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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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- 3 篇 教育学
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- 1 篇 哲学
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主题

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22 篇 性能评价
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17 篇 制备工艺
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14 篇 仿真分析
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12 篇 中国
12 篇 优化设计
11 篇 发光二极管
11 篇 新技术研讨会
11 篇 年会
10 篇 器件技术

机构

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13 篇 中国科学院微电子...
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11 篇 中国科学院苏州纳...
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9 篇 东南大学
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9 篇 中国电子科技集团...
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8 篇 国家半导体器件质...
7 篇 华中科技大学
7 篇 中国科学院大学
7 篇 中国电子科技集团...
7 篇 北京大学
7 篇 北京工业大学
6 篇 中国科学院
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6 篇 西安芯派电子科技...
6 篇 北京微电子技术研...
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作者

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21 篇 任敏
15 篇 张波
13 篇 冯志红
10 篇 敦少博
8 篇 高巍
8 篇 杜江锋
8 篇 郭旗
8 篇 于奇
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6 篇 黄杰
5 篇 杨辉
5 篇 李豫东
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5 篇 徐立生
5 篇 钱文生
5 篇 文林
4 篇 聂海
4 篇 刘杰

语言

570 篇 中文

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纳米热压键合技术及其应用

纳米热压键合技术及其应用

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈明祥刘孝刚李科成华中科技大学机械学院武汉 430074 武汉光电国家实验室武汉 430074 华中科技大学机械学院武汉 430074

本研究采用纳米多孔铜作为键合层，有效降低了热压键合温度与压力。对于纳米热压键合而言，有助于降低键合温度与压力的可能因素包括:纳米尺寸效应、表面效应、叉指效应、纳米多孔铜杨氏模量降低，键合界面易于变形。目前，基于纳米热... 详细信息

本研究采用纳米多孔铜作为键合层，有效降低了热压键合温度与压力。对于纳米热压键合而言，有助于降低键合温度与压力的可能因素包括:纳米尺寸效应、表面效应、叉指效应、纳米多孔铜杨氏模量降低，键合界面易于变形。目前，基于纳米热压键合技术己实现如下应用：a)用于三维封装多层堆叠键合;b)应用CNT(碳纳米管)的纳米封装与互连;C)功率器件散热用低温键合陶瓷覆铜板制备。

关键词：半导体器件纳米热压键合技术性能表征质量控制

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先进封装用聚合物层间介质材料研究进展

先进封装用聚合物层间介质材料研究进展

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：刘金刚杨海霞范琳杨士勇中国科学院化学研究所高技术材料实验室

层间介质材料(interlayer dielectric,ILD)在集成电路封装中主要用作多层金属布线间的层间绝缘。随着IC封装尺寸的不断减小以及封装密度的不断增大,ILD材料的性能已经成为影响IC功能的主要因素。综述了近年来国内外在先进封装用聚合物IL... 详细信息

层间介质材料(interlayer dielectric,ILD)在集成电路封装中主要用作多层金属布线间的层间绝缘。随着IC封装尺寸的不断减小以及封装密度的不断增大,ILD材料的性能已经成为影响IC功能的主要因素。综述了近年来国内外在先进封装用聚合物ILD材料领域内的最新发展状况。重点阐述了聚酰亚胺(PI)、聚苯并噁唑(PBO)以及苯并环丁烯(BCB)材料的研究现状与发展趋势。最后对我国先进聚合物ILD材料产业的发展前景进行了展望。

关键词：封装层间介质材料聚酰亚胺聚苯并噁唑苯并环丁烯

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薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制

薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：王中健程新红夏超徐大伟俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜分析可知，器件场氧部分形貌正常，场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好，保持在0.36 Nm附近，波动值... 详细信息

本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜分析可知，器件场氧部分形貌正常，场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好，保持在0.36 Nm附近，波动值极小。较好的薄膜均匀性保证了器件耐压的均一性。

关键词：横向扩散金属氧化物半导体器件产品结构击穿电压薄膜体硅材料

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逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究

逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈芳林唐龙谷陈勇民高建宁张明株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲 412001

随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株洲南车时代电气股份...

