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284 篇 会议
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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
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- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
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51 篇 理学
- 51 篇 物理学
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主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
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9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
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9 篇 x射线衍射
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8 篇 分子束外延
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7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
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6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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AIN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究

AIN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吴军王荣华韩平梅琴刘斌谢自力修向前张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京 210093

本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的... 详细信息

本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向;Raman散射谱线初步表明得到的SiC漳膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格点位置成键,外延薄膜晶体质量不高;衬底温度过高,H2的刻蚀作用和表面原子的解吸附作用增强,不利于SiC的成核生长。C/Si比过小,薄膜表面会形成Si的小液滴;C/Si比过大,薄膜中会产生Si空位形式的微缺陷。因此,我们的研究表明在AIN/Si(111)衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230-1270℃,较为理想的C/Si比值为1.3。

关键词：硅衬底 4H-碳化硅薄膜异质外延生长 C/Si比值 CVD法

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GaN基多层膜结构椭偏光谱研究

GaN基多层膜结构椭偏光谱研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵金霞杜江锋于奇于志伟夏建新杨谟华电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和光学常数谱,并与GaN单层结构折射... 详细信息

对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和光学常数谱,并与GaN单层结构折射率色散关系相比较,分析了多层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明:InN和Ga2O3折射率数值与先前研究结果相一致;其表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型(EMA)可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率增大约0.2,这应与GaN/InN界面压应力和态密度等有关;而在300-400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,则可能与GaN层在360nm左右存在的一个的强吸收(Eg≈3.4eV)有关。

关键词： GaN基多层膜结构椭圆偏振光谱 MOCVD工艺 InN薄膜

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湿化学腐蚀法研究GaN薄膜中的位错

湿化学腐蚀法研究GaN薄膜中的位错

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室物理系南京大学 210093

本文采用湿化学腐蚀方法结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入10wt％的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化的腐蚀条件:腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5min... 详细信息

本文采用湿化学腐蚀方法结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入10wt％的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化的腐蚀条件:腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5min。通过对GaN样品表面及剖面的扫描电子显微镜(SEM)图像和阴极荧光CL谱线图、CL mapping图的分析,获得了GaN薄膜中存在的螺位错、刃位错和混合位错的分布特性及密度,并发现薄膜中的位错自衬底沿生长方向延伸,且随薄膜厚度的增加而密度减少。实验还研究了腐蚀前后GaN光学性质的改变。发现造成CL mapping图中位错被明亮的六角坑包围的原因是应力自衬底沿生长方向的逐步释放等因素致使逐层腐蚀后薄膜的CL谱带边发光峰红移、且发光强度增强。

关键词： GaN薄膜位错密度电子显微镜湿化学腐蚀法阴极荧光谱仪发光强度

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长波InAs0.04Sb0.96材料的结构及p-n结特性研究

长波InAs0.04Sb0.96材料的结构及p-n结特性研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：高玉竹龚秀英方维政同济大学电子与信息工程学院上海 201804 中国科学院上海技术物理研究所上海 200083

用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与生长时的降温过程以及生长舟滑块的重量密切... 详细信息

用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与生长时的降温过程以及生长舟滑块的重量密切相关。采用60克重的滑块和0.5℃/分的降温速度获得了最佳的结晶质量。用傅里叶红外光谱仪测量了外延层的透射光谱,首次观察到重量不同的滑块下生长的InAs0.04Sb0.96外延层的截止波长的变化,这归因于不同滑块引起的外延层能带弯曲参数的变化。用液相外延(LPE)法在InAs0.04Sb0.96表面生长了掺Zn的p-InSb层,获得了n-InAs0.04Sb0.96/p-Insb异质结,测得的I-V特性曲线显示出了结的整流性质,从而为制作长波InAsSb红外探测器打下了基础。

关键词：熔体外延生长 InAsSb材料结构性质透射光谱禁带宽度 p-n结 X射线衍射红外探测器

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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心北京 100083 中科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心北京 100083 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器什联合实验室北京 100083

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上... 详细信息

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果:腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。

关键词： GaN薄膜化学气相沉积法薄膜沉积速率数值模拟流场几何结构喷淋式反应室

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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化... 详细信息

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BS/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BS极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BS的平均极化方向仍与AlGaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

关键词：铁电/半导体异质结构极化调制二维电子气

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过渡族和稀土族元素掺杂氮化镓基稀磁半导体性能比较

过渡族和稀土族元素掺杂氮化镓基稀磁半导体性能比较

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS... 详细信息

GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。

关键词：稀磁半导体氮化镓半导体性能自旋电子电子器件离子注入快速退火半导体薄膜

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高功率InGaN蓝紫光激光器列阵

高功率InGaN蓝紫光激光器列阵

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：季莲张立群马志芳张书明刘宗顺江德生朱建军赵德刚杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和1... 详细信息

蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和10.5V,阈值电流密度为3.75KA/cm2。激光器的激射波长为405nm。室温脉冲电流下最大输出功率可达到2.6W。分析了n型串联电阻和载流子的侧向扩展对脊形区载流子不均匀分布的影响。模拟结果表明串联电阻起着关键作用,将脊形条分布在P区两侧靠近n电极处,可使四个脊形同时激射。

关键词：激光器列阵串联电阻量子阱阈值电流阈值电压输出功率

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SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件

SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室南京电子器件研究所南京 210016 中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极... 详细信息

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm。跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对2个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3％。

关键词：氮化镓功率器件金属有机物化学气相外延子迁移率晶体管漏极电流

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Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究

Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈高鹏吴旦昱陈晓娟刘新宇李滨中国科学院微电子研究所北京 100029

本文报道了采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块。研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离;并在偏置网络中加入稳定性网... 详细信息

本文报道了采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块。研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离;并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低频振荡和参量振荡,有效提高了功率放大器的稳定性。对直流供电电路进行优化,使电路可以根据不同应用需要灵活调整工作状态;并且设计了储能电容电路,提高了脉冲功率放大器的工作效率。研制成功的Ku波段脉冲功率放大器模块,在13.5～14.0GHz工作频段内(脉冲重复频率3kGz,占空比10％)功率增益Gp≥44dB,输出脉冲峰值功率Ppk≥30W,总体工作效率η≥26％(Class B)。功率放大器在DC～14.0GHz范围内稳定,没有振荡现象发生。

关键词： Ku波段 GaAs场效应晶体管平面微带线结构 GaAs金属半导体脉冲功率放大器稳定性

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