检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

284 篇 会议
4 篇 期刊文献

馆藏范围

288 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

共 288 条记录，以下是121-130 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

InGaN合金MOCVD生长及光电极制备

InGaN合金MOCVD生长及光电极制备

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘斌郑有炓罗文俊张荣邹志刚谢自力李朝升修向前陈敦军韩平江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系南京 210093 环境材料与再生能源研究中心南京大学物理系南京 210093

本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的InGaN合金相对于富In组分的InGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度,并结合光... 详细信息

本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的InGaN合金相对于富In组分的InGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度,并结合光致荧光和光吸收手段分析了合金对能带带隙的调节作用。本文还研究了基于InGaN合金制备的光电极,发现工作于水稀释的HBr电解液中的InGaN光电极在可见光辐照下具有稳定的光电响应。InGaN光电极的光电量子转换效率最高达到9％,为利用太阳能提供了一种新途径。

关键词： InGaN合金薄膜化学气相沉积法金属有机物化学气相外延能带带隙光电极晶体结构光电学性质

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN基LED外延片表面处理对器件漏电流的影响

GaN基LED外延片表面处理对器件漏电流的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王良吉张书明杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京 100083

通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太长时间的王水处理,会导致LED器件的漏电流明显增大。对LED外延... 详细信息

通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太长时间的王水处理,会导致LED器件的漏电流明显增大。对LED外延片表面在王水处理前和处理后的原子力显微镜扫描中,发现王水处理会使得外延片表面的V形坑尺寸扩大。经过分析发现,透明电极中金属原子沿着穿透位错管道的扩散是造成漏电流增加的一个主要原因。P-GaN表面V形坑的扩大,会导致透明电极中的金属原子更容易通过表面V形坑扩散进位错管道中,从而形成电流通道,对LED器件的电学性能、寿命等造成不利的影响。

关键词：漏电流穿透位错发光二极管外延片表面处理接触性能透明电极电学性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ku波段开关固态功放模块的研制

Ku波段开关固态功放模块的研制

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：袁婷婷陈晓娟陈中子陈高鹏李滨刘新宇中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京 100029

本文实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路在15.75GHz至16.25GHz频段范围内,隔离度大于... 详细信息

本文实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路在15.75GHz至16.25GHz频段范围内,隔离度大于95dB,插入损耗小于4dB,同时提出了改进两路输出功率不平衡度的方案,对系统结构进行合理优化。最终本文所实现的Ku波段开关固态功放模块在15.75GHZ～16.25GHZ工作频段内,输出功率为30dBm,且两路功率不平衡度小于0.7dB,系统隔离度≥70dB,电压驻波比小于1.4,系统尺寸为65mm×40mm×15mm。

关键词： Ku波段微波开关高隔离度固态功放模块拓扑结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

II型CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的制备和发光特性

II型CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的制备和发光特性

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曾庆辉景鹏涛石爱民张友林孔祥贵赵家龙中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室长春 130033 大连交通大学理学院大连 116028

我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度... 详细信息

我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在略微的波长红移,其辐射寿命没有明显的改变。根据II型和I型的特征,2.0和3.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶分别被认为足II型和I型核壳纳米晶。

关键词：半导体纳米晶量子点光致发光荧光寿命化学法合成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP... 详细信息

本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p+-InP/n+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发法沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合 InAsP InGaAsP 布拉格反射镜有源谐振腔

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院成都 610054

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有硅著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到了23GHz。

关键词： GaN HEMT器件高介BST材料 MIS结构磁控溅射栅绝缘层

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一个4-12GHZ三级宽带功率放大器

一个4-12GHZ三级宽带功率放大器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈中子陈晓娟姚小江袁婷婷刘新宇李滨中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京 100083

本文设计并制作了一个宽带功率放大器,频率范围覆盖4-12GHZ。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用四指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大... 详细信息

本文设计并制作了一个宽带功率放大器,频率范围覆盖4-12GHZ。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用四指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4-12GHZ频率范围内功率增益为30dB±3dB,输出功率在大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能也较好,在全频段内小于-7dB。

关键词：宽带功率放大器平衡放大器兰格耦合器混合集成电路驻波性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化镓结型器件的EBIC和CL研究

氮化镓结型器件的EBIC和CL研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘文宝孙苋江德生赵德刚刘宗顺张书明朱建军段俐宏杨辉中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215125

本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,... 详细信息

本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约为0.6μm,非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于1μm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较,发现耗尽区的EBIC电流信号最强,而CL荧光信号较弱,二者信号强度大小呈互补关系。根据耗尽区的内建电场模型对这种现象做出很好的解释。

关键词：氮化镓电子束感生电流阴极荧光少子扩散长度结型器件荧光信号

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MOCVD生长GaN/GaMnN多层结构的磁学性质研究

MOCVD生长GaN/GaMnN多层结构的磁学性质研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨学林陈志涛祝文星王存达杨志坚张国义北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学物理学院北京 100871中国

本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化强度略低,但是多层结构在经过高... 详细信息

本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化强度略低,但是多层结构在经过高温热处理后具有很好的磁学热稳定性。从器件角度考虑,这对于在制备包含GaMnN材料器件的工艺过程例如p-型激活、欧姆接触合金过程等具有重要指导意义。同时,我们发现经过热处理后,GaN/GaMnN多层结构的矫顽力增大了三倍左右。我们通过结合结构性质,对产生这种现象的机制进行了讨论。

关键词：稀磁半导体铁磁性磁学性质单层结构磁化强度金属有机物化学气相沉积多层结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×10 12cm-2、迁移率达188cm2/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaN HEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz、最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率10.52W,功率增益和功率附加小率分别为7.62dB和45.8％。

关键词：电子迁移率晶体管电流崩塌输出功率异质结振荡频率半绝缘衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共29页 << < 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：