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作者

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518 条 记 录,以下是1-10 订阅
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硅基锗铅(锡)纳米材料光电器件
硅基锗铅(锡)纳米材料与光电器件
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 郑军
兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,硅光子学在过去十年中取得了巨大进展。锗铅和锗锡合金是Ⅳ族硅基半导体材料,通过调节合金的组分配比,其光学带隙可以从近红外波段延伸至中波红外波段,并且可以转变为直接带隙半导体,是制备硅...
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纳米光电材料的自旋特性
纳米光电材料的自旋特性
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 冯东海 华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室
由于量子限域效应和表界面效应,半导体纳米材料具有许多独特的光电特性。本次报告将系统介绍我们课题组与合作者最近几年在半导体纳米材料自旋特性研究中的进展,主要包括:(1)胶体量子点和单层二维材料中自旋动力学的测量与调控[1-5];...
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基于Rashba效应的低维量子器件设计
基于Rashba效应的低维量子器件设计
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 翟学超 南京理工大学应用物理系
主要介绍界面对称性破缺诱导的Rashba 效应及其在新型超低能耗低维量子器件中的潜在应用。
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镁二次电池关键材料设计及器件开发
镁二次电池关键材料设计及器件开发
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 谭双双 重庆大学材料科学与工程学院
Rechargeable magnesium batteries(RMBs)are considered as a highly promising candidate to lithium ion batteries for the large-scale energy storage system by right of the high volumetric capacity,intrinsic safety and abu...
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有机半导体结构精准调控与稳定性研究
有机半导体结构精准调控与稳定性研究
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 余志鹏 安徽大学物质科学与信息技术研究院
有机半导体表现出独特的光电特性,使其在有机太阳能电池等应用中具有重要作用。我们围绕新结构开发与设计,从共轭结构优化、聚集体调控等角度,调整电子特性,揭示构效关系,获得高效、稳定的原型器件,从而为推动高效、稳定有机的发...
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二维半导体谐振型光学超表面
二维半导体谐振型光学超表面
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 张兴旺 中科院苏州纳米所 半导体研究所高技术处
相位梯度超表面是一种以周期或者准周期形式排列的具有亚波长厚度的纳米结构阵列。凭借其对光场精准高效的调控能力,以及轻量化、小型化的优势,相位梯度超表面已成为新一代紧凑、轻薄光学系统的有效方案。
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胶体纳米材料在高性能与智能化光电传感器件中的应用研究
胶体纳米材料在高性能与智能化光电传感器件中的应用研究
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 孙振华 深圳大学物理与光电工程学院
胶体纳米材料具有易合成,表面态丰富,可调控性强,溶液法匹配等优点,在光电传感与信息器件中具有重要的应用前景与潜力。本次报告介绍了本团队在基于胶体纳米材料的红外光电探测与光电感存器件方面的研究进展,对纳米材料器件性能...
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功能氧催化剂的设计与锌空气电池应用研究
功能氧催化剂的设计与锌空气电池应用研究
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 武明杰 武汉纺织大学
The global drive to combat climate change and address the scarcity of natural energy resources underpins the development of renewable energy *** OER with slow reaction kinetics is pivotal for the overall efficiency of...
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掺铒硅反偏二极管碰撞发光原理
掺铒硅反偏二极管碰撞发光原理
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 但亚平 上海交大密西根学院
Er doped Si light-emitting diodes may find important applications in silicon photonics and optical quantum *** diodes exhibit an emission efficiency 2 orders of magnitude higher at reverse bias than forward bias due t...
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CMOS工艺兼容的自旋轨道力矩磁随机存储器件研究
CMOS工艺兼容的自旋轨道力矩磁随机存储器件研究
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纳米光电材料与半导体器件发展论坛
作者: 杨美音 中科院微电子所
磁随机存储器(MRAM)具有高速、非易失、低能耗性等优势,从而成为被广泛关注的下一代高速缓存技术。目前世界主流半导体公司均已成功量产STT-MRAM,已应用于独立式和嵌入式存储。
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