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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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284 篇 会议
4 篇 期刊文献

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288 篇 电子文献
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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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射频磁控溅射制备MgxZn1-xO薄膜

射频磁控溅射制备MgxZn1-xO薄膜

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：邬小鹏孙利杰钟泽徐小秋林碧霞傅竹西中国科学与技术大学物理系

采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgZnO陶瓷靶在Si（100）和石英衬底上生长MgZnO薄膜。采用X射线衍射谱（XRD）、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgZnO薄膜在x≤0.325时具有单一（002）取向的六方结构,其禁带宽度E随x增加... 详细信息

采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgZnO陶瓷靶在Si（100）和石英衬底上生长MgZnO薄膜。采用X射线衍射谱（XRD）、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgZnO薄膜在x≤0.325时具有单一（002）取向的六方结构,其禁带宽度E随x增加而增加,薄膜表面在入射光能量大于禁带宽度时有光电响应,并且在x=0.325时得到了禁带宽度在4.9 eV的MgZnO薄膜。在x>0.325时出现立方相结构,禁带宽度有所减少,说明此时已为混相薄膜。

关键词： MgxZn1-xO 透射谱光电导

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SiGe衬底离子注入模拟研究

SiGe衬底离子注入模拟研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李强乔颖杨杰于民王金延黄如张兴北京大学微电子学研究院

运用分子动力学的研究方法,通过对SiGe衬底建立模型,开发出了针对于Ge和SiGe衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及SiGe衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,... 详细信息

运用分子动力学的研究方法,通过对SiGe衬底建立模型,开发出了针对于Ge和SiGe衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及SiGe衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的SiGe衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于SiGe衬底离子注入的影响。

关键词：锗硅离子注入分子动力学模拟

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试... 详细信息

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365 nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6 V偏压下255 nm处响应度为0.1 A/W,并以此推算出AlGaN材料的Al含量为0.66。

关键词：金属-半导体-金属日盲探测器半峰宽双色响应度

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F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：关敏曹国华李林森曾一平中国科学院半导体研究所材料中心

实验中制备了一种FCuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2 000 cd/m下,第一个器件的效率是2.7 cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6 cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB... 详细信息

实验中制备了一种FCuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2 000 cd/m下,第一个器件的效率是2.7 cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6 cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄膜,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。

关键词：空穴注入十六氟代酞菁铜有机电致发光器件

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MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm无铝量子阱激光器

MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm无铝量子阱激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李沛旭夏伟李树强张新汤庆敏任忠祥徐现刚山东大学晶体材料重点实验室山东华光光电子有限公司

设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积（MOCVD）进行外延生长,制作了100μm条宽,1 500μm腔长的808 nm激光器器件,镀膜后... 详细信息

设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积（MOCVD）进行外延生长,制作了100μm条宽,1 500μm腔长的808 nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5 mA,斜率效率1.31 W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8 W,并且计算得到内吸收系数为1.7 cm。

关键词：量子阱激光器非对称结构金属有机化学气相外延

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天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：崔利杰曾一平王保强朱战平石小溪黄振李淼赵国忠中国科学院半导体研究所材料中心首都师范大学物理系

研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(Hz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3 THz,而且七种不同几何... 详细信息

研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(Hz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3 THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。

关键词：太赫兹低温砷化镓薄膜光电导材料时域光谱测试

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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

研究了水平热壁式CVD（hot-wall CVD）4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H的流量获得低于1%（最好值为0.09%）的外延厚度均匀性（σ/mean）,碳硅比（C/Si）的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%... 详细信息

研究了水平热壁式CVD（hot-wall CVD）4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H的流量获得低于1%（最好值为0.09%）的外延厚度均匀性（σ/mean）,碳硅比（C/Si）的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%（最好值为4.37%）的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式CVD 碳硅比均匀性

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8～3.4 GHz的频带内小信号增益大于12 dB,漏电压为32 V时带内脉冲输出功率超过5 W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

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InP基共振遂穿二极管研究

InP基共振遂穿二极管研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA/cm,峰谷电流比为8.6。通过MALAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

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AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：闫鹏飞隋曼龄中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室

对用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（AlO）衬底上生长的紫外光发光二极管（UV-LED）圆晶片进行了透射电子显微镜（EM）观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存... 详细信息

对用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（AlO）衬底上生长的紫外光发光二极管（UV-LED）圆晶片进行了透射电子显微镜（EM）观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在（0001）面和{1122}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。

关键词：氮化镓位错带状缺陷拉应力

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