检索结果-内蒙古大学图书馆

2010年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会

作者：刘军华北京真空电子技术研究所北京100015

自从上世纪40年代第一支行波管改进以来,行波管技术不断发展,成为真空器件最重要的一个分支,并在各类军事与民用系统中发挥了重要的作用.目前行波管正朝着微/小型化、大功率和高频率三个方向发展.近年来,随着化学物半导体技术的发展,行... 详细信息

自从上世纪40年代第一支行波管改进以来,行波管技术不断发展,成为真空器件最重要的一个分支,并在各类军事与民用系统中发挥了重要的作用.目前行波管正朝着微/小型化、大功率和高频率三个方向发展.近年来,随着化学物半导体技术的发展,行波管受到固态器件的挑战,但是由于行波管所具有的宽频带、高功率、高效率及高频率工作的优点,在竞争中仍然具有生命力,还是军事和类似商业应用的主要产品.

关键词：行波管固态器件微波功率模块太赫兹

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蓝、绿光LED芯片技术发展历程及展望

蓝、绿光LED芯片技术发展历程及展望

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2010全国LED显示应用技术交流暨产业发展研讨会

作者：刘榕武汉华灿光电有限公司

面对即将来临的半导体固态照明(SSL)技术革命,蓝、绿光LED芯片技术在过去关键的20年中所走过的历程是值得认真回顾的。文章简要介绍了SSL技术的材料物理基础以及器件的基本光电参数特征,在此基础上回顾了该技术发展历程的关键节点。针... 详细信息

面对即将来临的半导体固态照明(SSL)技术革命,蓝、绿光LED芯片技术在过去关键的20年中所走过的历程是值得认真回顾的。文章简要介绍了SSL技术的材料物理基础以及器件的基本光电参数特征,在此基础上回顾了该技术发展历程的关键节点。针对该技术核心应用领域——固态节能照明发展的需要,对未来技术发展趋势也做了展望。

关键词：半导体固态照明蓝、绿光LED 材料物理技术回顾

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基于碳化硅的大功率电力电子器件

基于碳化硅的大功率电力电子器件

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第三届电能质量及柔性输电技术研讨会

作者：金锐温家良雷林绪赵东元中国电力科学研究院北京市海淀区 100192

半导体器件是“智能”功率电子技术的关键元件。与硅功率器件相比,碳化硅功率器件能够阻挡更高的电压,具有更低的寄生电阻和小得多的物理尺寸,所以响应时间更短。更快的开关速度不但提高了功率系统的转换效率。而且能够使用更小的变压...

半导体器件是“智能”功率电子技术的关键元件。与硅功率器件相比,碳化硅功率器件能够阻挡更高的电压,具有更低的寄生电阻和小得多的物理尺寸,所以响应时间更短。更快的开关速度不但提高了功率系统的转换效率。而且能够使用更小的变压器和电容器,大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且,碳化硅的耐高温特性大大地降低了冷却需要,而这些冷却设备也是功率转换和传送系统中的很大一部分。因此,碳化硅器件有望从本质上提高电力传送效率和使用效率。本文对碳化硅材料特性做了简单的介绍,进而深刻了解碳化硅器件的物理和电气特性。就下列五种电力系统中主要应用的中、大功率SiC功率器件的电气特性水甲和初步应用等主要问题作一评述： (1)碳化硅二极管(2)碳化硅电力场效应管(SiC-MOSFET)(3)碳化硅晶闸管和碳化硅门极可关断晶闸管(SiC-GTO) (4)碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC-IGBT)(5)碳化硅门极换流自关断晶闸管(SiCGT)。

关键词：

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多芯片模块(MCM)技术综述

多芯片模块(MCM)技术综述

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全国第六届SMT/SMD学术研讨会

作者：王思培上海航天局第813研究所

"将多块未封装的集成电路芯片高密度安装在同一基板上构成一个完整的部件"的新思路,即现在人们普遍称之的多芯片模块,简称MCM是(Multi Chip Module的缩写)。随着MCM的兴起,使封装的概念发生了本质的变化,在80年代以前,所有的... 详细信息

