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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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284 篇 会议
4 篇 期刊文献

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288 篇 电子文献
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学科分类号

283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响

ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：邓俊静齐胜利陈志忠田朋飞郝茂盛张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室上海蓝光科技有限公司

采用不同条件的等离子体（O、Cl）对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、阴极荧光谱（CL）、光致发光光谱（PL）、电流电压（I-V）等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究... 详细信息

采用不同条件的等离子体（O、Cl）对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、阴极荧光谱（CL）、光致发光光谱（PL）、电流电压（I-V）等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用。另外,样品经O等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl等离子体刻蚀后得到有效的去除。

关键词：感应耦合等离子体氮空位蓝带

来源：评论

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MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：朱光耀顾书林朱顺明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状... 详细信息

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式。研究发现,高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度地激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。

关键词：氧化锌金属有机物化学气相淀积缓冲层表面形貌晶体质量

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氧气压力对PLD ZnO薄膜形貌及光学性质影响

氧气压力对PLD ZnO薄膜形貌及光学性质影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：曹培江曾玉祥贾芳朱德亮马晓翠吕有明深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

使用脉冲激光沉积（PLD）方法在石英（SiO）和单晶Si（111）基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、表面轮廓仪、扫描电子显微镜（SEM）、荧光光谱（PL）、紫外可见分光光度计,对合成样品进行了结构、成分以... 详细信息

使用脉冲激光沉积（PLD）方法在石英（SiO）和单晶Si（111）基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、表面轮廓仪、扫描电子显微镜（SEM）、荧光光谱（PL）、紫外可见分光光度计,对合成样品进行了结构、成分以及光学性能的分析。结果显示,在1～10 Pa的氧气压力条件下制备的所有ZnO薄膜均有着较高的光学透过率（>75%）,氧气压力临界值为2 Pa。氧气压力2 Pa时合成的ZnO薄膜有着较平整的表面及较高的沉积速率（250 nm/h）,（002）峰的半高宽为0.20°,此时薄膜中氧空位含量较少,薄膜显示出良好的PL特性。

关键词：氧气压力脉冲激光沉积氧化锌 PL谱

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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池河北工业大学信息功能材料研究所

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型... 详细信息

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。

关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火

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N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光

N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系微结构国家重点实验室

采用金属有机物化学汽相沉淀法（MOCVD）在蓝宝石衬底（0002）上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1 000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332 eV附近有... 详细信息

采用金属有机物化学汽相沉淀法（MOCVD）在蓝宝石衬底（0002）上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1 000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332 eV附近有三个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射（FX）、施主束缚激子（DX）和其双电子伴线（TES）,随着温度升高,施主热解离,导致DX峰强下降,而FX增强,同时DAP峰也向e-A峰转变。深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的负热淬灭效应,讨论了其产生原因。

关键词： N掺杂ZnO 变温光致发光谱激子负热淬灭效应

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AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯（SdH）振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼... 详细信息

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯（SdH）振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g的大小,发现由于交换相互作用,g比g有了显著的增加,同时g随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。

关键词： AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气自旋

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4H-Si1-yCy合金的生长及特性

4H-Si1-yCy合金的生长及特性

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室

用化学气相淀积（CVD）法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了SiC合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压（ECV）方法,以及俄歇电子能谱（AES）等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜... 详细信息

用化学气相淀积（CVD）法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了SiC合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压（ECV）方法,以及俄歇电子能谱（AES）等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示SiC合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中（表面除外）的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。

关键词：化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金电化学腐蚀电容电压载流子浓度分布

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W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真

W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇中国科学院微电子研究所

介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHB器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHB器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94 GHz,采用共发射... 详细信息

介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHB器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHB器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94 GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示,功率放大器在94 GHz工作频率下增益为6.1 dB,3 dB带宽为DC～103 GHz,饱和输出功率大于16 dBm,同时输入输出回波损耗小于-20 dB,隔离度大于30 dB。目前电路正在流片制作当中。

关键词： W波段磷化铟双异质结双极型晶体管功率放大器单片微波集成电路

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Future Applications of GaN Electron Devices

Future Applications of GaN Electron Devices

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者： Ohno Yasuo Institute of Technology and Science the University of Tokushima

0 Introduction Fifteen years have passed since the first A1 GaN/GaN HFET was reported in *** FETs have already commercialized as microwave power devices,but volume production has not yet *** main application field is ... 详细信息

关键词： GaN Future Applications of GaN Electron Devices

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MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室

使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬... 详细信息

使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同,是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仅为3.9 nm,表面沿[0001]方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。

关键词： a面氮化镓非极性金属有机物化学气相沉积

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