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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

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TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用

TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨俊董志远胡炜杰段满龙赵有文中国科学院半导体研究所北京市912信箱北京 100083

采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料。本文研究了高温碳化处理Ta... 详细信息

采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料。本文研究了高温碳化处理Ta坩埚制备TaC坩埚的工艺技术,分析了TaC坩埚的组分均匀性、碳化过程和机理,探讨了制备优质TaC坩埚和延长坩埚使用寿命的途径。

关键词：单晶生长物理气相传输法坩埚材料碳化处理

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磁控溅射掺铒氮化硅薄膜的光致荧光谱

磁控溅射掺铒氮化硅薄膜的光致荧光谱

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：丁武昌郑军左玉华成步文余金中王启明郭亨群吕蓬申继伟中科院半导体研究所光电集成实验室北京 100083 华侨大学信息科学与工程学院泉州 362011

采用磁控溅射法生长了掺铒氮化硅薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了铒离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对铒... 详细信息

采用磁控溅射法生长了掺铒氮化硅薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了铒离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对铒离子的跃迁发光机制进行了讨论。

关键词：稀士发光掺铒氮化硅薄膜光致荧光谱磁控溅射法

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激光剥离对于GaN外延材料应力的影响

激光剥离对于GaN外延材料应力的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：樊晶美王良臣刘志强中国科学院半导体照明研发中心北京 100083

GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,电镀后样品B以及激光剥离后样品c较之于无应力状态下的GaN薄膜... 详细信息

GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,电镀后样品B以及激光剥离后样品c较之于无应力状态下的GaN薄膜的E2模式均向高频方向移动,这表明样品中应力的增加。与此同时,样品C的FwHM较之于样品A,B显著加宽,而且样品C中A1(LO)峰消失,这说明样品C中的位错缺陷显著增加。

关键词：氮化镓外延层拉曼光谱激光剥离外延材料品格系数热膨胀系数

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改进了渡越时间方程的InP DHBT模型

改进了渡越时间方程的InP DHBT模型

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：葛霁金智程伟苏永波刘新宇中国科学院微电子研究所北京100029

本文建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。本文从电荷方程出发,首先给出了耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHBT的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间... 详细信息

本文建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。本文从电荷方程出发,首先给出了耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHBT的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间方程,进而得到了扩散电荷方程。最后,建立了一个基于改进的电荷办程的新的InP DHBT大信号模型。新的模型的直流,S参数在很宽的偏置范围下均与实际测试结果拟合完好,准确地预测了器件的特性。

关键词：磷化铟渡越时间方程双极晶体管复合结构集电极电荷方程器件特性

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SiC/SiN/Si材料的APCVD生长及表征

SiC/SiN/Si材料的APCVD生长及表征

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：贾护军杨银堂柴常春李跃进西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在PECVD Si/SiN复合衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)测量分析了高温预处理前后衬底表面结构的变化,及其对SiC生长层结晶质量的影响... 详细信息

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在PECVD Si/SiN复合衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)测量分析了高温预处理前后衬底表面结构的变化,及其对SiC生长层结晶质量的影响。研究结果表明,高温处理会导致SiN由多晶相向准单晶转变,晶化的SiN表面不利于SiC成核生长,适当降低薄膜生长温度可以抑制SiN的相变,此时得到的是<111>晶向择优生长的多晶SiC薄膜,并含有少量多晶硅的混合物。

关键词：化学汽相淀积常压化学气相淀积多晶碳化硅薄膜 X射线衍射

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高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究

高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘波尹甲运李佳冯志宏冯震蔡树军专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实... 详细信息

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实现了InAlN/GaN异质结室温下二维电子气浓度2.6×10 13cm-2、迁移率1150 cm2/V·s、方块电阻210Ω/□。本文是国内对InAlN/GaN异质结材料的首次报道。

关键词：金属有机物化学气相沉积异质结材料外延生长电子气浓度

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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：丁瑞雪杨银堂韩茹西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071

本文采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正... 详细信息

本文采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10mm深度的部分。

关键词：碳化硅材料感应耦合等离子体刻蚀工艺光刻水平 ICP功率偏置电压

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低微管密度SiC单晶生长(邀请报告)

低微管密度SiC单晶生长(邀请报告)

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐现刚高玉强宁丽娜彭燕陈秀芳胡小波蒋民华山东大学晶体材料国家重点实验室济南 250100

自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于30 arcsec。半绝缘衬底上生长出AlGaN/GaN H... 详细信息

自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于30 arcsec。半绝缘衬底上生长出AlGaN/GaN HEMT四胞内匹配器件在8GHz下输出功率大于64W。

关键词：碳化硅单晶生长炉升华法微管密度开盒即用

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宽频带微波功率检测器设计及仿真

宽频带微波功率检测器设计及仿真

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：韩颖许会沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳 110176 沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳 110176

介绍了一种宽频带微波功率检测器,论述功率检测器的基本原理以及环境温度影响功率检测器检测结果的原理,并给出了具有温度补偿功能的功率检测器在不同环境温度下的仿真结果。在设计过程中应用ADS准确地仿真出在频率、功率和温度方面功... 详细信息

介绍了一种宽频带微波功率检测器,论述功率检测器的基本原理以及环境温度影响功率检测器检测结果的原理,并给出了具有温度补偿功能的功率检测器在不同环境温度下的仿真结果。在设计过程中应用ADS准确地仿真出在频率、功率和温度方面功率检测电路的性能。这种功率检测器体积小,频带宽,性能稳定,易于集成等优点,可在微波领域广泛应用。

关键词：肖特基二极管温度补偿功率检测温度仿真微波功率检测电路电路性能

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MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究

MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：钟泽苏剑锋舒妲陈小庆傅竹西中国科学技术大学物理系合肥 230026

以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对... 详细信息

以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对溥膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结品性能最佳,但发光性质小如200℃生长的样品。随载气流量从1.2slm-2.0slm增加过程中薄膜的结晶和发光性能逐渐提高,此外合适的源流量对薄膜的质量提高起到关键作用。

关键词：化合物半导体金属有机物化学气相沉积氧化锌薄膜发光性能载气流量

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