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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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一种基于led发光的高精度显示模块

一种基于LED发光的高精度显示模块

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：万金平任强吴基林周力南昌欣磊光电科技股份有限公司

介绍了一种基于led发光材料的高精度显示模块及其制作方法。利用切割、隔离及粘合等技术将外延材料直接制作成可独立控制发光的led芯片矩阵模块。模块利用外延材料的n型层作为同行像素之间的负极连线,利用蒸镀在隔离层上的金属电路作为... 详细信息

介绍了一种基于led发光材料的高精度显示模块及其制作方法。利用切割、隔离及粘合等技术将外延材料直接制作成可独立控制发光的led芯片矩阵模块。模块利用外延材料的n型层作为同行像素之间的负极连线,利用蒸镀在隔离层上的金属电路作为同列像素之间的正极连线,整个显示矩阵和陶瓷基板成为一个整体。由于该led显示模块矩阵内部各像素单元无需额外的控制电路,可使点间距大大降低,极大地提高了像素密度,从而满足了高精度、高分辨率的显示要求。

关键词： led芯片高精度显示模块

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色坐标对白光led光通量影响的研究

色坐标对白光LED光通量影响的研究

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：郑远志肖志国武胜利陈向东大连路美芯片科技有限公司

以光度学为基础,利用测量和数学计算相结合的办法,研究了色坐标对光参数,特别是对光通量的影响。蓝光芯片加荧光粉,封装成白光后(0.33±0.05,0.33±0.05),其色坐标每增加0.1(y),而光通量大约提升1.6%,而最大光通量和最小光通量... 详细信息

以光度学为基础,利用测量和数学计算相结合的办法,研究了色坐标对光参数,特别是对光通量的影响。蓝光芯片加荧光粉,封装成白光后(0.33±0.05,0.33±0.05),其色坐标每增加0.1(y),而光通量大约提升1.6%,而最大光通量和最小光通量相差18%。

关键词：色坐标光通量荧光粉流明效率相关色温

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led光源的片状透镜设计方法

LED光源的片状透镜设计方法

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：周士康王鹰华程德诗上海三思科技发展有限公司

片状的菲涅尔(Fresnel)透镜具有厚度很薄的优点,在许多场合有不可替代的应用价值,但传统的设计方法多为近似法,而且不适用于led为光源的场合。新提出两种较精确的设计方法,即分角度法和分厚度法,其中分角度法较为简单,而分厚度法更为合... 详细信息

片状的菲涅尔(Fresnel)透镜具有厚度很薄的优点,在许多场合有不可替代的应用价值,但传统的设计方法多为近似法,而且不适用于led为光源的场合。新提出两种较精确的设计方法,即分角度法和分厚度法,其中分角度法较为简单,而分厚度法更为合理,原始透镜经由这两种方法转化为可用于led光源的截面为锯齿形的片状透镜(菲涅尔透镜)。相对于传统的设计方法,此方法更科学,具有更优越的光学质量,而且杂散光更少,还适应不同的使用条件和加工条件的需求。给出了设计原理、方法和设计结果,还分析了杂散光的形成。

关键词：透镜菲涅尔透镜光学设计 led

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CPK在led芯片制造过程中的应用

CPK在LED芯片制造过程中的应用

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：陈小华厦门三安光电科技有限公司

led芯片制造是一个新兴的行业,有着高新的技术和精密的生产设备。而SPC在国际高科技产业被视为必要的管理工具。因此在led芯片制造过程中导入CPK这一数据收集及分析监控方法,既有硬件的基础,又对led芯片产品质量和制造管理水平的提升有... 详细信息

led芯片制造是一个新兴的行业,有着高新的技术和精密的生产设备。而SPC在国际高科技产业被视为必要的管理工具。因此在led芯片制造过程中导入CPK这一数据收集及分析监控方法,既有硬件的基础,又对led芯片产品质量和制造管理水平的提升有着重要的意义。从CPK理论模型与应用实例两个方面来阐述如何在led芯片制造业中应用CPK这一工具。为了更好地应用CPK,首先对CPK的相关基础知识要有较深入的理解;其次,要选择合适的CPK监控点;再者,对CPK监控的方案进行合理的设计;最后,对监控发现的报警点要进行全面深入的分析,使其起到预防作用。

关键词：统计过程控制有偏移的稳定过程能力指数稳定过程控制图子组

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led外延片颗粒缺陷对led器件可靠性的影响

LED外延片颗粒缺陷对LED器件可靠性的影响

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：陈晓玲厦门三安光电科技有限公司

led在室内外显示屏、交通灯、灯饰尤其是照明市场的广泛应用,对led器件的可靠性提出了新的要求和挑战,主要表现为照明产品不能出现死灯、暗灯等一系列可靠性问题。将生长过程中产生颗粒缺陷外延片,制成芯片后封装成led灯进行了分析。首... 详细信息

led在室内外显示屏、交通灯、灯饰尤其是照明市场的广泛应用,对led器件的可靠性提出了新的要求和挑战,主要表现为照明产品不能出现死灯、暗灯等一系列可靠性问题。将生长过程中产生颗粒缺陷外延片,制成芯片后封装成led灯进行了分析。首先,借助高倍显微镜从缺陷的外观上分析不同大小、位置的颗粒缺陷;其次,将芯片通电测试寻找其在光电参数上的差别;最后,对封装的led灯,通过电老化测试分析颗粒缺陷芯片的质量隐患,最终得出缺陷颗粒无论大小都将影响其可靠性,减少外延片缺陷从根本上需提高led器件的可靠性。

