检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

284 篇 会议
4 篇 期刊文献

馆藏范围

288 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

283 篇 工学
- 231 篇 材料科学与工程（可...
- 230 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

286 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议"

共 288 条记录，以下是81-90 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹国华关敏曹俊松李林森曾一平中国科学院半导体研究所新材料部北京 100083

本文分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被... 详细信息

本文分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96％和142％(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡。器件的效率得到提高,最大效率为2.8 cd/A。C60厚度从2nm增加到5 nm后,器件性能急剧降低。

关键词：有机电致发光器件空穴注入结构异质结 CuPc器件电流密度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响

高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐小秋林碧霞孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西中国科学技术大学物理系合肥 230026

通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在10 K低温PL谱中观察到多... 详细信息

通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在10 K低温PL谱中观察到多个紫外发光谱线。其中位于3.362 eV的中性舒服激子(D0X)占主导地位。值得注意的是D0X和它的双电子发射(TES)较未处理的ZnO均有很大增强。同时,Hall测试结果表明经Zn气氛处理样品的电子浓度较未处理样品提高了50％。作者认为Zn扩散进入ZnO形成Zn(1)缺陷增强了ZnO紫外发光强度,提高了电子浓度。

关键词：氧化锌单晶化合物半导体紫外发光发光强度电子浓度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器

高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：季海铭曹玉莲杨涛马文全曹青陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京 100083

为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率... 详细信息

为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率达到30mW以上。为了研究器件的热稳定性,我们测试了器件在10℃-90℃温度范围内阈值电流密度随温度的变化情况。 1200μm腔长的激光器在10℃-60℃范围内的特征温度达到246K,表明对有源区进行P型调制掺杂有利于量子点激光器温度特性的提高。

关键词：量子点 P型掺杂量子点激光器光通信温度特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器

MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李沛旭夏伟李树强张新汤庆敏任忠祥徐现刚山东大学晶体材料重点实验室济南 250100 山东华光光电子有限公司济南 250101 山东华光光电子有限公司济南 250101

设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜... 详细信息

设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。

关键词：量子阱激光器非对称结构金属有机物化学气相外延宽波导结构阈值电流外延生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高性能Si基Ge探测器的研制

高性能Si基Ge探测器的研制

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛海韵薛春来成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29.4mA/cm2;测试结果表明探测器具有良好的光响应,在1.31μm波长... 详细信息

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29.4mA/cm2;测试结果表明探测器具有良好的光响应,在1.31μm波长下,0V和-1V偏压下响应度分别为0.37mA/W和0.38mA/W,1.55μm的光响应为0.21A/W。探测器的高频特性测试表明,台面直径30μm的探测器,0V,-1V和-3v 下 3dB带宽分别为4.72GHz,5.38GHz和6.28GHz。

关键词：硅基镓光电探测器外延生长暗电流密度高频特性测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、Al、镍硅化物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词：碳化硅金属掩膜微波功率器件干法刻蚀功率增益

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质

非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙莉莉闫发旺张会肖王军喜曾一平王国宏李晋闽中科院半导体研究所半导体照明研发中心北京 100083

我们采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨x射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明:在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起... 详细信息

我们采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨x射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明:在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效的恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN:Mn退火样品具有室温铁磁特性。

关键词：稀磁半导体氮化镓薄膜离子注入室温铁磁性铁磁性质 z射线衍射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率PHEMT器件大信号建模

功率PHEMT器件大信号建模

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘军孙玲玲吴颜明杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州 310037

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基pHEMT/HEMT/HFET器件大、小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区,以及亚阀值区特性;且漏导精确。主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实... 详细信息

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基pHEMT/HEMT/HFET器件大、小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区,以及亚阀值区特性;且漏导精确。主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导、且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿,以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对-GaAs基pHEMT器件建模结果,从大、小信号测量和仿真对比结果来看,模型已有较好精度,可供实用。

关键词：等效电路电路模型沟道电流热效应特性弱雪崩击穿功率器件场效应晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化镓基激光器研究

氮化镓基激光器研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨辉张书明张立群曹青朱建军赵德刚刘宗顺季莲陈良惠中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,脊形高度增加可以增加限制因子,降低阈值电流,提高斜率效率,降低远场纵横比。通过测量具有不同脊形高度的激光器,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、斜率效... 详细信息

利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,脊形高度增加可以增加限制因子,降低阈值电流,提高斜率效率,降低远场纵横比。通过测量具有不同脊形高度的激光器,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、斜率效率增加,水平方向远场发散角增加,远场纵横比减小。

关键词：激光器脊形高度限制因子氮化镓光波导模型远场分布阈值电流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InGaN肖特基接触的研究

InGaN肖特基接触的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙苋刘文宝江德生赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏杨辉中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215125

采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截... 详细信息

采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截面进行二次电子显微(SEM)图像、阴极荧光(CL)图像以及电子束感生电流(EBIC)图像的表征,发现Ni/Au/n-InGaN接触在n-InGaN一侧存在内建电场,从而进一步证实Ni/Au/n-InGaN的Schottky接触的形成。

关键词： InGaN薄膜 Schottky接触肖特基接触扫描电子显微 MOCVD法外延生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共29页 << < 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：