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检索条件"任意字段=第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议"
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在(311)A GaAs衬底上生长的Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料特性研究
在(311)A GaAs衬底上生长的Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料...
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孙娟 谢自力 邱凯 尹志军 南京电子器件研究所 南京 210016 南京大学物理系 南京 210093 中国科学院固体物理研究所 合肥 230031
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料。通过控制V/III束流和其它生长参数优化了材料的生长条件。仅仅通过Si掺杂获得P型GaAs和AlGaAs材料研制生长了微波毫米波器件应用的HFET器件结构材料。Hall... 详细信息
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立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵传阵 张荣 修向前 谢自立 刘斌 刘占辉 颜怀跃 郑有炓 南京大学物理系 江苏省光电信息功能材料重点实验室中山大学光电材料与技术国家重点实验室南京 210093
利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。
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高效高饱和倏逝波耦合型UTC-PD的研制
高效高饱和倏逝波耦合型UTC-PD的研制
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张云霄 廖载宜 陈娓兮 潘教青 朱洪亮 赵玲娟 王圩 中国科学院半导体材料科学重点实验室 中国科学院半导体研究所北京 100083
本文报道了一种新的倏逝波耦合型单一载流子光电二极管(EC-UTC-PD),并分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计优化了InGaAs/InP倏逝波耦合型单一载流子光电探测器的器件结构,以达到提高响应度的目的。实验结果表明,在1550nm激... 详细信息
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垂直结构GaN基LED电流分布计算分析
垂直结构GaN基LED电流分布计算分析
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 黄亚军 王良臣 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽 中科院半导体所照明研发中心 北京 100083
本文通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LED电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LED电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LED的电流分布均匀性得到明显改善,同时正向电压降低约7％。最后,测试结果表... 详细信息
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非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究
非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 胡炜杰 赵有文 孙文荣 段满龙 董志远 杨俊 中国科学院半导体研究所 北京912信箱100083
非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC法生长的InAs单晶的残留杂质,结合Hall测量、Raman散射和... 详细信息
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高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量
高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李成基 李弋洋 曾一平 中国科学院半导体研究所 北京 100083
我们对水热法生长的高阻ZnO单晶,在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80-400K的温度范围内,测出多达13个深能级。热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有... 详细信息
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应力AlGaN/GaN异质结构中AlGaN势垒层的相对介电常数
应力AlGaN/GaN异质结构中AlGaN势垒层的相对介电常数
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵建芝 林兆军 吕元杰 张宇 王占国 山东大学物理学院 济南 250100 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 100083
在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方程,分析计算了AlGaN势垒层的相对介电常数。结果发现我们计算所得的AlGaN势垒层的介电常数不同与之前所报... 详细信息
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以半导体激光器为基础的固态白光光源
以半导体激光器为基础的固态白光光源
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 徐云 陈良惠 胡海峰 宋国峰 李玉璋 中科院半导体研究所 北京 100083
本文通过用445 nm的GaN基蓝光半导体激光器作为激发光源激发黄色和红色混合荧光粉制备了固态白光光源。注入电流为350mA时光通量达到52lm,能效为31lm/W,显色指数为72.7,相关色温为5225K。文中对以半导体激光器为基础的固态白光的光通量... 详细信息
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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究
SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 李忠辉 董逊 任春江 李亮 焦刚 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室
利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52... 详细信息
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GaN薄膜材料TEM样品的制备
GaN薄膜材料TEM样品的制备
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈雷英 陈贵锋 赵勇明 白云娜 马晓薇 李养贤 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所 300130
本文研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射式电子显微镜(TEM)分析用的“三明治”半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有... 详细信息
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