"将多块未封装的集成电路芯片高密度安装在同一基板上构成一个完整的部件"的新思路,即现在人们普遍称之的多芯片模块,简称MCM是(Multi Chip Module的缩写)。随着MCM的兴起,使封装的概念发生了本质的变化,在80年代以前,所有的封装都是面向器件的,而MCM可以说是面向部件的或者说是面向系统或整机的。MCM技术集先进印刷线路板技术、先进混合集成电路技术、先进表面安装技术、半导体集成电路技术于一体,是典型的垂直集成技术,对半导体器件来说,它是典型的柔性封装技术,是一种电路的集成。MCM的出现使电子系统实现小型化、模块化、低功耗、高可靠性提供了更有效的技术保障。

关键词：多芯片模块学术研讨会多层布线基板 MCM 基板材料中国电子学会技术综述

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湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

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第三届全国先进焦平面技术研讨会

作者：陈杰许金通王玲李向阳张燕中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083

本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能... 详细信息

本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。

关键词：氮化镓半导体化学腐蚀干法刻蚀反向漏电

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LED寿命试验方法的研究

LED寿命试验方法的研究

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第十一届全国LED产业与技术研讨会

作者：赵敏张万生徐立生中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051 半导体器件质量监督检验中心石家庄050051

本文给出了一种缩短试验时间求取LED平均寿命的方法，利用发光管光功率缓慢退化公式，由退化系数求得不同应力温度下LED失效时间，再用数值解析法得到正常环境温度应力下的LED平均寿命。此法适用于光输出缓慢退化的单色光LED;也适用于... 详细信息

本文给出了一种缩短试验时间求取LED平均寿命的方法，利用发光管光功率缓慢退化公式，由退化系数求得不同应力温度下LED失效时间，再用数值解析法得到正常环境温度应力下的LED平均寿命。此法适用于光输出缓慢退化的单色光LED;也适用于不考虑色温飘移单一失效判据的白光LED。如果除光输出的衰减外，还要同时考虑色温漂移，则可采用常规的数值解析法或图估法求取白光LED的平均寿命，但这需要较长的试验时间。文中通过一个典型的试验案例，在得到不同加速应力温度下LED光输出退化失效的试验数据之后，分别用退化系数解析法、对数正态分布图估法、威布尔分布最好线性无偏估计法l 4)求取LED正常应力温度的平均寿命值进行此较，为编写“LED寿命试验方法”标准提供了较为充分的技术依据;最后对研究的试验结果和相关问题进行分析和讨论。

关键词： LED 寿命试验退化系数失效时间平均寿命

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绿色照明理想选择首届LED普通照明产品与技术研讨会在京召开

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环境保护 2010年第18期38卷 54-54页

作者：李瑞东

本刊讯：为配合国家“节能减排”政策的实施，促进我国正在进行的中国逐步淘汰白炽灯，加快推广高效照明产品工作的进展，由中国照明学会与深圳市众明半导体照明有限公司共同主办的“首届LED普通照明产品与技术研讨会”，于2010年8月20... 详细信息

本刊讯：为配合国家“节能减排”政策的实施，促进我国正在进行的中国逐步淘汰白炽灯，加快推广高效照明产品工作的进展，由中国照明学会与深圳市众明半导体照明有限公司共同主办的“首届LED普通照明产品与技术研讨会”，于2010年8月20号在北京召开。第九届全国政协副主席王文元和来自国家相关部委领导，学会理事成员，各省市的照明学会秘书长，照明领域的专家和学者，有关省市的城市照明规划管理部门代表及首都各界新闻媒体出席了大会。

关键词：高效照明产品技术研讨会绿色照明 LED 中国照明学会理想半导体照明节能减排

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微系统相关技术最新进展研究

微系统相关技术最新进展研究

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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：郭毅军郭新军工业和信息化部电子科学技术情报研究所北京 100040

本文首先从概念上对微系统的定义和内涵进行了说明，并着重阐述了微系统与微机电系统(MEMS)的区别。然后分别对微系统集成技术、五大功能模块(处理器、传感器、执行器、通信及能源)以及测试计量、生产制造等最新进展逐一进行了介绍。最...

