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LED环氧灌封工艺可靠性研究

LED环氧灌封工艺可靠性研究

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：郑智斌厦门华联电子有限公司福建厦门361008

文中根据实际工作中遇到的常见环氧树脂问题对LED灌封工艺进行简单的探讨。通过工艺试验说明选择环氧树脂材料性能和固化工艺条件可以减少内应力，提高可靠性，还建议添加偶联剂以提高产品气密性。

关键词：发光二极管灌封工艺环氧树脂材料可靠性分析

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白光LED荧光粉研究及应用新进展

白光LED荧光粉研究及应用新进展

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：刘荣辉庄卫东何华强刘元红胡运生高文贵北京有色金属研究总院稀土材料国家工程研究中心有研稀土新材料股份有限公司北京100088

本文介绍了白光LED荧光粉的分类、组分、性能以及产品质量，分析了其制备工艺，并进一步探讨了各类荧光粉的应用领域。

关键词：白光发光二极管荧光粉产品质量应用框架

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半导体照明产业与技术

半导体照明产业与技术

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：彭万华中国光协光电器件分会

中国LED产业经过几年努力，已具有一定的产业规模和产业基础，产业发展的方向是清晰的，即LED产品要达到三大目标：高光效、长寿命、低成本。LED产业还处在快速发展中，要加大投入，但要避免投资过快过猛，要引导产业向着科学、有序、... 详细信息

中国LED产业经过几年努力，已具有一定的产业规模和产业基础，产业发展的方向是清晰的，即LED产品要达到三大目标：高光效、长寿命、低成本。LED产业还处在快速发展中，要加大投入，但要避免投资过快过猛，要引导产业向着科学、有序、健康地发展。在技术上要解决三大问题：提高能效、提高光色质量和可靠性，为人们提供节能、环保、健康、舒适的照明环境。为此就必须加强研发投入，立足创新，掌握有自主知识产权的核心技术和关键技术，扩大产业规模，提高全球的竞争力，在国际上占有一席之地。

关键词：半导体照明产业经济发展发光二极管产品技术体系

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高截止频率RFLDMOS结构设计

高截止频率RFLDMOS结构设计

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Mao Ning 毛宁 Qian Qingsong 钱钦松 Sun Weifeng 孙伟锋 Shi Longxing 时龙兴 National ASIC System Engineering Research Center Southeast UniversityNanjing 210096China 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096

截止频率是RFLDMOS在应用中的重要特征,本文分析了在正常工作情况下影响器件截止频率的主要因素,并主要讨论了LDMOS漂移区与沟道的参数对其内部寄生电容与跨导的影响,准确研究了在正常工作条件下,LDMOS工艺参数不同对其频率特性的影响趋... 详细信息

截止频率是RFLDMOS在应用中的重要特征,本文分析了在正常工作情况下影响器件截止频率的主要因素,并主要讨论了LDMOS漂移区与沟道的参数对其内部寄生电容与跨导的影响,准确研究了在正常工作条件下,LDMOS工艺参数不同对其频率特性的影响趋势,并考虑器件内部发生的准饱和效应影响,提出了器件截止频率的优化方法。按此方法对文中给出的LDMOS进行参数优化,使其截止频率提高了80％,并通过TCAD软件Sentauras进行了仿真验证。

关键词：横向扩散金属氧化物半导体器件截止频率结构设计工艺参数功率放大器

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MEMS谐振器的寄生电容噪声抑制

MEMS谐振器的寄生电容噪声抑制

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：唐梦冯明程新红中国科学院上海微系统与通信技术研究所上海200050

MEMS谐振器在做生化检测应用时，通过检测其谐振频率来检测其表面吸附的微小生化颗粒。寄生电容阻碍了其精确使用，加大了频率噪声。改进工艺减少寄生电路需要投入非常多的精力和时间，因此，也可以采用增加外围电路的方法，补偿寄生电... 详细信息

MEMS谐振器在做生化检测应用时，通过检测其谐振频率来检测其表面吸附的微小生化颗粒。寄生电容阻碍了其精确使用，加大了频率噪声。改进工艺减少寄生电路需要投入非常多的精力和时间，因此，也可以采用增加外围电路的方法，补偿寄生电容，减少其产生的影响。

关键词：微机电系统谐振器寄生电容噪声抑制外围电路

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2500V Planner NPT IGBT的设计

2500V Planner NPT IGBT的设计

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：肖璇李泽宏张金平任敏张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT IGBT器件工艺模型,利用Tsuprem4和Medici软件对其击穿电压、阈值电压... 详细信息

本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT IGBT器件工艺模型,利用Tsuprem4和Medici软件对其击穿电压、阈值电压、通态压降等参数进行了模拟分析.所设计的IGBT的击穿电压3 100 V,通态压降 3.4V,阈值电压6V.

