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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
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- 3 篇 核科学与技术
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- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
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主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
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9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
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9 篇 x射线衍射
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7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
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6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
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检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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基于面光源模型的光子晶体发光二极管辐射特性的研究

基于面光源模型的光子晶体发光二极管辐射特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：招瑜范冰丰王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275

我们提出一种用于计算具有光子晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模型。此模型是基于多层散射法(scattering matrix treatment)的计算方法,可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源的做法不同,我们把... 详细信息

我们提出一种用于计算具有光子晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模型。此模型是基于多层散射法(scattering matrix treatment)的计算方法,可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源的做法不同,我们把器件的发光近似看作是由无穷多个点偶极子组成的丽辐射源,这种面光源模型与真实的面辐射器件,如发光二极管(LEDs),有机发光二极管(OLED)等的辐射机制相近。可得到更接近真实的发光特性。基于这个模型,我们计算了具有二维光子晶体图案的LEDs器件的发光特性。二维正方晶格和三角晶格光子晶体表面的LEDs的辐射的角分布光谱表明,具有光子晶体表面的发光器件的出光有明显的增强。与传统的点偶极子模型的计算结果比较,面光源模型得到的光谱的共振峰的强度较小,出光的空间分布也有所不同。两种模型结果的不同,在三角品格的LEDs结构中尤为明显。对于LEDs卒取效率(extraction efficiency)的计算同样表明,面光源得到的三角晶格结构卒取效率要比点光源的结果略低。

关键词：发光二极管光子晶体面光源辐射特性光源模型多层散射法晶格结构

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AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：肖红领王占国侯洵王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlNb插入层的生长时间对材料表而形貌和电学性能的影响,得... 详细信息

本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlNb插入层的生长时间对材料表而形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlNb生长时间介于：15s～20s之间。对AlNb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其二维电子气迁移率在80K时达8849cm2/Vs,室温下为1967cm2/Vs,面密度始终保持在1.02×1013 cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95％,说明双AlN插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

关键词：异质结构插入层电学性能迁移率晶体管

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一种倒置顶发射有机电致发光器件的光谱调制

一种倒置顶发射有机电致发光器件的光谱调制

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵春梅谢国华陈平谢文法赵毅刘式墉集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春 130012

顶发射有机电致发光器件应用到有源矩阵显示领域中具有开口率大的特点,另外由于n-沟道硅衬底具有较高的载流子迁移率,并且工艺比较成熟,为了利用这些优点并将其和有机电致发光器件集成在一起,有必要研究倒置结构项发射有机电致发光器件(... 详细信息

顶发射有机电致发光器件应用到有源矩阵显示领域中具有开口率大的特点,另外由于n-沟道硅衬底具有较高的载流子迁移率,并且工艺比较成熟,为了利用这些优点并将其和有机电致发光器件集成在一起,有必要研究倒置结构项发射有机电致发光器件(ITOLED)的特性。我们研究了采用m-MTDATA:MoOx做为掺杂空穴注入层的倒置顶发射有机电致发光器件。掺杂层m-MTDATA:MoOx不仅能够提高载流子的注入效率,降低器件的开启电压,而且在不影响器件工作电压的条件下,通过改变这一掺杂层的厚度,还可以实现对器件电致发光光谱的调制,这对我们以后制备向光或全彩色顶发射有机电致发光器件提供了另一种思路。我们制备的器件采用掺杂了 C545T的Alq3做为发光层。最大功率效率可以达到2.5 lm·w-1,开启电压约为5V,当掺杂注入层的厚度从10nm变化到40 nm时,器件的EL光谱覆盖范围发生了明显的变化。

关键词：倒置顶发射掺杂空穴有机电致发光器件光谱调制电致发光光谱

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用原子源辅助激光分子束外延氮掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征

用原子源辅助激光分子束外延氮掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王东张景文彭昀鹏种景侯洵西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室西安 710049 西安交通大学-中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室西安 710049

本文利用原子源辅助激光分子束外延系统(L-MBE)在蓝宝石(0001)衬底上制备带有超晶格缓冲层(Mg0.1Zn0.9O/ZnO)的氮掺杂p型ZnO薄膜。高分辨x射线衍射(HR-XRD)测试表明所制备的ZnO薄膜均为(0002)取向,并且沿c轴方向的残余应力得到抑制。室... 详细信息

