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检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"
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ZnO/GaN异质发光二极管的电致发光
ZnO/GaN异质发光二极管的电致发光
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 吕有明 深圳大学材料学院 深圳 518060
利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主相关的缺陷发光;为改善发光性能,通过插入绝缘层,制备了n-ZnO/... 详细信息
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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所 五中心210016 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室210016
本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基... 详细信息
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GaN器件结构与二维电子气关系的研究
GaN器件结构与二维电子气关系的研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 郑惟彬 孔月婵 陈堂胜 陈辰 单片集成电路与模块国家重点试验室 南京 210016
在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN HEMT器件中势垒层Al组分比、势垒层厚度和掺杂浓度对2DEG的影... 详细信息
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基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 欧阳思华 武锦 李艳奎 刘新宇 中国科学院微电子研究所 北京 100029
由它的材料特性和结构特点决定,HBT(异质结双极型晶体管)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作,测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能... 详细信息
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谐振隧穿晶体管数字集成电路述评
谐振隧穿晶体管数字集成电路述评
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 李效白 专用集成电路国家重点实验室 石家庄 050051
谐振隧穿器件具有高频高速、低功耗、双稳自锁的特点,能构成与非门、或非门、流水线逻辑门、择选逻辑门、D触发器、静态存储器、单稳双稳逻辑转换电路、多值逻辑等数字单片集成电路,它具有多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等鲜明... 详细信息
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超高频InP基电子器件和电路
超高频InP基电子器件和电路
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 刘新宇 金智 张海英 中国科学院微电子研究所 北京 100029
本文介绍了国际、国内超高频InP基电子器件和电路的发展。重点介绍了我们制作成功的超高频InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结构双极晶体管(HBT)的特性。采用自主研发的材料结构、工艺,研制成功栅长为120 nm的InP基HEMT器件,ft石达... 详细信息
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Mg含量对p型MgZnO性能的影响
Mg含量对p型MgZnO性能的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 姚斌 李永峰 盖延琴 魏志鹏 申德振 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院激发态重点实验室长春 130033
利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长出未掺杂和氮(N)掺杂MgZnO合金薄膜。研究了Mg含量对MgZnO的电子结构。 N掺杂浓度和N受主能级的影响规律和机制。发现随Mg含量的增加,MgZnO的带隙增宽,价带顶缓慢下移,但导带底快速上移;Mg含量... 详细信息
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波长扩展(λ>1.7μm)InGaAs光电探测器及其应用
波长扩展(λ>1.7μm)InGaAs光电探测器及其应用
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张永刚 顾溢 王凯 李成 李爱珍 郑燕兰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电... 详细信息
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利用氟基等离子注入对AlGaN/GaN HEMT阈值电压的控制技术:从常开器件到常关器件
利用氟基等离子注入对AlGaN/GaN HEMT阈值电压的控制技术:从常开...
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈敬 香港科技大学电子及计算机工程系
近年来,我们发明了在氮化异质结场效应管中利用氟离子注入进行电势和电荷调制的技术,该技术为获得理想器件性能以及制造理想结构的集成电路开拓了无数机遇。氟等离子注入技术最深远的意义在于它提供了具有低开肩电阻和高击穿电压的自对... 详细信息
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MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 崔旭高 张荣 陶志阔 李鑫 修向前 谢自力 郑有炓 江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京大学物理系南京 210093
我们用MOCVD技术在(0001)取向的蓝宝石衬地上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结... 详细信息
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