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LED应用产品的可靠性评估方法

LED应用产品的可靠性评估方法

引用

第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

作者： Zhao Min 赵敏 Zhang Wansheng 张万生 Xu Lisheng 徐立生 CETC13 Shijiazhuang 050051China 中国电子集团公司第十三研究所河北石家庄050051 China National Semiconduct Quality Supervise Test Center Shijiazhuang 050051China 国家半导体器件质量监督检验中心河北石家庄050051

平均寿命是LED可靠性的重要指标之一，一直是LED可靠性研究的重点.本文针对LED应用产品可靠性评估的问题，对电子行业的可靠性理念做了简要介绍，并以此为基础，根据国标 GB 5080.4-85《设备可靠性试验的点估计和区间估计方法(指数分布)... 详细信息

平均寿命是LED可靠性的重要指标之一，一直是LED可靠性研究的重点.本文针对LED应用产品可靠性评估的问题，对电子行业的可靠性理念做了简要介绍，并以此为基础，根据国标 GB 5080.4-85《设备可靠性试验的点估计和区间估计方法(指数分布)》(等同于IEC 60605.4-1986)，采用定时截尾，给出了LED应用产品的可靠性的重要参数平均寿命评估方法.为显现这一方法的可操作性最后给出了试验案例.

关键词：发光二极管应用产品可靠性评估平均寿命

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图形化蓝宝石衬底结构对GaN基LED器件出光效率的影响

图形化蓝宝石衬底结构对GaN基LED器件出光效率的影响

引用

第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

作者：张能孙永健罗睿宏代锦红李称养王农华童玉珍张国义王超邹刚东莞中镓半导体科技有限公司研发中心广东东莞523500 东莞中镓半导体科技有限公司研发中心广东东莞523500 北京大学工学院工程技术研究院北京100871 美国应用材料公司(中国) 西安710000

基于图形化蓝宝石衬底的GaN基LED器件光功率相比平板蓝宝石衬底的GaN基LED器件有很大增加，是提高氮化镓基发光二极管出光效率的一种有效方法。本文的目的在于研究图形化蓝宝石衬底结构是如何影响LED器件出光效率及其出光形式。通过基... 详细信息

基于图形化蓝宝石衬底的GaN基LED器件光功率相比平板蓝宝石衬底的GaN基LED器件有很大增加，是提高氮化镓基发光二极管出光效率的一种有效方法。本文的目的在于研究图形化蓝宝石衬底结构是如何影响LED器件出光效率及其出光形式。通过基于蒙特卡罗方法在模型内进行非序列性光线追踪的模拟计算可知：图形化蓝宝石衬底的周期性图案的周期相同时，若保持高度不变，当图案的底部宽度增加(即间距减少)时，其相应的LED结构在轴向出光呈现增加趋势，而其侧向出光也明显提升，使得LED总的光提取率有明显提高;若保持底部宽度(间距)不变，当图案的高度增加时，其相应LED结构轴向出光会随之增加，而其侧向出光会相应减少，总的光提取率没有呈现单调性的变化规律。

关键词：图形化蓝宝石衬底结构性能氮化镓基发光二极管出光效率

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LED热电性能测量技术与最新设备

LED热电性能测量技术与最新设备

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第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

作者： Sun Jianpei 孙建佩 Chen Yanling 陈艳玲 Qiu Xingkuan 裘兴宽 Li Qian 李倩 Pan Jiangen 潘建根 Everfine Photo-E-Info Co. Ltd.Hangzhou 310053China 杭州远方光电信息股份有限公司杭州310053 Engineering Center of SSL Test System of Zhejiang Province Hangzhou 310053China 浙江省半导体照明测试系统工程技术研究中心杭州310053

LED作为热敏感器件，其热学特性十分重要，准确测量LED的热电参数不仅能客观评价LED的散热性能，还有助于分析提高LED产品的光效、寿命等。本文主要介绍了表征LED热电性能的重要参量，阐述了利用动态电学测试法测量LED热阻的原理及方法... 详细信息

LED作为热敏感器件，其热学特性十分重要，准确测量LED的热电参数不仅能客观评价LED的散热性能，还有助于分析提高LED产品的光效、寿命等。本文主要介绍了表征LED热电性能的重要参量，阐述了利用动态电学测试法测量LED热阻的原理及方法，特别是利用LED瞬态热阻变化曲线推导出热结构函数并对LED各部件的热阻结构进行分析的方法，同时本文还介绍了典型的热特性测试系统。

关键词：发光二极管热电性能测量技术热阻结构

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中资MOS芯片塑封料的机遇和挑战

中资MOS芯片塑封料的机遇和挑战

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：叶如龙无锡创达电子有限公司

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半导体器件的抗静电性能分析

半导体器件的抗静电性能分析

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：常天海常建华南理工大学电子与信息学院广州510640

本文总结了半导体静电损伤的原理和防护技巧。静电放电对半导体器件的危害广泛而深刻，其失效机理原因各异。还必须进一步加强对半导体器件的静电防护理论研究，用新的理论有效地指导实践，不断提高半导体元器件的抗END能力。

关键词：半导体器件静电放电失效机理抗静电性能

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硅基半导体集成技术的发展趋势

硅基半导体集成技术的发展趋势

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：周治平北京大学信息科学技术学院北京100871

本文结合半导体器件的发展现状及在光信号处理方面的进步，系统阐述了硅基光电子集成这一新型半导体集成技术的形成、特点、以及今后的发展趋势。

关键词：硅基半导体光信号处理集成技术

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功率MOSFET概述

功率MOSFET概述

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：胡冬青北京工业大学功率半导体器件研究室北京100124

本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介，中国功率MOSFET产业的发展也很... 详细信息

本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介，中国功率MOSFET产业的发展也很迅速，目前华虹NEC采用深槽填充技术己研制出700 V超结MOSFET，比通态电阻小于30mΩcm2，且漏电非常低。期待中国功率半导体技术能有更蓬勃的发展。

关键词：金属氧化物半导体器件产品结构技术分析性能评价

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微机电/微光机电系统硅加工与封装工艺发展趋势

微机电/微光机电系统硅加工与封装工艺发展趋势

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：叶裕德钱元皓吴华书汪达炜吴炆皜美商明锐公司

近年来由于半导体硅加工先进技术的引进，及圆片级封装(wafer level packaging)技术的不断提升，大幅的缩短了微机电与微光机电器件的整体开发时程。本文将从硅微细加工技术的演进谈起，并针对封装工艺的发展趋势，及圆片级封装在微机... 详细信息

近年来由于半导体硅加工先进技术的引进，及圆片级封装(wafer level packaging)技术的不断提升，大幅的缩短了微机电与微光机电器件的整体开发时程。本文将从硅微细加工技术的演进谈起，并针对封装工艺的发展趋势，及圆片级封装在微机电器件中所扮演的角色进行讨论。最后以明锐公司所研发的微镜面器件及加速度计器件的技术平台为例，探究微机电器件在工艺开发历程中所面临之问题与挑战。

关键词：半导体器件微机电系统硅材料加工工艺圆片级封装

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IGBT技术发展概述

IGBT技术发展概述

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：吴郁北京工业大学电控学院北京100124

本文简述了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构、性能，分析了其发展历程，从能耗、制造工艺及设计方面研究了IGBT技术发展的现状，并进一步探讨了人们对新结构、新工艺的探索和对器件高性能的追求。

关键词：绝缘栅双极型晶体管器件结构性能评价技术分析

来源：评论