咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 105 篇 会议

馆藏范围

  • 105 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 101 篇 工学
    • 92 篇 电子科学与技术（可...
    • 69 篇 材料科学与工程（可...
    • 20 篇 光学工程
    • 9 篇 仪器科学与技术
    • 1 篇 计算机科学与技术...
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
  • 7 篇 理学
    • 7 篇 物理学

主题

  • 35 篇 半导体材料
  • 16 篇 砷化镓
  • 14 篇 氮化镓
  • 11 篇 分子束外延
  • 10 篇 外延生长
  • 8 篇 半导体器件
  • 6 篇 量子点
  • 5 篇 磷化铟
  • 4 篇 欧姆接触
  • 4 篇 单晶生长
  • 4 篇 制作工艺
  • 4 篇 化学气相淀积
  • 4 篇 结构设计
  • 3 篇 二维电子气
  • 3 篇 微波器件
  • 3 篇 光荧光谱
  • 3 篇 器件制作
  • 3 篇 量子级联激光器
  • 3 篇 光电探测器
  • 3 篇 集成电路

机构

  • 8 篇 中国科学院半导体...
  • 6 篇 南京电子器件研究...
  • 6 篇 信息产业部电子第...
  • 5 篇 中科院微电子中心
  • 5 篇 中国科学院半导体...
  • 4 篇 中国科学院上海微...
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 中科院半导体研究...
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 3 篇 河北工业大学
  • 3 篇 中国科学院上海微...
  • 3 篇 河北半导体研究所
  • 3 篇 北京工业大学
  • 2 篇 信息产业部电子第...
  • 2 篇 信息功能材料国家...
  • 2 篇 中国科学院半导体...
  • 2 篇 天津大学
  • 2 篇 信息产业部1413所
  • 2 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 12 篇 曾一平
  • 10 篇 王占国
  • 9 篇 李晋闽
  • 9 篇 林兰英
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 余金中
  • 7 篇 徐波
  • 6 篇 金鹏
  • 6 篇 孙殿照
  • 5 篇 王晓亮
  • 5 篇 刘峰奇
  • 4 篇 曲胜春
  • 4 篇 王启明
  • 4 篇 李爱珍
  • 4 篇 夏冠群
  • 4 篇 梁骏吾
  • 4 篇 李成明
  • 4 篇 胡国新
  • 4 篇 刘宏新
  • 4 篇 冯淦

语言

  • 105 篇 中文
检索条件"任意字段=第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"
共 105 条 记 录，以下是61-70 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
一种新型SOI MMI-MZI光开关结构
一种新型SOI MMI-MZI光开关结构
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 夏金松 余金中 集成光电子国家重点联合实验室 中国科学院半导体研究所(北京)
提出了一种与传统SOI(silicon on insulator)MMI-MZI光开关结构完全不同的新型结构——完全基于封闭多模波导的MMI-MZI光开关.这种新型结构放弃了传统MZI开关器件中单模传输的要求,采用多模传输,解决了传统脊形单模波导带来的很多设计... 详细信息
来源： 评论
Si(111)衬底GaN材料生长
Si(111)衬底GaN材料生长
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张宝顺 陈俊 沈晓明 冯淦 朱建军 刘素英 史永生 赵德刚 杨辉 梁骏吾 中科院半导体所 集成光电子国家重点实验室(北京)
采用LP-MOCVD技术在Si(111)上生长六方GaN.有别于传统的二步法,采用高温AlN缓冲层技术,抑制Si衬底与缓冲层之间界面SiN的形成,从而得到高质量GaN外延层,其X光双晶衍射ω扫描峰值半高宽为612sec;光致发光谱峰值半高宽为4.2nm(300K).
来源： 评论
等离子色散效应在硅导波光学中的应用
等离子色散效应在硅导波光学中的应用
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 严清峰 余金中 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
硅的等离子色散效应反映了硅的折射率及吸收系数随硅中自由载流子(包括自由电子和自由空穴)浓度的变化.本文介绍了硅的等离子色散效应在硅导波光学中的应用.利用硅的等离子色散效应,可以制作重掺杂硅光波导、硅基电光调制器及电光开关.... 详细信息
来源： 评论
谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 杨晓红 张瑞康 梁琨 杜云 吴荣汉 中国科学院半导体研究所 集成光电国家重点实验室 北京邮电大学
本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变化进行了详细模拟分析.
来源： 评论
0.1μmHFET小信号等效电路模型参数的提取
0.1μmHFET小信号等效电路模型参数的提取
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 袁志鹏 高建军 吴德馨 中科院微电子中心(北京)
本文给出了一种适合0.1μmHFET器件的小信号等效电路模型参数提取方法.这种方法根据材料性能和物理结构参数近似计算HFET小信号等效电路模型参数,并以此为初值利用模拟退火算法提取HFET小信号等效电路模型参数.这种方法得到的小信号等... 详细信息
来源： 评论
InP基HEMT的注入隔离
InP基HEMT的注入隔离
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张绵 李岚 张海明 文锦章 信息产业部电子第十三研究所(河北省石家庄)
"电学隔离"是器件和单片制备的关键工序之一,由于InGaAs/InAlAs异质结固有的材料结构和材料特性使器件的隔离具有特异性.本文对B和Ar离子注入InGaAs/InAlAs异质结器件的隔离进行了实验研究.初步的实验结果表明,采用Ar作为注... 详细信息
来源： 评论
1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 吴惠桢 雷华平 陈意桥 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)
论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.
来源： 评论
多量子阱激光器和调制器有源区对接外延生长的研究
多量子阱激光器和调制器有源区对接外延生长的研究
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 胡小华 朱洪亮 王圩 王宝军 中国科学院半导体研究所 光电子国家工艺中心(北京)
本文提出了一种改善集成器件中各部分之间耦合效率的新结构,通过SEM照片观察多种情况下的外延形貌,研究了不同的刻蚀方法和工艺步骤对对接外延质量的影响.实验结果表明,采用非选择生长同时外延激光器和调制器上波导层以及两者之间的对... 详细信息
来源： 评论
横向外延GaN的结构特征
横向外延GaN的结构特征
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 冯淦 朱建军 赵德刚 杨辉 梁骏吾 吴巨 中科院半导体研究所 集成光电子学国家联合重点实验室(北京) 中科院半导体研究所 材料开放实验室(北京)
运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,位错排列的方向由窗... 详细信息
来源： 评论
GaN刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留研究
GaN刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留研究
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 魏珂 刘训春 王润梅 罗明雄 曹振亚 牛立华 肖冬萍 中科院微电子中心(北京)
近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常... 详细信息
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共11页 <<  < 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >  >>
回到顶部
执行限定条件