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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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284 篇 会议
4 篇 期刊文献

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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
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检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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应变对AlN薄膜价带结构及光学性质的调制作用

应变对AlN薄膜价带结构及光学性质的调制作用

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：傅德颐张荣刘斌张曾谢自立修向前郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系中国·南京 210093

本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|2.16％)时,面内发光效率将得到... 详细信息

本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|<0.86％)条件下具有很低的发光效率,不利于制作面发射光子器件,而有利于降低边发射激光二极管的阈值电流。另一方面,c面AlN在受到较大的面内压应变(|εxx|,|εyy|>2.16％)时,面内发光效率将得到极大的提高,有利于制作面发射光子器件。这些结果对于应变操纵下的器件结构设计具有重要的指导意义。

关键词：氮化铝薄膜价带结构光学性质光学跃迁偏振性质光子器件阈值电流

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SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED

SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱学亮曲爽刘存志李树强夏伟沈燕任忠祥徐现刚山东华光光电子有限公司济南山东大学晶体材料国家重点实验室济南 250101

利用MOCVD在SiC衬底上采用AIN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303”和311”,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度是0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄... 详细信息

利用MOCVD在SiC衬底上采用AIN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303”和311”,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度是0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AIN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采用不同的AIN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量了阱区完全应变的外延在GaN层上,而AIN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。

关键词： SiC衬底化学气相沉积法 GaN基蓝光LED AIN缓冲层

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高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究

高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：武红磊郑瑞生孟姝深圳大学光电工程学院深圳 518060

保温材料是影响高温气相法生长氮化铝晶体的主要素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备氮化铝最常用的保温材料,但是存在易引入碳杂质、减少坩埚寿命等缺点。本文采用不添加任何添加剂氮化铝粉体制作了高温气相法... 详细信息

保温材料是影响高温气相法生长氮化铝晶体的主要素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备氮化铝最常用的保温材料,但是存在易引入碳杂质、减少坩埚寿命等缺点。本文采用不添加任何添加剂氮化铝粉体制作了高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现：氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料;但是,与石墨保温材料相比,氮化铝也存在热导率相对较高、存高温过程中氮化铝粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。

关键词：氮化铝高温气相法保温材料晶体生长

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高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性

高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：叶家聪李清华贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠深圳大学材料学院深圳市特种功能材料实验室深圳 518060

采用磁控溅射法,在硅和玻璃基片上制备了AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al浓度对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明：AZO薄膜为纤锌矿结构且呈c轴... 详细信息

采用磁控溅射法,在硅和玻璃基片上制备了AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al浓度对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明：AZO薄膜为纤锌矿结构且呈c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰强度逐渐减弱;在掺Al浓度小于4wt％时,薄膜在可见光范围内的平均透射率大于80％,方块电阻最小值达到514Ω／□,热稳定性小于20％;在室温下,观察到近带边发光蜂和绿光发光带。

关键词：光电特性磁控溅射法导电薄膜透明薄膜微观结构

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PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析

PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：董志远赵有文杨俊胡炜杰中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083

我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺陷进行了分析。腐蚀后AlN单晶的(0... 详细信息

我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺陷进行了分析。腐蚀后AlN单晶的(0001)Al面形成规则的六方形位错腐蚀坑,密度约为4000cm-2。XRD半峰宽为35弧秒,表明晶体的品格完整性很好。EDX测试结果表明晶体中局部区域存在C,O杂质,红外吸收测量得到了分别位于1780cm-1,1850 cm-1,2000 cm-1,2900cm-1的吸收峰,这些吸收峰分别与晶体中的杂质O,C,Si或氧的复合体有关。

关键词：氮化铝晶体物理气相传输法湿法腐蚀单晶生长

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测... 详细信息

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词： MSM结构紫外日盲探测器光电探测器化学气相沉积法半峰宽

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AlXGa1-XN/GaN异质结中的Rashba自旋劈裂

AlXGa1-XN/GaN异质结中的Rashba自旋劈裂

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李明张荣谢自力修向前张曾严文生刘斌郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系南京 210093

通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashb... 详细信息

通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashba自旋劈裂随Al组分变化关系,并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带Rashba劈裂的影响。结果表明,Rashba自旋劈裂随Al组分增加很快,说明由压电极化和自发极化导致的内建电场对Rashba自旋劈裂至关重要。这些结果可能对自旋电子器件的设计有重要意义。

关键词：自旋劈裂压电极化自发极化自恰计算异质结薛定谔方程泊松方程

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宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成

宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵玲娟刘泓波潘教青周帆边静朱洪亮王圩中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京 10083

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点,备受关注。本文采用低压金... 详细信息

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点,备受关注。本文采用低压金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)选择区域外延和量子阱混杂技术相结合的方法,研制了宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成器件,输出功率3.6mW器件的波长调谐范围达30nm,边模抑制比大于30dB,在整个调谐范围内电吸收调制器的消光比大于14dB。

关键词：可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂外延生长光网络半导体激光器

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生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响

生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：卢国军朱建军赵德刚刘宗顺张书明杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率... 详细信息

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率降低,In含量降低;而随着生长压力的降低,AlInN的生长速率增大,In含量增加,且AlInN组分的不均匀性会减弱。AlInN的晶体质量随着生长温度的提高或生长压力的降低而提高,除了最低的生长压力外。此外,随着生长温度的提高或生长压力的降低,AlInN的表面会变平坦,这与表面吸附的Al原子的迁移能力增强有关。

关键词：化学气相沉积法外延生长 AlInN薄膜生长温度表面迁移能力

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透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能研究

透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘星元李会斌刘晓新田苗苗王宁中科院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所长春 130033

采用经过改良的真空热蒸发法,在抛光玻璃衬底上制备出了掺铋的透明导电钢铋氧化物薄膜(IBO)。运用扫描电镜(SEM)及XMS对薄膜的形貌及其成分进行了分析及表征;通过紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪及四探针法对薄膜的光电性质进行了... 详细信息

采用经过改良的真空热蒸发法,在抛光玻璃衬底上制备出了掺铋的透明导电钢铋氧化物薄膜(IBO)。运用扫描电镜(SEM)及XMS对薄膜的形貌及其成分进行了分析及表征;通过紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪及四探针法对薄膜的光电性质进行了研究:并采用开尔文探针对IBO进行了功函数测试。结果表明IBO薄膜具有良好的表面形貌,较高的载流子迁移率;较高的功函数且其在可见光范围内的平均透光率超过82％。采用其作为阳极制作的有机电致发光器件(OLED)表现出良好的工作特性。我们的实验结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极替代材料。

关键词：透明导电薄膜铋掺杂铟铋氧化物薄膜有机电致发光器件真空热蒸发法

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