咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 284 篇 会议
  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 288 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 283 篇 工学
    • 231 篇 材料科学与工程（可...
    • 230 篇 电子科学与技术（可...
    • 72 篇 光学工程
    • 24 篇 仪器科学与技术
    • 3 篇 核科学与技术
    • 2 篇 机械工程
    • 2 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 控制科学与工程
  • 51 篇 理学
    • 51 篇 物理学
    • 8 篇 化学

主题

  • 29 篇 氮化镓
  • 19 篇 金属有机物
  • 18 篇 化合物半导体
  • 12 篇 离子注入
  • 12 篇 发光二极管
  • 11 篇 外延生长
  • 10 篇 氧化锌薄膜
  • 9 篇 氧化锌
  • 9 篇 异质结
  • 9 篇 化学气相沉积
  • 9 篇 x射线衍射
  • 8 篇 稀磁半导体
  • 8 篇 分子束外延
  • 7 篇 有机电致发光器件
  • 7 篇 异质结构
  • 7 篇 碳化硅
  • 7 篇 化学气相淀积
  • 7 篇 化学气相沉积法
  • 6 篇 二维电子气
  • 6 篇 位错密度

机构

  • 31 篇 南京大学
  • 17 篇 北京大学
  • 15 篇 中国科学院半导体...
  • 15 篇 中山大学
  • 12 篇 中国科学院微电子...
  • 11 篇 深圳大学
  • 10 篇 中国科学院半导体...
  • 10 篇 河北工业大学
  • 9 篇 南京电子器件研究...
  • 9 篇 山东大学
  • 9 篇 西安电子科技大学
  • 9 篇 电子科技大学
  • 9 篇 江苏省光电信息功...
  • 9 篇 南京电子器件研究...
  • 8 篇 中国科学院半导体...
  • 7 篇 中国科学院半导体...
  • 5 篇 西安交通大学
  • 5 篇 四川大学
  • 5 篇 山东华光光电子有...
  • 4 篇 华南师范大学

作者

  • 30 篇 郑有炓
  • 28 篇 张荣
  • 28 篇 谢自力
  • 19 篇 韩平
  • 18 篇 刘斌
  • 17 篇 陈辰
  • 16 篇 刘新宇
  • 16 篇 李晋闽
  • 16 篇 修向前
  • 15 篇 侯洵
  • 14 篇 曾一平
  • 13 篇 王晓亮
  • 12 篇 王钢
  • 12 篇 王占国
  • 11 篇 顾书林
  • 11 篇 张国义
  • 11 篇 肖红领
  • 11 篇 王翠梅
  • 10 篇 赵红
  • 10 篇 吕有明

语言

  • 286 篇 中文
  • 2 篇 英文
检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"
共 288 条 记 录，以下是61-70 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器
双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘俊岐 李路 刘峰奇 王利军 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 100083
量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双声子共振... 详细信息
来源： 评论
一种具有提高输入电流动态范围的单元读出电路设计
一种具有提高输入电流动态范围的单元读出电路设计
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 程亮 于奇 王向展 杨谟华 宁宁 朱雁翎 徐晋 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
本文设计了一个由CMOS差分放大器构成的电容反馈跨阻型紫外焦平面单元读出电路。该电路在传统的读出电路基础上进行改进,大幅度的提高了输入电流的动态范围。该单元读出电路可应用于工作在快照模式下的128×128 FPA读出电路,像素输... 详细信息
来源： 评论
ZnO基GaN材料的生长初探
ZnO基GaN材料的生长初探
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 魏学成 曾一平 王国宏 李晋闽 中国科学院半导体所照明研发中心 北京 100083
高质量大尺寸的GaN单晶材料的获得是目前进一步发展GaN基器件的关键问题。由于目前已经证明工业化生产GaN体单晶非常困难,因此目前多采用c面蓝宝石、Si或6H-SiC作为衬底生长GaN薄膜材料。而ZnO以其与GaN相同的晶体结构以及小的晶格失配... 详细信息
来源： 评论
垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所 天津 300130
本文呈现了基于CFD理论得出的不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器的温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温... 详细信息
来源： 评论
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 谢自力 宋黎红 崔影超 韩平 施毅 郑有炓 张荣 崔旭高 陶志阔 修向前 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室南京 210093
稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性而倍受瞩目。近年来,稀磁半导体的III-V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明。少量的锰... 详细信息
来源： 评论
碲锌镉单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
碲锌镉单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李新磊 赵北君 朱世富 邱春丽 王智贤 丁群 何知宇 陈宝军 四川大学材料科学系 成都 610064
采用改进的Bridgman法生长出尺寸为Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体,沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试,在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的... 详细信息
来源： 评论
四针状氧化锌晶须的制备及其吸波特性研究进展
四针状氧化锌晶须的制备及其吸波特性研究进展
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 马泽宇 王晓亮 中国科学院半导体研究所材料科学中心 北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中围科学院半导体研究所北京 100083
四针状氧化锌晶须以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。本文介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备以及其吸波特性的研究进展。指出改性氧化锌晶... 详细信息
来源： 评论
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 闫鹏飞 隋曼龄 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳 110016
对用化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽约300-700 nm,长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGa... 详细信息
来源： 评论
《半导体技术》第二届理事会成员
《半导体技术》第二届理事会成员
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
来源： 评论
离子注入制备的纳米硅光致发光特性研究
离子注入制备的纳米硅光致发光特性研究
收藏
分享
引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 董利菲 郝秋艳 刘彩池 河北工业大学信息功能材料研究所 天津 300130
本文将硅离子注入到热氧化生长的二氧化硅层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达... 详细信息
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共29页 <<  < 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 >  >>
回到顶部
执行限定条件