咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 105 篇 会议

馆藏范围

  • 105 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 101 篇 工学
    • 92 篇 电子科学与技术(可...
    • 69 篇 材料科学与工程(可...
    • 20 篇 光学工程
    • 9 篇 仪器科学与技术
    • 1 篇 计算机科学与技术...
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
  • 7 篇 理学
    • 7 篇 物理学

主题

  • 35 篇 半导体材料
  • 16 篇 砷化镓
  • 14 篇 氮化镓
  • 11 篇 分子束外延
  • 10 篇 外延生长
  • 8 篇 半导体器件
  • 6 篇 量子点
  • 5 篇 磷化铟
  • 4 篇 欧姆接触
  • 4 篇 单晶生长
  • 4 篇 制作工艺
  • 4 篇 化学气相淀积
  • 4 篇 结构设计
  • 3 篇 二维电子气
  • 3 篇 微波器件
  • 3 篇 光荧光谱
  • 3 篇 器件制作
  • 3 篇 量子级联激光器
  • 3 篇 光电探测器
  • 3 篇 集成电路

机构

  • 8 篇 中国科学院半导体...
  • 6 篇 南京电子器件研究...
  • 6 篇 信息产业部电子第...
  • 5 篇 中科院微电子中心
  • 5 篇 中国科学院半导体...
  • 4 篇 中国科学院上海微...
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 中科院半导体研究...
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 河北工业大学
  • 3 篇 中国科学院上海微...
  • 3 篇 河北半导体研究所
  • 3 篇 北京工业大学
  • 2 篇 信息产业部电子第...
  • 2 篇 信息功能材料国家...
  • 2 篇 中国科学院半导体...
  • 2 篇 天津大学
  • 2 篇 信息产业部1413所
  • 2 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 12 篇 曾一平
  • 10 篇 王占国
  • 9 篇 李晋闽
  • 9 篇 林兰英
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 余金中
  • 7 篇 徐波
  • 6 篇 金鹏
  • 6 篇 孙殿照
  • 5 篇 王晓亮
  • 5 篇 刘峰奇
  • 4 篇 曲胜春
  • 4 篇 王启明
  • 4 篇 李爱珍
  • 4 篇 夏冠群
  • 4 篇 梁骏吾
  • 4 篇 李成明
  • 4 篇 胡国新
  • 4 篇 刘宏新
  • 4 篇 冯淦

语言

  • 105 篇 中文
检索条件"任意字段=第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"
105 条 记 录,以下是51-60 订阅
排序:
支撑光网络发展的光电器件研发现状与趋势
支撑光网络发展的光电子器件研发现状与趋势
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 王启明 中国科学院半导体研究所(北京) 集成光电子国家重点联合实验室
本文从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述了目前支撑光网络关键性光电器件的发展现状,指出光器件集成芯片,光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.
来源: 评论
半绝缘砷化镓晶体缺陷X射线透射形貌观察
半绝缘砷化镓晶体缺陷X射线透射形貌观察
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 徐岳生 王海云 唐蕾 刘彩池 郝景臣 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 信息产业部1413所(石家庄)
本文采用扫描X射线透射形貌技术(Lang法)研究了半绝缘砷化镓中的高密度位错的结构与分布,在没有特殊工艺措施的情况下,一般LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在着高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产-胞状结构.
来源: 评论
应变自组装InAs/GaAs量子点材料器件的发光特性研究
应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件的发光特性研究
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔面未镀膜激光二极管室温下最大光功率输出2.74W.
来源: 评论
DWDM全光网中的光电器件
DWDM全光网中的光电子器件
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 余金中 魏红振 王启明 中国科学院半导体研究所(北京)
人们对宽带通讯的前所未有的要求给通讯带来了无限的机会和挑战.由于光纤所具有的巨大的带宽使全光通讯一直成为人们研究的热点.作为一种新兴的可以方便的提高系统的传输容量、具有巨大的扩容潜力的通讯技术,密集波分复用(DWDM)就是为... 详细信息
来源: 评论
宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张永刚 南矿军 何友军 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.
来源: 评论
移动通信用GaAs MMIC压控衰减器
移动通信用GaAs MMIC压控衰减器
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈新宇 陈辰 陈继义 李拂晓 蒋幼泉 邵凯 杨乃彬 南京电子器件研究所
采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大衰减量35dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs压控衰减器采用3英寸GaAs圆片标准工艺加工,具有批量生产能力.
来源: 评论
GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究
GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 李光平 汝琼娜 李静 何秀坤 董彦辉 陈祖祥 信息产业部电子第四十六研究所(天津) 美国安格盛光电科技公司北京代表处(北京)
本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的材料时,除了常规参外,PL Map... 详细信息
来源: 评论
Si(111)衬底GaN材料生长
Si(111)衬底GaN材料生长
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张宝顺 陈俊 沈晓明 冯淦 朱建军 刘素英 史永生 赵德刚 杨辉 梁骏吾 中科院半导体所 集成光电子国家重点实验室(北京)
采用LP-MOCVD技术在Si(111)上生长六方GaN.有别于传统的二步法,采用高温AlN缓冲层技术,抑制Si衬底与缓冲层之间界面SiN的形成,从而得到高质量GaN外延层,其X光双晶衍射ω扫描峰值半高宽为612sec;光致发光谱峰值半高宽为4.2nm(300K).
来源: 评论
谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 杨晓红 张瑞康 梁琨 杜云 吴荣汉 中国科学院半导体研究所 集成光电国家重点实验室 北京邮电大学
本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变化进行了详细模拟分析.
来源: 评论
等离子色散效应在硅导波光学中的应用
等离子色散效应在硅导波光学中的应用
收藏 引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 严清峰 余金中 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
硅的等离子色散效应反映了硅的折射率及吸收系数随硅中自由载流子(包括自由电子和自由空穴)浓度的变化.本文介绍了硅的等离子色散效应在硅导波光学中的应用.利用硅的等离子色散效应,可以制作重掺杂硅光波导、硅基电光调制器及电光开关.... 详细信息
来源: 评论