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锑化物半导体材料与器件应用研究进展
锑化物半导体材料与器件应用研究进展
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘超 曾一平 中国科学院半导体研究所材料科学中心 北京 100083
窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。它们具有的独特能带结构和物理性能为各种新型功能器件的研发提供了极大的发展空间。成为美国、日本、德国... 详细信息
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宽禁带半导体研究现状与发展趋势 (邀请报告)
宽禁带半导体研究现状与发展趋势 (邀请报告)
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 蔡树军 冯震 敦少博 陈昊 冯志红 王勇 张志国 中国电子科技集团公司第十三研究所 专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051
宽禁带半导体材料-SiC和GaN具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景。文章综述了SiC和GaN的材料特性、SiC和GaN材料与器件的发展历... 详细信息
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Zn0紫外发光机理及激子和施主的耦合发光
Zn0紫外发光机理及激子和施主的耦合发光
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 傅竹西 林碧霞 徐小秋 中国科学技术大学物理系 合肥 230026
本文通过对ZnO单晶样品的变温光致发光(PL)光谱的研究,分析了ZnO紫外发光的不同光谱峰的特点、峰值能量随温度的变化规律,发现了激子符合的声子伴线和双电子发射与热运动平均动能之间的关系：依据发光跃迁应该遵从的能量守恒和动量守恒... 详细信息
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国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展
国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 冯志宏 尹甲运 刘波 王勇 徐现刚 冯震 蔡树军 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄 050051 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 250000
利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效... 详细信息
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晶片退火对掺Zn的GaAs晶片结构和光电性能的影响
晶片退火对掺Zn的GaAs晶片结构和光电性能的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王元立 北京通美晶体技术有限公司 北京 101113
本文研究了多步晶片退火(Multi-step Wafer AnneaL-MWA)工艺对垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freezing-VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor 6220表面缺陷分析仪和Accent RPM2000光致发光map... 详细信息
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表面等离子体调制单模面发射激光器的研究
表面等离子体调制单模面发射激光器的研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 宋国峰 张宇 郭宝山 汪卫敏 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 北京 100083
单模面发射半导体激光器的研究随着其应用的不断扩展也引起了广泛的重视,应用多种方法可以提高其输出功率并改善其模式抑制比。本文阐述一种利用金属表面等离子体纳米结构调制的方法获得单模面发射激光器输出功率提高的方法,理论计算表... 详细信息
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应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究
应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军 两安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071
本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明:阈值电压... 详细信息
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近紫外有机电致发光器件
近紫外有机电致发光器件
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘星元 李颜涛 林杰 廖亚琴 宋春燕 中科院激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所长春 130033
本文采用简单的双有机层结构Glass/ITO/MoO3/TPD/TPBI/LiF/Al,制备了有机电致发光器件,获得了来自于TPD分子的位于402nm的近紫外电致发光。器件的最大外量子效率达到了1.2％。
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60Coγ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响
60Coγ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 段超 谷文萍 郝跃 张进城 西安电子科技大学微电子学院 西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071
主要研究了0.2Mrad 60Coγ辐照前后AlGaN/GaNHEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降,栅泄漏电流增加,栅漏二极管的正反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓... 详细信息
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SiGe/Si分步布拉格反射镜材料的研究
SiGe/Si分步布拉格反射镜材料的研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 于丽娟 J.Zhang 中国科学院半导体所 北京 100083 Imperial College London UK
引入应力平衡的概念,成功地设计了真实衬底,模拟了Si/Si0.68Ge0.32的反射谱,并用MBE的方法在真实衬底上生长了高反射率Si/Si0.68Ge0.32反射镜,效率可达78％。X-ray双晶摇摆曲线表明,所得材料具有较高的质量,而倒易空间扫描图表明外延Si... 详细信息
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