是为了满足这种对带宽的需求而应运而生.本文概述了全光网中的一些关键器件一些最新的进展.

关键词：全光网络光电子器件宽带通信密集波分复用光纤传输

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宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚南矿军何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.

关键词：半导体激光器脉冲测量热阻测量

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移动通信用GaAs MMIC压控衰减器

移动通信用GaAs MMIC压控衰减器

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉邵凯杨乃彬南京电子器件研究所

采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大衰减量35dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs压控衰减器采用3英寸GaAs圆片标准工艺加工,具有批量生产能力.

关键词：砷化镓压控衰减器集成电路移动通信

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GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究

GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李光平汝琼娜李静何秀坤董彦辉陈祖祥信息产业部电子第四十六研究所(天津) 美国安格盛光电科技公司北京代表处(北京)

本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的材料时,除了常规参外,PL Map... 详细信息

本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的材料时,除了常规参外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数.

关键词：光荧光谱砷化镓氮化镓表征技术半导体材料材料质量

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Si(111)衬底GaN材料生长

Si(111)衬底GaN材料生长

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议