本文首先从概念上对微系统的定义和内涵进行了说明，并着重阐述了微系统与微机电系统(MEMS)的区别。然后分别对微系统集成技术、五大功能模块(处理器、传感器、执行器、通信及能源)以及测试计量、生产制造等最新进展逐一进行了介绍。最后针对我国微系统如何发展提出了相应的启示和建议。论文首先在集成技术部分，分别对"美国陆军继续深入开展微型仿生机器人技术研究"、纳米蜂鸟、机器苍蝇、谷歌眼镜、智能手表、及片上人体系统进行了详细介绍。然后对微系统能源模块的"将环境振动转化为电能的MEMS能量采集器"、处理器模块的"高性能MEMS振荡器产品"、执行器模块的"机器苍蝇采用压电材料制成的"飞行肌肉""、传感器模块的"MEMS的新型飞机姿态与航向参考系统"、"隐形微传感器"、"感应器及视觉传感器"、"可探测化学武器的微型真空系统"、通信模块的"RFID标识"分别进行了详细介绍。在测试计量部分，分别对美国国家标准与技术研究院推出MEMS测量工具、法国推出的首项MEMS输出精确测量技术进行了详细介绍。最后在生产制造部分，对"美国MicroGen公司与德国X-FAB公司完成压电式MEMS能量采集器的工艺转换"、"DARPA致力于在硅芯片上集成各种不同的微系统元部件"和可能用于微系统制造的"美国西格玛实验室和互动机器公司计划研制下一代3D金属打印设备"等进行了介绍。最后根据国外微系统技术发展现状和趋势，对国内发展微系统技术提出了"以设计带动微系统的整体发展"、"军民结合需求牵引"等五条建议。

关键词：

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高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

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第十一届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：孔祥燕中谷悦起系崎秀夫中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验上海200050 日本大阪大学基础工学研究科日本大阪560-8531

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立方氮化硼外延膜的摻杂及其半导体性能的研究

立方氮化硼外延膜的摻杂及其半导体性能的研究

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TFC'15全国薄膜技术学术研讨会

作者：殷红吉林大学超硬材料国家重点实验室

工业、科技与军事的发展不断对半导体器件提出新的要求,开发具有高强度、高硬度、高频率、抗辐射、耐高温以及耐腐蚀等特性并且能够在极端环境下工作的新型半导体材料已成为当务之急。闪锌矿结构的立方氮化硼(c-BN)是宽禁带半导体中最... 详细信息

工业、科技与军事的发展不断对半导体器件提出新的要求,开发具有高强度、高硬度、高频率、抗辐射、耐高温以及耐腐蚀等特性并且能够在极端环境下工作的新型半导体材料已成为当务之急。闪锌矿结构的立方氮化硼(c-BN)是宽禁带半导体中最为典型的一种超硬多功能材料。它具有极高的硬度、优异的化学与热稳定性、高热导率、高击穿场强、高饱和漂移速度和小介电常数、宽带隙(6.4eV)导致的负电子亲和势、可发射及探测至深紫外的短波长光等诸多特性,成为满足半导体器件发展需求的理想材料[1-3]。近年在c-BN薄膜外延生长方面取得的进展[4-6]使得c-BN薄膜在半导体器件方面的应用成为可能。要想真正实现其应用,就必须对上述外延膜进行浓度可控的有效掺杂,调控其半导体性能。本文采用双离子束辅助溅射(IBAD)的方法在单晶金刚石(001)衬底上外延生长高品质c-BN薄膜。由于金刚石的p型掺杂技术已经趋于成熟,因此本文利用硅对c-BN进行n型掺杂,并且系统地研究这些外延膜的半导体性质随掺杂的改变,以期实现金刚石/c-BN的pn异质结,为其作为高温半导体材料应用于极端半导体器件奠定了基础。

关键词：半导体性能立方氮化硼外延膜

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