关键词：绝缘栅双极型晶体管器件设计工艺参数模拟分析

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沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发

沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：饶祖刚天津中环半导体股份有限公司天津300384

本文对IGBT器件形貌结构的实现进行了阐述，包括器件元胞的形貌结构、器件终端的形貌结构和超薄片加工工艺。本文所阐述的方法和相关问题均来自于1200 V沟槽栅FS-IGBT器件的研发实践，针对问题所确定的解决方案也在器件的研发过程中得... 详细信息

本文对IGBT器件形貌结构的实现进行了阐述，包括器件元胞的形貌结构、器件终端的形貌结构和超薄片加工工艺。本文所阐述的方法和相关问题均来自于1200 V沟槽栅FS-IGBT器件的研发实践，针对问题所确定的解决方案也在器件的研发过程中得到了验证。最后提出了一种新型的沟槽栅制造方法和一种新型的超薄硅片加工方法，也对器件终端结构的开发进行了探索。文中还阐述了在沟槽栅FS-IGBT器件研发过程中遇到的器件形貌结构上的问题，分析了这些问题所发生的原因，提出了针对这些问题的解决方案，并最终实现了沟槽栅FS-IGBT器件所需的形貌结构。

关键词：绝缘栅双极型晶体管沟槽栅结构产品开发技术分析

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宽禁带材料GaN功率器件

宽禁带材料GaN功率器件

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：丛宏林江忠永张昊翔杭州士兰明芯科技有限公司杭州310018

GaN是一种新型宽禁带材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点。非常适合于制作高频、大功率器件。本文介绍了GaN材料的物理化学特性，比较了硅基功率器件与碳化镓基功率器件的区别，并进一步探讨了氮化镓功率器件的优势：更... 详细信息

GaN是一种新型宽禁带材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点。非常适合于制作高频、大功率器件。本文介绍了GaN材料的物理化学特性，比较了硅基功率器件与碳化镓基功率器件的区别，并进一步探讨了氮化镓功率器件的优势：更高击穿压更高频、更低的导通电阻、未来最有前景的电力电子器件。文章还讨论了GaN功率器件的设计制作，并结合GaN功率器件的现状，展望了其发展的未来。

关键词：氮化镓宽禁带材料功率器件性能评价

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基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件

基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Cao Pengfei 曹鹏飞 Zhu Jing 祝靖 Qian Qinsong 钱钦松 Sun Weifeng 孙伟锋 National ASIC System Engineering Research Center Southeast UniversityNanjing 210096China 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096

为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件和实测结果加以验证.该器件成功的突破了传统VDMOS器件的“硅限”,在保证击穿电压的同时,实现了特征导通电阻... 详细信息

为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件和实测结果加以验证.该器件成功的突破了传统VDMOS器件的“硅限”,在保证击穿电压的同时,实现了特征导通电阻约为25 mΩ.cm-2.而且其动态性能和耐受性接近或超过了国外同类产品,如漏源额定电流值为10A的器件工作在雪崩态的电流峰值可达10.28 A,在体二极管反向恢复过程中di/dt高达500 A/μs时器件仍可正常工作.

关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体器件深槽刻蚀工艺性能评价开关电源系统

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多彩超硬的立方氮化硼

多彩超硬的立方氮化硼

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：贾刚刘秀环高延军陈占国集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春130012

本文研究了宽禁带半导体材料氮化硼晶体的性能及应用框架，结果表明：cBN晶体具有闪锌矿结构，没有反演对称中心，所以具有二阶非线性光学效应;对cBN晶体进行了伏安特性测量，特性曲线满足空间电荷限制电流的变化规律;另外cBN晶体的吸... 详细信息

本文研究了宽禁带半导体材料氮化硼晶体的性能及应用框架，结果表明：cBN晶体具有闪锌矿结构，没有反演对称中心，所以具有二阶非线性光学效应;对cBN晶体进行了伏安特性测量，特性曲线满足空间电荷限制电流的变化规律;另外cBN晶体的吸收限大约是193 nm，属于深紫外波段。

关键词：宽禁带半导体材料氮化硼晶体性能评价应用框架

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