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283 篇 会议
4 篇 期刊文献

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282 篇 工学
- 230 篇 材料科学与工程（可...
- 229 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

285 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议"

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MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系江苏南京 210093

本文使用MOCVD直接外延r面宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]方向和[1100]方向横向关联长度分别为41.9nm和14.8nm,解释了而内各向异性的一个原因,在这两个方向N... 详细信息

本文使用MOCVD直接外延r面宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]方向和[1100]方向横向关联长度分别为41.9nm和14.8nm,解释了而内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仪为3.9nm,表面沿[0001]方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。

关键词：薄膜晶体晶体结构氮化镓薄膜各向异性倒易空间法金属有机物化学气相淀积

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a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室南京 210093

对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示：非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝IB046, IYL∝... 详细信息

对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示：非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝IB046, IYL∝IB0.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收,自由载流子和应力的综合作用引起的。

关键词：氮化镓薄膜阴极荧光激发强度金属有机物化学气相淀积自由载流子

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垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟

垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤河北工业大学材料学院信息功能材料研究所天津 300130

本文建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场,生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离,氨气出气口尺寸,衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟... 详细信息

本文建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场,生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离,氨气出气口尺寸,衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结果展示:衬底距离出气口的距离,氨气出气口尺寸是影响GaCl与NH3在衬底上的均匀分布。沉寂速率的均匀性的重要因素:衬底不同转速则对本反应室中的GaCl与NH3在衬底上的均匀分布,沉寂速率的均匀性影响不大。通过数值模拟发现反应室存在的缺陷,并利用模拟结果对反应室进行了优化。

关键词：垂直式HVPE生长 GaN材料流体动力学模型数值模拟

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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃,保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。... 详细信息

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃,保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流了浓度均成M型分布。离了注入及退火工艺并没有改变大直径砷化镓电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。

关键词：砷化镓离子注入电特性霍尔测量电激活效率

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GaN薄膜的太赫兹光谱研究

GaN薄膜的太赫兹光谱研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：方贺男张荣谢自力刘斌修向前陆海韩平郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系 210093

太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4～1.0THz波段的透射光谱,该样品采用... 详细信息

太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4～1.0THz波段的透射光谱,该样品采用金属有机物化学汽相淀积系统生长在蓝宝石衬底上。本文通过对双层膜的光学传输的研究,利用透射光谱的实验数据,由计算机程序计算得到了生长在蓝宝石衬底上的GaN薄膜在室温氮气环境下太赫兹波段的折射率与消光系数的数值解。

关键词：氮化镓薄膜时域光谱太赫兹光谱光谱测量透射光谱金属有机物化学汽相淀积消光系数

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MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究

MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱光耀顾书林朱顺明南京大学物理系和南京微结构国家重点实验室南京 210093

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明：低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛... 详细信息

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明：低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式;研究发现高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度的激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。

关键词：氧化锌缓冲层表面形貌晶体质量表面粗糙度金属有机物化学汽相沉淀法

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宽禁带MgzZn1-zO薄膜的制备和性能研究

宽禁带MgzZn1-zO薄膜的制备和性能研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：盛国浩贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室深圳 518060

采用磁控溅射法、通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明：MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向;随着Mg原子含量的提高,薄膜由六... 详细信息

采用磁控溅射法、通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明：MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向;随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相：MgxZn1-xO合金薄膜的透射谱表明：随着Mg原子含量的增加,薄膜的透射率略有下降,但在可见光区域的平均透射率仍大于85％;随着Mg原子含量的增加,吸收边逐渐蓝移,最短的吸收边为283nm。能隙宽度图表明：随着Mg原子含量的提高,MgxZn1-xO薄膜的能隙宽度从3.36 eV增加到4.27 eV。

关键词： z射线衍射透射光谱磁控溅射法光学性能薄膜结构能隙宽度

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深紫外LED结构设计和外延生长

深紫外LED结构设计和外延生长

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：康俊勇李书平杨伟煌李金钗陈航洋刘达艺厦门大学教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心福建省半导体材料及应用重点实验室厦门 361005

本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应力的释放、二... 详细信息

本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应力的释放、二维生长的控制等MOVPE各项工艺摸索,掌握了较高质量AlN和高Al组分AlGaN外延生长技术,己制备出厚度超过1000nm不开裂、表面较粗糙度小于1nm的外延片。外延生长了完整结构深紫外LED实现了主波长从213nm到300nm电致发光。

关键词：外延生长第一性原理模拟设计量子结构注入效率超晶格空穴浓度发光二极管

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用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪

用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：许铭真马金源谭长华谭映王洁靳磊北京大学微电子研究院北京 100871 北京市北信通微电子系统公司北京 100871 北京大学微电子研究院北京 100871 北京市北信通微电子系统公司北京 100871

比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术-比例差值谱技术[专利号:ZL90 1 04535.7;2专利号:00100121.3],实现了半导体器件的关键的电学特征参数(饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流了迁移率等)的直接、准确、便捷提取和薄... 详细信息

比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术-比例差值谱技术[专利号:ZL90 1 04535.7;2专利号:00100121.3],实现了半导体器件的关键的电学特征参数(饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流了迁移率等)的直接、准确、便捷提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。该谱仪的设计结构、产品硬件性能和分析平台可满足各种半导体器件的测试需求。随着纳米电子器件的研制进展,它将在纳电子器件关键参数测试领域发挥优势。

关键词：半导体器件参数检测比例差值谱仪集成电路纳米尺度器件在线综合检测

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金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究

金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓峰段垚崔军朋曾一平中科院半导体所照明研发中心北京 100083

通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV;退火后为31meV。SIM... 详细信息

通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV;退火后为31meV。SIMS测试结果表明退火前后样品中没有出现新的杂质能级。退火前样品只有带边发光,退火后带边发光几乎消失,出现了强的绿光峰。结合SIMS和PL谱。我们认为31meV可能是氧空位(Vo)点缺陷的浅施主能级：530nm的绿光峰来自于Vo的深施主能级。而13meV的浅施主能级则可能是与位错等结构缺陷有关。

关键词：金属气相沉积法氧化锌薄膜生长电学性质施主能级位错结构

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