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282 篇 工学
- 230 篇 材料科学与工程（可...
- 229 篇 电子科学与技术（可...
- 72 篇 光学工程
- 24 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 核科学与技术
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 控制科学与工程
51 篇 理学
- 51 篇 物理学
- 8 篇 化学

主题

29 篇 氮化镓
19 篇 金属有机物
18 篇 化合物半导体
12 篇 离子注入
12 篇 发光二极管
11 篇 外延生长
10 篇 氧化锌薄膜
9 篇 氧化锌
9 篇 异质结
9 篇 化学气相沉积
9 篇 x射线衍射
8 篇 稀磁半导体
8 篇 分子束外延
7 篇 有机电致发光器件
7 篇 异质结构
7 篇 碳化硅
7 篇 化学气相淀积
7 篇 化学气相沉积法
6 篇 二维电子气
6 篇 位错密度

机构

31 篇 南京大学
17 篇 北京大学
15 篇 中国科学院半导体...
15 篇 中山大学
12 篇 中国科学院微电子...
11 篇 深圳大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 河北工业大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 山东大学
9 篇 西安电子科技大学
9 篇 电子科技大学
9 篇 江苏省光电信息功...
9 篇 南京电子器件研究...
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
5 篇 西安交通大学
5 篇 四川大学
5 篇 山东华光光电子有...
4 篇 华南师范大学

作者

30 篇 郑有炓
28 篇 张荣
28 篇 谢自力
19 篇 韩平
18 篇 刘斌
17 篇 陈辰
16 篇 刘新宇
16 篇 李晋闽
16 篇 修向前
15 篇 侯洵
14 篇 曾一平
13 篇 王晓亮
12 篇 王钢
12 篇 王占国
11 篇 顾书林
11 篇 张国义
11 篇 肖红领
11 篇 王翠梅
10 篇 赵红
10 篇 吕有明

语言

285 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议"

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湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错

湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室

采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN（0001）/AlO中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5 min。通过对Ga... 详细信息

采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN（0001）/AlO中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5 min。通过对GaN样品表面及剖面的扫描电子显微镜（SEM）图像和阴极荧光CL谱线图、影像图的分析,获得了GaN薄膜中存在的螺位错、刃位错和混合位错的分布特性及密度,并发现薄膜中的位错自衬底沿生长方向延伸,且随薄膜厚度的增加而密度减少。实验还研究了腐蚀前后GaN光学性质的改变,发现造成影像图中位错被明亮的六角坑包围的原因是应力自衬底沿生长方向逐步释放影像,致使逐层腐蚀后薄膜的CL谱带边发光峰红移,且发光强度增强。

关键词：氮化镓位错扫描电子显微镜阴极荧光谱

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Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究

Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈高鹏吴旦昱陈晓娟刘新宇李滨中国科学院微电子研究所

采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块,研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离,并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低... 详细信息

采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块,研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离,并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低频振荡和参量振荡,有效提高了功率放大器的稳定性。对直流供电电路进行优化,使电路可以根据不同应用需要灵活调整工作状态设计了储能电容电路,提高了脉冲功率放大器的工作效率。研制成功的Ku波段脉冲功率放大器模块,在13.5～14.0 GHz工作频段,冲重复频率3 kHz,占空比10%,功率增益G≥44 dB,输出脉冲峰值功率P≥30 W,总体工作效率η≥26%（Class B）。功率放大器在DC～14.0 GHz内稳定,没有振荡现象发生。

关键词： Ku波段 GaAs场效应晶体管微带线内匹配脉冲功率放大器

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a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室

对MOCVD生长的r-AlO上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中I∝I,I∝I,这主要是... 详细信息

对MOCVD生长的r-AlO上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中I∝I,I∝I,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收、自由载流子和应力的综合作用引起的。

关键词： a面GaN 阴极荧光激发强度

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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心中国科学院半导体照明研发中心中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上... 详细信息

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果;腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。

关键词： GaN MOCVD 数值模拟流场沉积速率几何结构

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基于面光源模型的光子晶体LED辐射特性

基于面光源模型的光子晶体LED辐射特性

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：招瑜范冰丰王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室

提出了一种用于计算具有光子晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模型。此模型是基于多层散射法的计算方法,可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源不同的是,把器件的发光近似看作由无穷多个点偶极子组成... 详细信息

提出了一种用于计算具有光子晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模型。此模型是基于多层散射法的计算方法,可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源不同的是,把器件的发光近似看作由无穷多个点偶极子组成的面辐射源,这种面光源模型与真实的面辐射器件,如发光二极管(LED),有机发光二极管(OLED)等的辐射机制相近,可得到更接近真实的发光特性。基于这个模型,计算了具有二维光子晶体图案的LED器件的发光特性。二维正方晶格和三角晶格光子晶体表面的LED的辐射的角分布光谱表明,具有光子晶体表面发光器件的出光有明显的增强。与传统的点偶极子模型的计算结果比较,面光源模型得到光谱的共振峰的强度较小,出光的空间分布也有所不同。两种模型结果不同,在三角晶格LED结构中尤为明显。对于LED卒取效率的计算同样表明,面光源得到的三角晶格结构卒取效率要比点光源的结果略低。

关键词：发光二极管光子晶体面光源

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AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究

AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料中心中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室

研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10～10的CO气体的响应状况。在2 V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10的CO仍表现出了明显的响应（电流增大0.7 mA）,随着CO体积分数的升高,器件的... 详细信息

研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10～10的CO气体的响应状况。在2 V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10的CO仍表现出了明显的响应（电流增大0.7 mA）,随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2 V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3 mA/min。

关键词： AlGaN-GaN 肖特基气体传感器氧化碳

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退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响

退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈吉星朱德亮李清华马晓翠贾芳曹培江吕有明深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O和N气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低（<... 详细信息

采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O和N气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低（<300℃）时,电阻稍有下降;当温度升高到400℃时,电阻大幅度上升,而且O气氛下退火比N下升高幅度大得多。同一温度下,样品在O气氛下退火的最大磁化强度比在N气氛下退火的要低;同一退火气氛下,样品的最大磁化强度随退火温度的升高而降低,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。

关键词：磁控溅射 Co掺杂ZnO 退火铁磁性电磁性能

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过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较

过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料中心中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室

实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂... 详细信息

实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。

关键词：稀磁半导体氮化镓稀土族元素离子注入快速退火

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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京信息工程大学数理学院

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延（HVPE）法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐... 详细信息

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延（HVPE）法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为10～9～10cm,而且两种方法所得到的结果相符合。

关键词：位错氮化镓氢化物气相外延 X射线衍射

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采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究

采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密... 详细信息

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×10、7.193×10～9cm,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.239 99×10、7.350 68×10cm,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。

关键词： GaN 位错 X射线衍射有机化学气相淀积各向异性

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