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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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平面纳米自开关器件灵敏度的研究

平面纳米自开关器件灵敏度的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：许坤远王钢宋爱民华南师范大学物理与电信工程学院广州 5106311 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275 英国曼彻斯特大学电气与电子工程学院曼彻斯特 M60 1QD英国

运用二维系综蒙特卡罗方法,我们模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明平面纳米自开关器件在加正向电压的时候是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这... 详细信息

运用二维系综蒙特卡罗方法,我们模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明平面纳米自开关器件在加正向电压的时候是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电流电压关系曲线在零电压附近具有很强的非线性特性,因此我们可以把该器件运用于电磁波探测。通过多项式拟合方法我们获得了电流电压关系曲线的解析表达式。从而求得该器件的灵敏度。进一步分析表明通过改变表面态密度能够改变漏电流的大小。而小的漏电流有利于获得高的灵敏度。

关键词：自开关器件蒙特卡罗模拟平面纳米灵敏度电磁波探测

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异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点

异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京 100083

GaAs基InAs自组织量子点存通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,本文目的在于,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。本文提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结... 详细信息

GaAs基InAs自组织量子点存通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,本文目的在于,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。本文提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引入Sb辅助生长的方法,通过改变生长温度,淀积量以及In组分等生长参数,最终得到了室温光致发光波长为1533nm的InAs量子点结构,谱线半高宽为28.6meV,经原子力显微镜测试表明,其密度约为4～8×109cm2预计进一步提高量子点密度后,此技术可应用于长波长量子点激光器材料的分子束外延生长。

关键词：分子束外延生长 GaAs基 InAs量子点异变过渡层光致发光谱激光器材料

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化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响

化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚中国科学院半导体研究所北京市912信箱北京 100083

通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-3英寸。其中In... 详细信息

通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-3英寸。其中InP单晶的X-射线衍射摇摆曲线半峰宽为9-20弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的完整性。比较了明显富磷和富砷条件下分别生长的InP和InAs晶体的完整性和性能。结果表明保持稍富铟有利于生长高质量的InP和InAs单晶,其物理化学性质稳定,便于控制抛光清洗条件,获得高质量的抛光表面。

关键词：化学配比液封直拉法电学掺杂单晶材料抛光表面磷化铟

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LCD用LED背光中的取代滤色膜技术

LCD用LED背光中的取代滤色膜技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：范曼宁梁萌王国宏中科院半导体研究所照明研发中心北京 100083 中国

LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使得液晶显示有比较好的显示画质。基于LED背光的LCD显示拥有提升的显示效率,并且其显示色域可以达到NTSC标准的100％之上。我们采用一种将红绿色荧光粉按... 详细信息

LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使得液晶显示有比较好的显示画质。基于LED背光的LCD显示拥有提升的显示效率,并且其显示色域可以达到NTSC标准的100％之上。我们采用一种将红绿色荧光粉按比例混合,在450nm左右蓝光激发下生成RGB三基色,从而获得白光LED的方法。为了获得高质量的背光显示,采用多种荧光粉合成比例进行试验,最终通过实验比较,我们采用甩胶技术来形成荧光粉膜层,用蓝光LED背光源激发以便获得较好的色彩显示,色温区域以及较高的能量转换效率。另外,此种背光结构有益于LED组合的出光均匀性,并且相比于传统的背光结构,具有很高的色彩表现值和较好的色温值,同时可以简化LED背光结构。当然采用两种以上荧光粉导致的光转换效率低的问题,是作为LCD背光的LED封装所需要解决的。

关键词： LED背光结构 LCD显示器件 RGB三基色荧光粉液晶显示器光转换效率

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优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杜江锋罗大为罗谦卢盛辉于奇杨谟华电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数凋制沟道中二维电了气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅... 详细信息

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数凋制沟道中二维电了气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47％。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。此成果可为无电流崩塌的场板结构GaN HEMT器件设计提供理论指导。

关键词：沟道电子温度电流崩塌物理模型崩塌效应场板结构数学模型迁移率晶体管

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InN薄膜变温光致发光与光学吸收研究

InN薄膜变温光致发光与光学吸收研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张曾张荣谢自力刘斌修向前陆海韩平郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系江苏南京 210093

利用变温吸收光谱、光致荧光谱,对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.69eV附近,与现阶段丰要报道值O.7eV一致。变温吸收光谱验证... 详细信息

利用变温吸收光谱、光致荧光谱,对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.69eV附近,与现阶段丰要报道值O.7eV一致。变温吸收光谱验证了InN带隙随温度升高的收缩效应。通过对变温光致发光光谱的S型变化的分析,证明低温下材料中的杂质导致的局域态载流子参与了光学跃迁,而随温度升高光学跃迁机制发生转变。拟合得到不同载流了浓度下的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,载流子浓度增加使杂质电子相瓦作用增强,导致局域化能量增大。

关键词：氮化铟薄膜吸收光谱光致发光谱载流子局域化金属有机物气相沉淀法光学性质

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明：高场应力后,在栅漏... 详细信息

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明：高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和AlGaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力VDS=20V,VGS=0V后发现SiN钝化使得应力产生的IDsat退化从36％减少到了30％。这说明高场应力下,虽然SiN钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决AlGaN/GaN HEMT的岛场退化问题。我们认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词：势垒层陷阱高场应力迁移率晶体管器件参数偏置应力帽层结构岛场退化场板结构

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多模式生长对蓝宝石衬底上AlN薄膜的影响

多模式生长对蓝宝石衬底上AlN薄膜的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张森尹甲运刘波冯志宏冯震蔡树军专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨 150001 专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051

我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们... 详细信息

我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们发现采用渐变模式的样品与没有采用渐变模式的样品相比,晶体质量和表面平整度都有所提高,并且随着TMA渐变率的增大。样品的位错密度不断减小,样品的表面形貌进一步改善。最后对多模式AlN薄膜的生长机制进行初步分析发现,采用多模式的生长方法可以有效地提高AlN薄膜的晶体质量。

关键词：氮化铝薄膜多模式生长渐变模式晶体质量表面平整度表面形貌金属有机物化学气相沉积

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生长温度对Si1-zGez:C薄膜外延生长的影响

生长温度对Si1-zGez:C薄膜外延生长的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：葛瑞萍韩平吴军俞斐赵红谢自力张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京 210093

本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C合金层生长温度对样品结构特征的影响。... 详细信息

本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C合金层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;Si1-xGex:C合金薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。Si1-xGex:C/Si样品载流子浓度沿衬底至表而方向逐渐上升且Si1-xGex:C合金层总体呈P型导电,本文对其导电分布特性进行了分析研究。

关键词： Si1-zGez:C合金薄膜化学气相淀积外延生长生长温度载流子浓度 X射线衍射

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Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V&a... 详细信息

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V·s载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Zi掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移。这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词：氮化镓外延薄膜硅掺杂 MOCVD法蓝宝石衬底载流子浓度

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