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生长源流量对SiC外延生长的影响
生长源流量对SiC外延生长的影响
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 李赟 李哲洋 董逊 陈辰 中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息
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离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究
离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 董利菲 郝秋艳 刘彩池 河北工业大学信息功能材料研究所
将Si离子注入到热氧化生长的SiO层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,可观察到纳米Si的发生;在1 100℃下退火,纳米Si发光达到最强。... 详细信息
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空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 曹国华 关敏 曹俊松 李林森 曾一平 中国科学院半导体研究所新材料部
分别以CuPc、C和C/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq/LiF/Al结构有机电致发光器件（HIL是空穴注入层）。相比于单层C注入层器件,由于C/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和1... 详细信息
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基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 欧阳思华 武锦 李艳奎 刘新宇 中国科学院微电子研究所
由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HB)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HB器件性能间的... 详细信息
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P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 汤琨 顾书林 朱顺明 南京大学物理系南京微结构国家实验室
通过采用O与NO按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O与NO流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意掺杂... 详细信息
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LCD用LED背光中的取代滤色膜技术
LCD用LED背光中的取代滤色膜技术
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 范曼宁 梁萌 王国宏 中科院半导体研究所照明研发中心
LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使液晶显示有较好的显示画质。采用一种将红绿色荧光粉按比例混合,在450 nm左右蓝光激发下生成RGB三基色,从而获得白光LED。为了获得高质量的背光显示,采用... 详细信息
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T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 马泽宇 王晓亮 中国科学院半导体研究所材料科学中心半导体材料科学重点实验室
四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶... 详细信息
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通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 文于华 范冰丰 骆思伟 王钢 刘扬 中山大学光电材料与技术国家重点实验室
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对... 详细信息
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As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 管和松 李万成 高福斌 吴国光 夏小川 杜国同 吉林大学集成光电子国家重点实验室
利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO（ZnO:As）薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的AlO衬底上（ZnO:As:A）;另一种是直接生长在GaAs衬底上（ZnO:As:G）。X射线光电子能谱（XPS）的研究发现,两种方式生长... 详细信息
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ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性
ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 贺永宁 张雯 崔吾元 崔万照 王东 朱长纯 侯洵 西安交通大学电子与信息工程学院 西安交通大学理学院 中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家重点实验室
采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔... 详细信息
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