本文利用原子源辅助激光分子束外延系统(L-MBE)在蓝宝石(0001)衬底上制备带有超晶格缓冲层(Mg0.1Zn0.9O/ZnO)的氮掺杂p型ZnO薄膜。高分辨x射线衍射(HR-XRD)测试表明所制备的ZnO薄膜均为(0002)取向,并且沿c轴方向的残余应力得到抑制。室温Hall测试结果表明：200℃制备的氮掺杂ZnO呈现出明显的p型导电类型,其迁移率为4.08cm2/Vs,其载流子浓度为1.47×1017cm-3;而300℃制备的ZnO表现出弱p型导电类型,其迁移率为0.75 cm2/Vs,其载流了浓度为4.40×1016cm-3. 其后的x射线光电子能谱(XPS)测试证明氮掺杂ZnO样品分别在位于404eV和396eV处出现两个N1s峰,这两个峰分别与(N2)O和NO有关。在200℃掺杂的ZnO样品的10K低温光致发光光谱分别在3.351eV处呈现NO有关的受主束缚激子峰和位于3.228eV处的施主-受主缺陷对的发光峰。

关键词： p型掺杂原子源辅助超品格缓冲层氧化锌薄膜分子束外延

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4H-Si1-yCy合金的生长及特性

4H-Si1-yCy合金的生长及特性

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：俞斐陈秀芳张荣郑有炓吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京 210093 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室济南 250100

本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测... 详细信息

本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测量。XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2 θ约为28.5°),表明得到的合金薄膜晶体取向单一,其晶体类型通过计算分析为4H型;粗略估算,合金薄膜中C含量约为3.7％;SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Sil-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀;利用电化学腐蚀电容电压(ECV)方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流了浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。

关键词：化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金同质外延生长电化学腐蚀电容电压载流了浓度 n型导电

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度... 详细信息

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,然后使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及拉曼光谱(raman spectrum)多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究。然后制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管大小是直径110um的圆形;文中简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程:通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87eV,击穿电压在650V 。

关键词： 4H碳化硅外延材料缺陷肖特基二极管电学性能势垒高度拉曼光谱

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由激光剥离技术转移到Cu衬底上的薄膜GaN基LED器件特性分析

由激光剥离技术转移到Cu衬底上的薄膜GaN基LED器件特性分析

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙永健陈诚李仕涛颜建峰郝茂盛陈志忠齐胜利于彤军康香宁刘鹏张国义朱广敏潘尧波北京大学物理学院介观物理实验室北京 100871 上海蓝光科技有限公司上海 200120

基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED),以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)被制备出来。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显的增加了。相应的,其等效并联电阻下降了近2个数... 详细信息

基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED),以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)被制备出来。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显的增加了。相应的,其等效并联电阻下降了近2个数量级。通过对变温Ⅰ-Ⅴ曲线的分析。反向偏压下隧穿漏电机制的主导地位被发现并证实,而激光剥离前后样品腐蚀后的AFM照片显示缺陷密度没有明显改变,因此,隧穿机制的增加是由F激光剥离过程激发了更多缺陷的隧穿活性。然而,蓝宅石衬底LED以及激光剥离薄膜Cu衬底LED的相似的理想因了和等效串联电阻告诉我们激光剥离过程并未对器件的正向电学特性造成大的伤害,因此,高质量高功率的激光剥离LED器件是可以期待的。对L-I曲线的分析显示激光剥离过程引入了更多的非辐射复合中心,但是,激光剥离菏膜Cu衬底LED器件在大电流注入下仍然有有着超出常规器件的表现。在300mA注入电流内,激光剥离薄膜Cu衬底LED展示的最大光功率是蓝宝石衬底GaN基LED的1.8倍,饱和电流超过2.5倍。这些结果显示,激光剥离Cu衬底LED仍然是高功率高亮LED的首选方案。

关键词：激光剥离漏电流器件特性电学结构发光二极管氮化镓薄膜

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电弧离子镀ZnO薄膜及太阳能电池中应用

电弧离子镀ZnO薄膜及太阳能电池中应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王明东朱道云吴元元何振辉陈弟虎许建斌电子工程系香港中文大学沙田香港中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理科学与工程技术学院广东广州 510275 实验教学部广州工业大学广东广州 510090 中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理科学与工程技术学院广东广州 510275 电子工程系香港中文大学沙田香港

采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃和硅衬底上制备出了具有择优取向的透明ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外。可见吸收光谱仪分别对ZnO薄膜的结构、表面形貌及可见光透过率进行了分析。XRD结果表明,所制各的ZnO薄膜具有... 详细信息

