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MOS-D旁路二极管在太阳能光伏中的应用及其可靠性研究
MOS-D旁路二极管在太阳能光伏中的应用及其可靠性研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 蒋李望 扬州扬杰电子科技股份有限公司 江苏扬州215000
本文简述了太阳能发电的背景，介绍了系统发电时的热斑效应，分析了旁路二极管在太阳能发电设施中的应用，并进一步评价了旁路二极管的热设计及防止对组件有害的热斑效应性能相对长期的可靠性。
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反向低击穿硅稳压二极管的制造
反向低击穿硅稳压二极管的制造
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 毛建军 胡煜涛 王铮 任亮 朱志远 罗舟超 陈福元 杭州杭鑫电子工业有限公司 杭州310053 杭州海纳半导体有限公司 杭州310053
半导体技术的快速发展，电子线路元器件日趋低压化，担当保护电子线路安全、瞬间过压抑制的硅二极管的需求量与日俱增。本文提出一种保护电压范围低于10伏之高可靠低压保护硅稳压二极管的结构与制造工艺技术，该制造方法就是为了充分利... 详细信息
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GaN基HEMT器件可靠性研究
GaN基HEMT器件可靠性研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 房玉龙 敦少博 尹甲运 刘波 刑东 王晶晶 冯志红 蔡树军 专用集成电路重点实验室 石家庄050051
可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键，逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。本文根据逆压电效应导致器件退化机理，从弹性势能的角度出发，对低Al组分AlGaN势垒层、InAl势垒层和AlGaN背势垒等三种结构，进... 详细信息
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具ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
具ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 谢加雄 刘小龙 李婷 任敏 李泽宏 张金平 计建新 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054 华润微电子有限公司 江苏无锡214061
本文提出一种内部集成了ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件。在对电流采样原理分析的基础上，提出了一种适用于功率器件过流保护的电路结构;利用反串联多晶二极管实现对VDMOS器件的ESD保护。通过二维数值模拟确定了器件及电路参数，仿... 详细信息
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1700V高压超快恢复二极管平面结终端结构的优化设计
1700V高压超快恢复二极管平面结终端结构的优化设计
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 王成杰 殷丽 幼明 王传敏 北京微电子技术研究所 北京100076
为了能够获得性能良好、击穿稳定的高压功率超快恢复二极管，本文对场板和场限环两种终端保护结构进行了充分的理论分析和仿真研究，对环间距、场板厚度、场板长度等影响击穿电压的因素进行了定量分析。在此基础上，采用场限环和场板组... 详细信息
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磁电阻器件的应用及若干问题
磁电阻器件的应用及若干问题
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第九届全国磁性材料及应用技术研讨会
作者： 方庆清 安徽大学磁学与磁性材料研究室 安徽合肥 230000
磁电阻器件是近几年才出现的新型高技术产品，它是通过采用纳米、微米制造技术把微、纳尺寸的磁电阻元件与传统的半导体器件结合在一起，设计出的全新结构的新一代电子器件。这种器件是基于电子自旋输运过程，通过磁场改变磁矩的排列方... 详细信息
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超快恢复二极管软恢复特性研究
超快恢复二极管软恢复特性研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： Zhang Zhiyang 张自洋 You Peiwu 游佩武 Yangzhou Yang Jie Semiconductor Co. Ltd.Yangzhou 225008China 扬州扬杰半导体股份有限公司 江苏扬州225008
本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义，分析了软恢复特性的影响因素，着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法。结果表明：n缓冲层对二极管的反向恢复特性产生了较大的影响，本文只对缓冲层结构进行了初步的探讨。可... 详细信息
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静电放电对集成电路的影响及防护
静电放电对集成电路的影响及防护
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 常天海 马威 华南理工大学电子与信息学院 广州510640
本文分析了静电放电对集成电路的影响，从外部及内部因素，探讨了防治静电放电对集成电路带来的损伤的方法。集成电路的ESD防护设计，是一个系统问题，在提高局部电路ESD防护能力同时，注重系统ESD防护能力的提高，在设计内部ESD保护电... 详细信息
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600VPT及NPT型IGBT产品研制
600VPT及NPT型IGBT产品研制
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 钱梦亮 陈俊标 江苏东光微电子股份有限公司 江苏宣兴214205
本文介绍了600 VPT型及NPT型IGBT的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT的试验测试曲线及数据分析表明：两种方案的IGBT,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求;NPT型IGBT的阈值电压为5V,PT型略小为3.6 V;NPT型IGBT的饱和压降值VCE(sat... 详细信息
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22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究
22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： Yang Yinglin 杨颖琳 Hu Cheng 胡成 Zhu Lun 朱伦 Xu Peng 许鹏 Zhu Zhiwei 朱志炜 Zhang Wei 张卫 Wu Dongping 吴东平 State Key Laboratory of ASIC and System Dept.of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433Ch 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅... 详细信息
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