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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究

金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓峰段垚崔军朋曾一平中科院半导体所照明研发中心北京 100083

通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV;退火后为31meV。SIM... 详细信息

通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV;退火后为31meV。SIMS测试结果表明退火前后样品中没有出现新的杂质能级。退火前样品只有带边发光,退火后带边发光几乎消失,出现了强的绿光峰。结合SIMS和PL谱。我们认为31meV可能是氧空位(Vo)点缺陷的浅施主能级：530nm的绿光峰来自于Vo的深施主能级。而13meV的浅施主能级则可能是与位错等结构缺陷有关。

关键词：金属气相沉积法氧化锌薄膜生长电学性质施主能级位错结构

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GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较

GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王力范冰峰冼钰伦王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275

GaN基白光LED以其效率高、响应快以及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作电流密度,但是光输出随着电流密度的增加会出现饱和,而且会带... 详细信息

GaN基白光LED以其效率高、响应快以及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作电流密度,但是光输出随着电流密度的增加会出现饱和,而且会带来严重的热问题。为了解决这些问题,本文考虑了在照明领域用脉冲电流来驱动大功率LED的可能,并比较了直流和脉冲两种情况下LED的性能表现,这些性能包括电学、光学和热学等各方面;并详细讨论了脉冲信号的参数对光输出的影响。研究结果表明直流情况下LED的光输出比脉冲情况下要高。

关键词：白光发光二极管照明光源脉冲电流驱动热管理光通量

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基于Ratchet效应的平面纳米二极管

基于Ratchet效应的平面纳米二极管

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：许坤远王钢宋爱民华南师范大学物理与电信工程学院广州 510631 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275 英国曼彻斯特大学电气与电子工程学院曼彻斯特 M60 1QD英国

本文采用二维系宗蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时... 详细信息

本文采用二维系宗蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过纳米沟道的电子输运将体现出方向性。这使得该器件具有类似于二极管的电流电压特性曲线。通过优化结构。我们还可以获得开启电压为零的器件。由于该器件为纳米量级,因此具有很快的响应速度。模拟结果表明在亚太赫兹波段,该器件有不为零的整流信号输出。

关键词：蒙特卡罗模拟化合物半导体纳米二极管表面电荷电响应特性纳米结构亚太赫兹波

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利用侧向湿法腐蚀Al InN牺牲层技术构造GaN微腔

利用侧向湿法腐蚀Al InN牺牲层技术构造GaN微腔

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：熊畅 Robert W.Martin 章蓓康香宁代涛张国义 Ian M. Watson Erdan Gu Martin D. Dawson Paul R.Edwards 北京大学物理学院和人工微结构及介观物理国家重点实验室北京 100871 英国Strathclyde大学光学所格拉斯哥G4 0NW

本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层,再生长180nm的GaN层,利用湿法腐蚀GaN和AlInN合金具有高的选... 详细信息

本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层,再生长180nm的GaN层,利用湿法腐蚀GaN和AlInN合金具有高的选择比的特性,通过侧向湿法腐蚀AlInN层实现衬底剥离。同时结合干法刻蚀技术以及绝缘体介质材料沉积技术成功制备出了直径为501am,上下为双介质分布布拉格反射镜(DBR)结构的GaN微腔。

关键词：氮化镓侧向湿法腐蚀绝缘体介质材料

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HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学北京 100871

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。本实验利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭... 详细信息

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。本实验利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现的更为显著。而小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,我们同时得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。

关键词：氢化物气相外延厚膜弯曲外延生长位错密度

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Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：单正平顾书林朱顺明南京微结构国家实验室和南京大学物理系南京 210093

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/sapphire为衬底,我们制备M-S-M结构的紫外探测... 详细信息

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/sapphire为衬底,我们制备M-S-M结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/Zno基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响虑1.9×104A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比见光450nm处的响应度高出两个数量级。

关键词：紫外探测器峰值响应度合金薄膜金属有机物化学气相沉积

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ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：贺永宁张雯崔吾元崔万照王东朱长纯侯洵西安交通大学电子与信息工程学院 710049 西安交通大学理学院 710049 中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家重点实验室西安交通大学电子与信息工程学院 710049 西安交通大学理学院710049

本文采用高纯锌粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到,形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明PVA不仅仅为ZnO半导体纳米线... 详细信息

本文采用高纯锌粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到,形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明PVA不仅仅为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑,而且光致发光结果显示这种复合结构膜不仅仅具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,因此对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。

关键词：纳米线聚合物复合膜紫外带边发光化合物半导体紫外发光特性光电器件

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氮掺杂Zn0中的缺陷与光致发光研究

氮掺杂Zn0中的缺陷与光致发光研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系微结构国家重点实验室南京 210093

本文采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377eV、3.362eV和3.332eV附近... 详细信息

本文采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377eV、3.362eV和3.332eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射(FXA)、施主束缚激子(D0X)和其双电子伴线(TES)。随着温度升高,施主热解离,导致D0X峰强下降,而FXA增强,同时DAP峰eA0。峰转变;深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的“负热淬灭”效应,讨论了其产生原因。

关键词：变温光致发光谱负热淬灭金属有机物化学汽相沉淀法掺氮薄膜氧化锌

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脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响

脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京 100871 北京大学电镜室北京 100871

在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。

关键词：化合物半导体氮化铝薄膜透射电镜位错密度脉冲缓冲层外延生长

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宽光谱范围、高响应度的InGaAs/InP光电探测器

宽光谱范围、高响应度的InGaAs/InP光电探测器

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：归强裴为华陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

本文报道了一种适用于0.6μm～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸... 详细信息

本文报道了一种适用于0.6μm～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特件的探测器。封装后光电探测器在0.6μm～1.0μm波段的响应度大于0.2A/W。其中,在1.0μm到1.65μm波段的响应度超过0.8A/W。5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化测试实验,探测器的寿命可以超过10万个小时,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。

关键词：宽光谱响应响应度平面结构光电探测器探测器阵列器件性能

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