检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

105 篇 会议

馆藏范围

105 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

101 篇 工学
- 92 篇 电子科学与技术（可...
- 69 篇 材料科学与工程（可...
- 20 篇 光学工程
- 9 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 航空宇航科学与技...
7 篇 理学
- 7 篇 物理学

主题

35 篇 半导体材料
16 篇 砷化镓
14 篇 氮化镓
11 篇 分子束外延
10 篇 外延生长
8 篇 半导体器件
6 篇 量子点
5 篇 磷化铟
4 篇 欧姆接触
4 篇 单晶生长
4 篇 制作工艺
4 篇 化学气相淀积
4 篇 结构设计
3 篇 二维电子气
3 篇 微波器件
3 篇 光荧光谱
3 篇 器件制作
3 篇 量子级联激光器
3 篇 光电探测器
3 篇 集成电路

机构

8 篇 中国科学院半导体...
6 篇 南京电子器件研究...
6 篇 信息产业部电子第...
5 篇 中科院微电子中心
5 篇 中国科学院半导体...
4 篇 中国科学院上海微...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中科院半导体研究...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 河北工业大学
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 河北半导体研究所
3 篇 北京工业大学
2 篇 信息产业部电子第...
2 篇 信息功能材料国家...
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 天津大学
2 篇 信息产业部1413所
2 篇 中国科学院半导体...

作者

12 篇 曾一平
10 篇 王占国
9 篇 李晋闽
9 篇 林兰英
7 篇 杨辉
7 篇 余金中
7 篇 徐波
6 篇 金鹏
6 篇 孙殿照
5 篇 王晓亮
5 篇 刘峰奇
4 篇 曲胜春
4 篇 王启明
4 篇 李爱珍
4 篇 夏冠群
4 篇 梁骏吾
4 篇 李成明
4 篇 胡国新
4 篇 刘宏新
4 篇 冯淦

语言

105 篇 中文

检索条件"任意字段=第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

共 105 条记录，以下是81-90 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制

SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：成步文左玉华毛容伟李传波黄昌俊张建国高俊华余金中王启明集成光电子学国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所

介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达到了设计要求.在3μm工艺条件下制作... 详细信息

介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达到了设计要求.在3μm工艺条件下制作出SiGe/Si HBT,室温电流增益达到350,截止频率为20GHz.

关键词： SiGe/Si SiGe/Si晶体管材料生长制作工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

具有p-i-n结构的GaN基紫外探测器

具有p-i-n结构的GaN基紫外探测器

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谢雪松吕长治张小玲李志国肖葳韩迎吕晓亮曾庆明北京工业大学电控学院可靠性物理研究室河北半导体研究所(石家庄市)

本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明... 详细信息

本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明电流为6.739nA,明暗电流之比为53.06.

关键词：紫外探测器氮化镓器件制备材料生成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器

λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭辉郭维廉郑云光郝禄国李树荣吴霞宛天津大学电信工程学院

采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW... 详细信息

采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm<'2>,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.

关键词： CMOS/SOI SiGe/Si 光电探测器结构设计器件制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张子旸金鹏曲胜春李成明孟宪权徐波叶晓玲王占国中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)

我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基... 详细信息

我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103meV的InAs量子点的发光特性.第一结果对实现高T<,0>的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.

关键词：量子点光致发光能级间距发光特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究

X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谢常青陈大鹏李兵孙加兴赵玲利胥兴才叶甜春中国科学院微电子中心(北京)

本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变的模拟... 详细信息

本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变的模拟与控制、高精度对准技术、深亚微米T型栅工艺等方面研究状况,最后对X射线光刻技术在国内的实用化研究进行了简要分析.

关键词： X射线光刻 X射线掩模掩模形变深亚微米T型栅光刻技术半导体器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无铬光刻掩模的简易制作方法

无铬光刻掩模的简易制作方法

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：侯德胜冯伯儒张锦中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(成都)

介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光刻胶直接制作光刻掩模.其制作方法是用普通匀胶机... 详细信息

介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光刻胶直接制作光刻掩模.其制作方法是用普通匀胶机将选用的光刻胶按一定厚度均匀涂敷在透明基片上,再经曝光、显影等工艺制成有图形的光刻掩模.采用这种方法实际制作了KrF准分子激光光刻用的光刻胶掩模,并用于缩小投影光刻实验,做出了实验结果.

关键词：光刻胶光刻掩模准分子激光光刻半导体器件制作工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高铝组分AlGaAs/AlAs型DBR的选择性氧化

高铝组分AlGaAs/AlAs型DBR的选择性氧化

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：康香宁叶晓军高俊华陈良惠中科院半导体所光电子国家工程中心(北京)

在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧化层和分布布拉格反射镜中的高铝组分层的氧化特性和掺杂对氧化速率的影响进行了详细研究,结合结构设计... 详细信息

在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧化层和分布布拉格反射镜中的高铝组分层的氧化特性和掺杂对氧化速率的影响进行了详细研究,结合结构设计优化了工艺条件,降低了氧化后电流注入区的电阻并得到了可精确控制氧化速率和氧化均匀性的工艺条件.

关键词：选择性湿氮氧化垂直腔面发射激光器布拉格反射器化学湿法腐蚀氧化速率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识...

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：卢励吾张砚华 J.Wang Weikun Ge 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室(北京) 香港科技大学物理系(香港九龙清水湾)

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors(HEMTs)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P-HEMTs)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10<'15>-10<'17>cm<'-3>)和俘获截面(10<'16>cm<'-2>)的近禁带中部电子陷阱.同时还观察到P-HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs/InGaAs/GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.

关键词：分子束外延生长半导体材料 AlGaAs 功能材料电子迁移率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

砷化镓微波单片电路技术在五十五所

砷化镓微波单片电路技术在五十五所

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨乃彬李拂晓张斌陈堂胜蒋幼泉沈亚高建峰彭龙新中国电子科技集团公司第五十五研究所(南京)

本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品已应用于各类军用... 详细信息

本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品已应用于各类军用及民用系统中;工艺线采用统计工艺控制(SPC)技术对关键工艺节点实时监控,提高了工艺的稳定性和成品率;在稳定的工艺基础上,初步建立了各类器件的模型库,为单片电路的精确设计打下了基础.

关键词：砷化镓单片电路微波单片集成电路工艺控制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触的研究

用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触的研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张小玲吕长志谢雪松李志国肖葳韩迎曹春海北京工业大学电子信息与控制工程学院南京固体器件研究所

在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以... 详细信息

在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以上.随着温度的升高,Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率略有增加,室温下的电阻率有待进一步的改进.

关键词：欧姆接触接触电阻率氮化镓薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共11页 << < 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：