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- 230 篇 电子科学与技术（可...
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51 篇 理学
- 51 篇 物理学
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主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
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8 篇 分子束外延
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7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
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6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

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稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质

稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275

本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷... 详细信息

本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn:TiO2薄膜不同的是,具有盘了的结晶质量的Mn:TiO2薄膜没有磁性。得出结论,室温稀磁性质与材料的结构缺陷具有很大的联系。

关键词：稀磁半导体二氧化钛薄膜分子束外延室温铁磁性锰掺杂晶体结构

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天线的几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

天线的几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：崔利杰曾一平王保强朱战平石小溪黄振李淼赵国忠中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料中心北京10008 首都师范大学物理系北京 100087

本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不... 详细信息

本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。

关键词： THz发射性能太赫兹波低温砷化镓薄膜天线几何结构光电导材料时域光谱

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垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析

垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘志强王良臣樊晶美郭恩卿王国宏李晋闽中科院半导体所照明研发中心北京 100083

热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨... 详细信息

热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响。实验结果表明,热压键合过程会存GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化:同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大。

关键词：热压键合半导体二极管应力损伤反向漏电制备工艺位错密度

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F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：关敏曹国华李林森曾一平中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083

实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为宅穴注入层相校于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善。例如,在2000 cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜的器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于... 详细信息

实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为宅穴注入层相校于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善。例如,在2000 cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜的器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄膜,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。

关键词： NPB薄膜空穴注入层有机电致发光器件热稳定性

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GaN基雪崩二极管的蒙特卡罗模拟

GaN基雪崩二极管的蒙特卡罗模拟

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郑致远王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275

由于宽禁带、高增益所带来的优越光电性能,GaN基材料雪崩二极管(APD)在近年得到广泛的关注,成为紫外探测的重要工具。本文使用蒙特卡罗方法对GaN基雪崩二极管器件进行理论模拟,通过二维模型我们通过模拟得到了载流子漂移速度、平均能量... 详细信息

由于宽禁带、高增益所带来的优越光电性能,GaN基材料雪崩二极管(APD)在近年得到广泛的关注,成为紫外探测的重要工具。本文使用蒙特卡罗方法对GaN基雪崩二极管器件进行理论模拟,通过二维模型我们通过模拟得到了载流子漂移速度、平均能量、能谷占有率等稳态结果,对电子和空穴两种载流子的输运特性进行了理论的探讨和研究;同时使用一维简化模型对GaN基材料器件特性进行了模拟,得到了碰撞电离系数、速度过冲、增益和噪声等结果。

关键词： GaN基材料蒙特卡罗模拟雪崩二极管光电性能紫外探测载流子输运

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一种检验GaN基外延材料质量的简易方法

一种检验GaN基外延材料质量的简易方法

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李诚瞻魏珂郑英奎刘果果庞磊刘新宇中国科学院微电子研究所北京 100029

研究GaN基外延材料对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应的对应关系,提出一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应的AlG... 详细信息

研究GaN基外延材料对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应的对应关系,提出一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应的AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌程度更小,反之亦然。缺陷俘获电子是引起背对背肖特基结I-V特性不对称的根本原因,这缺陷也是产生AIGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的重要原因,因此利用背对背肖特基I-V特性的对称性是定性的评价GaN基外延材料质量优劣的一种有效办法。

关键词：外延材料背对背肖特基结电流崩塌效应

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通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：文于华范冰丰骆思伟王钢刘扬中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底AlGaN,GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距、以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,... 详细信息

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底AlGaN,GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距、以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。

关键词： Si衬底 AlGaN GaNHFET器件通孔结构有限元分析热特性模拟

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AlXGa1-XN/GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应

AlXGa1-XN/GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：贺小伟沈波陈涌海尹春明张琦许福军北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京 100871 中国科学院半导体研究所材料物理开放实验室北京 100083

GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。本文利用自旋光电流效应(CPGE)对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋性质进行了研究,主要包... 详细信息

GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。本文利用自旋光电流效应(CPGE)对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋性质进行了研究,主要包括该体系中CPGE的物理机制,对称破却引起的能带Rashba自旋分裂以及由逆自旋霍尔效应(RSHE)形成的涡旋状反常CPGE电流。

关键词：异质结构自旋轨道耦合逆自旋霍尔效应光电流效应宽禁带半导体物理机制氮化镓自旋性质

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InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：... 详细信息

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。并通过MATLAB软件对器件Ⅰ-Ⅴ测试曲线进行了数值拟合,拟合结果与实验数据吻合的很好。

关键词：共振遂穿二极管优化设计外延材料电子束光刻光刻工艺空气桥互连电学特性

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离子注入AlN单晶的荧光谱分析

离子注入AlN单晶的荧光谱分析

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李巍巍赵有文董志远杨俊胡炜杰中国科学院半导体研究所北京912信箱100083

对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,... 详细信息

对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,荧光强度显著增大,说明大量注入的杂质原子成为替位原子。CL结果表明一个位于457nm峰与Al空位有关。霍尔测试表明退火后样品的电阻率仍很高,说明杂质在AlN单晶中的电学激活效率较低。

关键词：离子注入氮化铝自成核生长单晶生长荧光谱分析发光特性荧光强度

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