采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃和硅衬底上制备出了具有择优取向的透明ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外。可见吸收光谱仪分别对ZnO薄膜的结构、表面形貌及可见光透过率进行了分析。XRD结果表明,所制各的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)和(101)两种取向,随着偏压增大,择优取向由ZnO(002)向ZnO(101)转变。SEM图表明,ZnO晶粒大小较为均匀,随偏压增加品粒尺寸有所减小。紫外-可见吸收光谱结果表明,吸收边在365 nm附近,所对应的光学带隙约为3.22～3.36 eV,并随着偏压减小而变大。在偏压值-150V时,制备的ZnO薄膜具有接近单一的ZnO(002)取向,用Scherrer公式计算得到的晶粒尺寸最大、有良好的表面形貌,其在500-900nm范围内光透过率超过80％,电阻率为2.2×10-3Ω·cm,这适合做太阳能电池的透明电极。

关键词：电弧离子沉积脉冲偏压 X射线衍射仪氧化锌薄膜太阳能电池

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掺铒Si/Al2O3多层薄膜光致发光性质的研究

掺铒Si/Al2O3多层薄膜光致发光性质的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：石卓琼王军转施毅濮林郑有炓南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室南京 210093

用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺铒Si(2nm)/Al2O3(1.5nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非铒离子(Er3+)共振激发476nm激光激发下,该薄膜得到来自于Er3+的室温特征光致发光(PL)谱,波峰波长为1.54μm,说明... 详细信息

用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺铒Si(2nm)/Al2O3(1.5nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非铒离子(Er3+)共振激发476nm激光激发下,该薄膜得到来自于Er3+的室温特征光致发光(PL)谱,波峰波长为1.54μm,说明这种掺铒Si/Al2O3多层薄膜存在间接激发发光过程,退火得到的纳米硅在其中起到感光剂作用。分析了不同的退火温度对薄膜发光强度的影响,发现退火温度700℃时薄膜发光最强,其强度是同种方法制备的掺铒Al2O3薄膜的39倍。进一步结合不同退火温度下薄膜的拉曼散射谱分析发现,700℃退火的薄膜中硅虽然仍为非晶,但其中已出现数量较多的纳米硅团簇,它们是Er3+1.54μm发光的有效感光剂,增强了Er3+发光。而当温度高于700℃后,薄膜中纳米硅团簇已逐渐结晶,出现纳米硅晶粒,同时这种纳米硅晶粒尺寸随温度升高而变大、数量变少,带来的是作为感光剂的纳米硅数量的减少,导致Er3+溥膜发光强度减弱。因此本义在远低于纳米硅结晶所需的温度(一般需要高于900℃)下实现了掺铒Si/Al2O3多层薄膜中Er3+1.54μm的最优发光。

关键词：纳米硅多层薄膜脉冲激光沉积能量转移感光剂掺铒光致发光性质

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铁电/氮化镓异质结构二维电子气特性研究

铁电/氮化镓异质结构二维电子气特性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张继华杨传仁吴松刘颖陈宏伟张万里李言荣电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

随着近年来铁电薄膜技术的发展,不仅使铁电薄膜在半导体衬底上集成--集成铁电器件成为现实,更令人期待的是,由于铁电材料的多功能性,将有可能使铁电材料的特性与半导体特性发生耦合,从而提高半导体性能甚至诱导出新效应。本文系统研究了... 详细信息

随着近年来铁电薄膜技术的发展,不仅使铁电薄膜在半导体衬底上集成--集成铁电器件成为现实,更令人期待的是,由于铁电材料的多功能性,将有可能使铁电材料的特性与半导体特性发生耦合,从而提高半导体性能甚至诱导出新效应。本文系统研究了BTD(111)/GaN(0001)异质结构中BTD在应变下的电子有效质量的变化以及异质结构能带带阶,在此基础上通过电荷控制模型,研究了BTO/GaN、BTO/AlGaN/GaN、AlGaN/GaN/BTO三种典型铁电/氮化镓异质结构中铁电材料对半导体性能的影响。结果表明：采用第一性原理方法,可以获得较为可信的FE/GaN异质结构一些基本物理参数。特别是各种异质结构能带带阶和不同应变下的有效质量。BTO电子有效质量mn*存GaN作用的双轴应变下减小42％;BTO上的应变GaN电子有效质量减小10％。对BTO/GaN异质结构,价带带阶ΔEv为0.52eV, 导带带阶ΔEc为0.22eV。BTO/GaN结构较AlGaN/GaN更易形成增强型器件,大的铁电极化可诱导产生极高浓度的2DCG。BTO/AlGaN/GaN结构中,正的铁电极化使GaN沟道2DEG浓度提高：AlGaN/GaN/BTO双异质结构可在GaN内形成双沟道,提高载流子浓度。增强电流传输能力;铁电体上的应变氮化镓--SSOF,还可进一步提高载流子迁移率,有利于制作高速、高功率器件。

关键词：异质结构二维电子气铁电薄膜铁电材料半导体特性第一性原理氮化镓

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