关键词：外延片颗粒缺陷 led芯片光电参数可靠性

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一种新型结构的大功率led

一种新型结构的大功率LED

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：余彬海夏勋力刘锐钧李伟平佛山市国星光电股份有限公司

根据6070 led器件的结构特点,介绍了该器件的主要光电参数,描述了器件的热学模型、热阻的理论计算、仿真及测试结果。分析了器件配光函数、非球面包封光学结构设计、仿真方法及器件二次光学透镜的适配性。简单介绍了器件的可靠性试验内... 详细信息

根据6070 led器件的结构特点,介绍了该器件的主要光电参数,描述了器件的热学模型、热阻的理论计算、仿真及测试结果。分析了器件配光函数、非球面包封光学结构设计、仿真方法及器件二次光学透镜的适配性。简单介绍了器件的可靠性试验内容和方法,比较了6070led器件和国际主流同类产品的区别,实践结果表明6070 led的热阻、白光光通量、白光显色指数等主要光电性能参数均达到国际同类产品先进水平,可替代进口同类产品并广泛应用于半导体照明。

关键词：大功率led 6070 led 6070基板热沉热阻配光仿真流明维持率

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基于表面等离子体激元增强效应的高效白光led

基于表面等离子体激元增强效应的高效白光LED

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：许小亮徐鑫金西杨振声周向明中国科学技术大学物理系中国科学技术大学材料科学与工程系安徽格锐特光电科技有限公司

在概述了近几年来为提升led的发光效率所作的工作基础上,着重综述了基于表面等离子体激元(SP)增强效应的高效高亮度led的研究,包括SP增强效应的研究概况、它应用到具体led上所采取的技术方案及相应的提高led发光效率的提升效果,并结合... 详细信息

在概述了近几年来为提升led的发光效率所作的工作基础上,着重综述了基于表面等离子体激元(SP)增强效应的高效高亮度led的研究,包括SP增强效应的研究概况、它应用到具体led上所采取的技术方案及相应的提高led发光效率的提升效果,并结合本项目组已有结果,分析了用SP增强荧光粉发光效率之研究存在的问题及发展前景。

关键词：表面等离子体激元增强效应 led

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ICP刻蚀对GaN led性能损伤的研究

ICP刻蚀对GaN LED性能损伤的研究

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：魏权李建婷聂大伟西安中为光电科技有限公司

首先对各种干法刻蚀技术的原理和特点进行了总结和分析。在此基础上,针对目前作为GaN类材料主要刻蚀方法的ICP刻蚀从理论方面进行了详细的论述。ICP刻蚀对GaN基led的损伤主要由较高的刻蚀功率、偏压和等离子体密度等引起,这些损伤可导致... 详细信息

首先对各种干法刻蚀技术的原理和特点进行了总结和分析。在此基础上,针对目前作为GaN类材料主要刻蚀方法的ICP刻蚀从理论方面进行了详细的论述。ICP刻蚀对GaN基led的损伤主要由较高的刻蚀功率、偏压和等离子体密度等引起,这些损伤可导致led器件性能及可靠性的降低。通过分析损伤形成的机理,寻找出降低损伤的方式,可通过以下4种方式来降低损伤:合理调节刻蚀参数,在保证刻蚀速率的前提下,选择较低的功率、偏压和等离子体密度等;将经过刻蚀的材料在高温条件下退火;对等离子体刻蚀损伤的材料进行湿法刻蚀和在等离子体中处理来降低。

关键词：干法刻蚀 ICP GaN led 损伤

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N掺杂Ba2SiO4:Eu荧光粉发光性能的调控

N掺杂Ba2SiO4:Eu荧光粉发光性能的调控

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第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：谷鋆鑫李耀刚张青红王宏志东华大学材料科学与工程学院

随着固体照明的发展,不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH中制备了N掺杂BaSiO:Eu荧光粉,通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510 nm内的调控。XRD结果表明,氮化后的粉体依然保持了BaSiO的晶体结构。PL光谱表... 详细信息

随着固体照明的发展,不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH中制备了N掺杂BaSiO:Eu荧光粉,通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510 nm内的调控。XRD结果表明,氮化后的粉体依然保持了BaSiO的晶体结构。PL光谱表明,随着氮化时间的增加,N掺杂BaSiO:Eu荧光粉的发射波长从500 nm红移至510 nm,同时激发峰位也出现红移,激发光谱明显宽化,在UV-led芯片范围内（390～400 nm）激发强度明显提高,从而在配合UV-led芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

关键词：白光led 荧光粉固相反应 N掺杂发光性能

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Si衬底InGaN大功率led芯片制备

Si衬底InGaN大功率LED芯片制备

引用

第十二届全国led产业研讨与学术会议

作者：王立莫春兰熊传兵汤英文刘军林方文卿王小兰刘卫华周印华江风益南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心晶能光电(江西)有限公司

通过衬底图形化技术,在Si（111）衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的AlGaN/AlGaN多层缓冲技术,GaN/Si薄膜的位错密度可以低于5×10～8/cm。通过衬底转移成功制备了具有垂直薄膜结构的大功率led芯片。经测试,Si衬... 详细信息

通过衬底图形化技术,在Si（111）衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的AlGaN/AlGaN多层缓冲技术,GaN/Si薄膜的位错密度可以低于5×10～8/cm。通过衬底转移成功制备了具有垂直薄膜结构的大功率led芯片。经测试,Si衬底上制备的1 mm×1 mm大功率led芯片封装后,在350 mA下光输出功率达到480 mW,封成白光在350 mA下光通量达到116.7 lm。1 mm×1 mm裸芯片在900 mA下老化1 000 h,光衰小于5%。

关键词：发光二极管硅衬底氮化镓铟镓氮半导体照明

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