随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株洲南车时代电气股份有限公司在非对称IGCT器件技术基础上,重点研究逆导IGCT器件的关键技术——器件隔离技术。

关键词：

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单电子晶体管用于电荷检测的研究

单电子晶体管用于电荷检测的研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：苏丽娜吕利李欣幸秦华顾晓峰江南大学电子工程系轻工过程先进控制教育部重点实验室江苏无锡 214122 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州 215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州 215123 江南大学电子工程系轻工过程先进控制教育部重点实验室江苏无锡 214122

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电子级八氟丙烷生产技术

电子级八氟丙烷生产技术

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：马建修佛山市华特气体有限公司

本文将从八氟丙烷生产工艺、工艺控制及质量控制、生产安全及环境净化三个方面进行介绍.其中,在八氟丙烷生产工艺中介绍了合成路线;在工艺控制中重点介绍了氟化过程和纯化过程的控制;在生产安全中将特别阐述氟气事故及突然停电所采取的... 详细信息

本文将从八氟丙烷生产工艺、工艺控制及质量控制、生产安全及环境净化三个方面进行介绍.其中,在八氟丙烷生产工艺中介绍了合成路线;在工艺控制中重点介绍了氟化过程和纯化过程的控制;在生产安全中将特别阐述氟气事故及突然停电所采取的应急措施.

关键词：八氟丙烷制备工艺质量控制环境净化蚀刻剂

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500V VDMOS终端保护结构设计研究

500V VDMOS终端保护结构设计研究

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：韩雁毕向东浙江大学微电子与光电子研究所杭州310027 广东省粤晶高科股份有限公司广州510663

本文介绍了目前功率器件终端保护结构的最新发展和自主研发的500V/18A、并带有ESD防护结构的VDMOS器件终端结构的理论设计、仿真结果及实际流片测试结果.器件采用40 μm、14 Ω·cm外延层进行流片,测试结果表明器件特征导通电阻达到... 详细信息

本文介绍了目前功率器件终端保护结构的最新发展和自主研发的500V/18A、并带有ESD防护结构的VDMOS器件终端结构的理论设计、仿真结果及实际流片测试结果.器件采用40 μm、14 Ω·cm外延层进行流片,测试结果表明器件特征导通电阻达到8.4mm2,漏源击穿电压达到540V以上,验证了该终端结构设计的可行性.

关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体器件终端保护结构理论设计仿真分析流片测试

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150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究

150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：李蕊胡冬青吴郁贾云鹏苏洪源屈静匡勇北京工业大学北京 100124

本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情况下降低饱和压降,将起电荷耦合作用的垂直RESURF场板与源电极相连降低栅漏电容.在此基础上仿真研究电荷... 详细信息

本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情况下降低饱和压降,将起电荷耦合作用的垂直RESURF场板与源电极相连降低栅漏电容.在此基础上仿真研究电荷耦合区与非耦合区掺杂浓度(分别为N1、N2)的匹配,从而在阻断电压和导通电阻间达到最佳匹配;并仿真研究槽深的影响,给出优化结果.

关键词：金属氧化物半导体器件结构设计电荷耦合功率仿真分析

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GaN电力电子器件发展动态

GaN电力电子器件发展动态

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：刘扬中山大学理工学院广东省化合物半导体材料与器件工程技术研发中心广州510275

在材料方面Si衬底上GaN外延技术是朝着大尺寸、厚膜化的方向发展的;而在器件方面则是朝着常关型、高闽值电压、高耐压、大电流的方向发展的。GaN电力电子器件的采用将是电力电子技术的一次革命，面对具有几十年历史、发展成熟的Si基电... 详细信息

在材料方面Si衬底上GaN外延技术是朝着大尺寸、厚膜化的方向发展的;而在器件方面则是朝着常关型、高闽值电压、高耐压、大电流的方向发展的。GaN电力电子器件的采用将是电力电子技术的一次革命，面对具有几十年历史、发展成熟的Si基电力电子市场，初出茅庐的GaN电力电子器件的发展还面临诸多挑战，如器件性能的提升、产品老化及可靠性的验证、整体产业环境的培育等等。但是笔者相信在巨大的市场需求拉动下，GaN电力电子器件一定会最终成为电力电子行业的生力军。

关键词：氮化钙半导体外延技术电力电子器件

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中国分立器件及功率器件发展趋势展望

中国分立器件及功率器件发展趋势展望

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：李珂赛迪半导体与消费电子业务群组

本文简述了中国分立器件市场的现状，分析了低碳经济理念下，分立器件的应用领域，并探讨了分立器件市场的发展趋势——未来国内外分立器件市场还将保持快速增长。抓住国内分立器件与功率器件市场的发展机遇，有关企业一方面应积极关注... 详细信息

本文简述了中国分立器件市场的现状，分析了低碳经济理念下，分立器件的应用领域，并探讨了分立器件市场的发展趋势——未来国内外分立器件市场还将保持快速增长。抓住国内分立器件与功率器件市场的发展机遇，有关企业一方面应积极关注战略性新兴产业重点鼓励扶持的热点，把握移动通信、网络设备、节能减排等热点市场的应用需求;同时更应持续强化技术创新能力，提升功率器件产品性能、提供应用解决方案、进一步优化设计、缩短产品上市周期，不断增强产品的竞争力。

关键词：分立器件产品市场分析经济发展需求管理

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