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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

105 篇 会议

馆藏范围

105 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

101 篇 工学
- 92 篇 电子科学与技术（可...
- 69 篇 材料科学与工程（可...
- 20 篇 光学工程
- 9 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 航空宇航科学与技...
7 篇 理学
- 7 篇 物理学

主题

35 篇 半导体材料
16 篇 砷化镓
14 篇 氮化镓
11 篇 分子束外延
10 篇 外延生长
8 篇 半导体器件
6 篇 量子点
5 篇 磷化铟
4 篇 欧姆接触
4 篇 单晶生长
4 篇 制作工艺
4 篇 化学气相淀积
4 篇 结构设计
3 篇 二维电子气
3 篇 微波器件
3 篇 光荧光谱
3 篇 器件制作
3 篇 量子级联激光器
3 篇 光电探测器
3 篇 集成电路

机构

8 篇 中国科学院半导体...
6 篇 南京电子器件研究...
6 篇 信息产业部电子第...
5 篇 中科院微电子中心
5 篇 中国科学院半导体...
4 篇 中国科学院上海微...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中科院半导体研究...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 河北工业大学
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 河北半导体研究所
3 篇 北京工业大学
2 篇 信息产业部电子第...
2 篇 信息功能材料国家...
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 天津大学
2 篇 信息产业部1413所
2 篇 中国科学院半导体...

作者

12 篇 曾一平
10 篇 王占国
9 篇 李晋闽
9 篇 林兰英
7 篇 杨辉
7 篇 余金中
7 篇 徐波
6 篇 金鹏
6 篇 孙殿照
5 篇 王晓亮
5 篇 刘峰奇
4 篇 曲胜春
4 篇 王启明
4 篇 李爱珍
4 篇 夏冠群
4 篇 梁骏吾
4 篇 李成明
4 篇 胡国新
4 篇 刘宏新
4 篇 冯淦

语言

105 篇 中文

检索条件"任意字段=第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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详细简洁

排序：

SPACER层中的δ掺杂对RTD性能的影响

SPACER层中的δ掺杂对RTD性能的影响

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张晓昕曾一平王保强朱占平中国科学院半导体所(北京)

在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高RTD的峰谷比,降低谷值电流密度,从... 详细信息

在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm<'2>性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高RTD的峰谷比,降低谷值电流密度,从而提高了RTD的整体性能.这可能是因为增加δ掺杂浓度后,增加了势垒前的势阱的深度,使得由热电子激发越过势垒的几率减小的缘故.我们的这项工作为以后RTD与其他器件的集成作好了准备,并为集成器件以后的应用打好了基础.

关键词： RTD δ掺杂峰谷比 SPACER层谷值电流密度半导体材料

来源：评论

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侧向外延法降低立方相GaN中的层错密度

侧向外延法降低立方相GaN中的层错密度

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10cm降低至生长后的6×10cm.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后... 详细信息

本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10<'9>cm<'-2>降低至生长后的6×10<'8>cm<'-2>.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射rocking curve的半高宽(FWHM)分别为33arcmin和17.8arcmin,表明晶体质量有了很大改善.文中对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.

关键词：侧向外延半导体材料氮化镓外延生长位错密度

来源：评论

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GaAs微波大功率内匹配晶体管研究

GaAs微波大功率内匹配晶体管研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王同祥李岚李增路关富民宋俊奎信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)

本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm、20mm)的芯片,经内匹配,合成器件在C波段3.7-4.2GHz,P≥30W,G≥10Db,5.2-5.8GHz,P≥28-30W,G≥8dB,X波段... 详细信息

本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm、20mm)的芯片,经内匹配,合成器件在C波段3.7-4.2GHz,P<,-Idb>≥30W,G<,p>≥10Db,5.2-5.8GHz,P<,-Idb>≥28-30W,G<,p>≥8dB,X波段8.6-9.6GHz,输出功率20瓦;Ku波段,带宽500MHz,输出功率16瓦.

关键词： MESFET 砷化镓晶体管工作原理结构设计

来源：评论

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在蓝宝石上MBE GaN外延膜的高温电导分析

在蓝宝石上MBE GaN外延膜的高温电导分析

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙殿照胡国新王万年王军喜王晓亮曾一平李晋闽林兰英中科院半导体所材料中心(北京)

用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温度的霍耳测试.分析了自由电子浓度及其迁移率在高温随温度的变化,在此分析的基础上对高温变温电阻率实验... 详细信息

用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温度的霍耳测试.分析了自由电子浓度及其迁移率在高温随温度的变化,在此分析的基础上对高温变温电阻率实验数据做了曲线拟合,得到有关外延膜重要参数,由此估计的穿透位错密度、深能级的激活能和浓度分别为(6-16)×10<'9>cm<'-2>、0.58eV和(2-7)×10<'18>cm<'-3>.

关键词：分子束外延氮化镓电导率深能级穿透位错半导体材料电导分析

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Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长

Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽孙殿照曾一平林兰英中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延... 详细信息

通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们得到的无裂纹GaN外延层的双晶回摆曲线半峰宽为16.55弧分(993arcsec).

关键词：分子束外延氮化镓半导体材料外延生长质量评价表面裂纹

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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：金鹏曲胜春王占国张存洲潘士宏中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 南开大学物理科学学院(天津)

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量... 详细信息

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In<,0.758>Ga<,0.242>As<,0.83>P<,0.17>与In<,0.758>Ga<,0.242>As<,0.525>P<,0.475>四元合金应变界面重空穴的导带边带阶.

关键词：量子阱激光器调制光谱跃迁能量能级

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(100)磷化铟单晶生长及其性质的研究

(100)磷化铟单晶生长及其性质的研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群董志远曹慧梅吕旭如曾一平李晋闽林兰英中国科学院半导体研究所材料科学中心(北京市)

通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶... 详细信息

通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶生长的现象与Hurle关于孪晶形成机理的理论研究结果一致.

关键词：单晶生长孪晶半导体材料磷化铟单晶

来源：评论

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MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孔梅影曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所(北京)

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超... 详细信息

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峯蓝移,而PL峯红移和半峯宽变窄.用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予了解释.

关键词：分子束外延光吸收 InGaAs/GaAs量子点超晶格结构

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负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式

负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模... 详细信息

理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模式和频率.电流自振荡频率在太赫兹(THz,1THz=10<'12>Hz)范围.负有效质量p+pp+二极管可望作为可调频的THz振荡源.

关键词：亚毫米波振荡器电流振荡模式振荡频率掺杂浓度

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新的GaAs多晶料合成工艺

新的GaAs多晶料合成工艺

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：高瑞良齐德格周春锋天津电子材料研究所(天津市)

在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用BO,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压或中压单晶炉进行拉晶的二步拉晶工艺... 详细信息

在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压或中压单晶炉进行拉晶的二步拉晶工艺进行了对比.对有砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺与无砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺进行了对比,说明了预先合成GaAs多晶料的必要性.

关键词：热解氮化硼半导体材料砷化镓单晶生长合成工艺

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