检索结果-内蒙古大学图书馆

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实验室承办。该会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议，会议将通过材料生长及表征、高频高功率电子器件、发光器件及光电探测器件、设备系统及应用四个专题全面展示化合物半导体，

关键词：化合物半导体材料学术会议光电器件微波器件国家重点实验室中国电子学会功率电子器件光电探测器件

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光控电吸收调制器逻辑门的研制

光控电吸收调制器逻辑门的研制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：廖栽宜赵玲娟潘教青周帆边静王圩中国科学院半导体材料重点实验室北京 100083

提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2.88GHz。

关键词：电吸收调制器单片集成光探测器化合物半导体光通信信息处理

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ZnO薄膜p型掺杂及ZnO-LED室温电致发光

ZnO薄膜p型掺杂及ZnO-LED室温电致发光

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：叶志镇潘新花浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与研究,目前已取得重大进展。主要表现在以下两个方面：发明了多... 详细信息

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与研究,目前已取得重大进展。主要表现在以下两个方面：发明了多种p型掺杂方法：在获得性能较好的p型ZnO薄膜的基础上,结合ZnO/ZnMgO多量子阱结构,研制ZnO-LED原型器件,在室温下实现了较好的近带边电致发光。

关键词：氧化锌薄膜 p型掺杂电致发光半导体材料光电器件量子阱

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一种应用于甚短距离光传输的高效编码

一种应用于甚短距离光传输的高效编码

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘博陈雄斌刘丰满杨宇陈弘达中国科学院半导体研究所光电研发中心北京 100083

本文通过对8b/10b编码协议的修改,构建了一种具有一定检错能力的直流平衡编码。并根据这种编码对VSR4-1.0建议进行改进,提出了一种更高效的甚短距离光传输方式。

关键词：直流平衡编码检错码甚短距离光传输编码协议

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砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室中国电子科技集团公司南京电子器件研究所

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波... 详细信息

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波半导体的主流技术。文章对南京电子器件研究所的相关研究工作作了介绍。

关键词：砷化镓氮化镓微波半导体毫米波功率放大器

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GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响

GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵妙刘新宇袁婷婷庞磊中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京 100029

基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN帽层同势垒层之间的极化作用,器件的有效肖特基势垒高度增加,... 详细信息

基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN帽层同势垒层之间的极化作用,器件的有效肖特基势垒高度增加,对应的开启电压变大。

关键词：二维电子气能带结构模拟 GaN帽层 AlGaN GaN HEMT 肖特基特性

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有机半导体材料薄膜特性及其在光电器件中的应用(邀请报告)

有机半导体材料薄膜特性及其在光电器件中的应用(邀请报告)

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邱勇有机光电子与分子工程教育部重点实验室清华大学化学系北京 100084

不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移率,... 详细信息

不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移率,而且熔融猝冷TPD迁移率随电场变化很小。讨论了真空沉积的并五对真空沉积的并五苯薄膜,在惰性氛围中将其退火,也观察到晶粒结合更紧密,提高场效应晶体管的性能。

关键词：有机半导体材料薄膜特性真空蒸镀熔融猝冷 TPD薄膜热稳定性场效应晶体管

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