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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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- 3 篇 教育学
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- 1 篇 哲学
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11 篇 新技术研讨会
11 篇 年会
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机构

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13 篇 中国科学院微电子...
12 篇 专用集成电路重点...
11 篇 中国科学院苏州纳...
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9 篇 东南大学
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9 篇 中国电子科技集团...
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7 篇 中国科学院大学
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7 篇 北京大学
7 篇 北京工业大学
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6 篇 西安芯派电子科技...
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作者

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13 篇 冯志红
10 篇 敦少博
8 篇 高巍
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4 篇 刘杰

语言

570 篇 中文

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3300V 10A碳化硅肖特基二极管

3300V 10A碳化硅肖特基二极管

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：倪炜江泰科天润半导体科技(北京)有限公司北京 100192

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3300V 4H-SiC肖特基二极管器件.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,电流密度为100A/cm2,比导通电阻7.77mΩcm2.而反向漏电流在3300V反向偏置电压下为226μA。

关键词：肖特基二极管碳化硅电流密度场限环结构制造工艺

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高功率半导体激光器的单光纤耦合输出

高功率半导体激光器的单光纤耦合输出

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：高欣薄报学乔忠良芦鹏王玉霞李辉长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用MBE方法生长的宽波导、双量子阱结构的AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的厘米条线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,单发光区宽度100μm... 详细信息

设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用MBE方法生长的宽波导、双量子阱结构的AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的厘米条线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,单发光区宽度100μm,发光周期500μm。单条器件包括19个发光单元,单条器件的连续输出功率为50 W,每只单条器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称化变换实现了多线阵器件输出的高光束质量功率合成。采用平凸柱透镜实现了合束光束与400μm芯径、数值孔径0.22石英光纤的高效率耦合,整体耦合效率达到65%,最大耦合输出功率达到195 W,光纤端面功率密度达到1.55×10～5W/cm。

关键词：半导体技术线阵半导体激光器光纤耦合空间合束光束变换

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一种新型的700V耐压的横向超结LDMOS器件

一种新型的700V耐压的横向超结LDMOS器件

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：伍伟杨舰方健

一种新的高压SJ-LDMOS器件被提出.该器件利用非常规超结形成表面低电阻通道,同时提高器件耐压,同时,该器件还兼容BiCMOS工艺.仿真结果显示,该器件在漂移区长度为70 μm时,耐压达到700V,比导通电阻为75 mΩ·cm2,功率品质因数(FOM=BV... 详细信息

一种新的高压SJ-LDMOS器件被提出.该器件利用非常规超结形成表面低电阻通道,同时提高器件耐压,同时,该器件还兼容BiCMOS工艺.仿真结果显示,该器件在漂移区长度为70 μm时,耐压达到700V,比导通电阻为75 mΩ·cm2,功率品质因数(FOM=BV2/Ron,sp)达到了6.5 MW/cm2,使之成为在智能功率集成电路(SPIC)应用中十分有前景的新型功率器件.

关键词：横向扩散金属氧化物半导体器件超结结构性能评价智能功率集成电路

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N型功率VDMOS器件总剂量辐射效应研究

N型功率VDMOS器件总剂量辐射效应研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：万欣刘道广温景超周伟松张斌许军薄涵亮清华大学核能与新能源技术研究院清华大学微电子研究所

本文设计了一款N沟道抗辐照功率VDMOS器件，并对该器件进行了总剂量实验。实验结果表明该器件的抗辐照性能良好。本文同时使用中带电压法对引起闭值电压漂移的氧化层固定电荷和界面态电荷进行了分离，计算了不同电荷对闭值电压漂移的贡献。

关键词：场效应器件垂直双扩散金属氧化物半导体总剂量辐射效应

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S波段微波脉冲功率放大模块研制

S波段微波脉冲功率放大模块研制

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨中国电子科技集团公司第十三研究所

介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×20.7 mm×7.... 详细信息

介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×20.7 mm×7.5mm,端口阻抗为50Ω。模块在3.1～3.4 GHz全频段、36 V工作、脉冲宽度300μs、占空比10%条件下输出功率大于120 W,增益大于8 dB,效率40%,通过3:1抗负载失配,表现出了良好的微波性能和可靠性。

关键词： S波段脉冲功率放大模块硅微波功率晶体管

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薄膜微带滤波器的制作工艺与应用

薄膜微带滤波器的制作工艺与应用

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：洪火锋安徽华东光电技术研究所安徽芜湖 241002

文章简要介绍了一种薄膜微带滤波器的工艺制作过程（基片选择、滤波器设计、设计光绘、掩模版制作、镀膜、光刻、电镀、去胶、刻蚀、清洗、切割）.该过程操作简单,成本相对较低,产品性能可靠,可适用于批量化生产.

关键词：薄膜微带滤波器制作工艺性能表征成本控制

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C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制

C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：徐永刚蔡昱王义南京电子器件研究所

微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研... 详细信息

微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研制的大功率、高效率的GaAs内匹配晶体管(简称内匹配功率管),它采用4枚南京电子器件研究所研制的30.24 mmHFET晶体管,匹配电路使用集总参数与分布参数相结合的形式,将器件的输入输出端口阻抗匹配到50Ω。最终研制的内匹配功率管在5.3～5.9 GHz频带范围内,输出功率大于45 W,功率增益大于10 dB,功率附加效率大于41%。

关键词：砷化镓内匹配大功率

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X/EUV反射式单级衍射光栅制备关键技术研究

X/EUV反射式单级衍射光栅制备关键技术研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：朱效立谢常青曹磊峰魏来牛洁斌陈宝钦刘明中国科学院微电子研究所北京 100029 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳 621900

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高压P沟道VDMOS的设计

高压P沟道VDMOS的设计

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王为李泽宏任敏张金平高巍张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054

针对国内的P沟道VDMOS的研究还比较缺乏的现状.本文在已有的N沟道VDMOS设计经验的基础上,提出了相应的工艺方法,并利用半导体仿真软件Tsuprem4和MEDICI,对主要的工艺参数和器件的电学参数进行仿真优化,得到了击穿电压为-516V、比导通电... 详细信息

针对国内的P沟道VDMOS的研究还比较缺乏的现状.本文在已有的N沟道VDMOS设计经验的基础上,提出了相应的工艺方法,并利用半导体仿真软件Tsuprem4和MEDICI,对主要的工艺参数和器件的电学参数进行仿真优化,得到了击穿电压为-516V、比导通电阻0.17Ω·cm2,阈值电压为-4.8V的P沟道VDMOS器件.

关键词：场效应晶体管垂直双扩散金属氧化物半导体 P沟道器件设计仿真分析

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超结VDMOS器件的研究及最新进展

超结VDMOS器件的研究及最新进展

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：任敏李泽宏张金平张波邓光敏张帅王飞电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 华虹-NEC电子有限公司上海201206

超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文介绍了超结理论的提出及发展，分析了超结VDMOS器件结构如常规超结VDMOS器件、半超结VDMOS器件、具有肖特基接触结构的超结VDMOS、氧化层旁路VD... 详细信息

超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文介绍了超结理论的提出及发展，分析了超结VDMOS器件结构如常规超结VDMOS器件、半超结VDMOS器件、具有肖特基接触结构的超结VDMOS、氧化层旁路VDMOS、浮岛型VDMOS等的研究进展，并进一步研究了超结结构VDMOS的制备工艺。

关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体器件超结结构制备工艺技术分析

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