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MPS型超快恢复二极管的设计与研制
MPS型超快恢复二极管的设计与研制
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 殷丽 王传敏 王成杰 北京微电子技术研究所 北京100076
为了优化传统pin型FRD的高频特性、降低开关损耗，本文介绍一种MPS型FRD，采用二维数值模拟软件MEDICI对MPS型FRD的开关态特性进行了分析，并采用数值模拟软件设计了一款200 V/10 A MPS型FRD。根据设计结果，采用15～25Ω·cm/22μ... 详细信息
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MOSFET铜线键合的研究与探讨
MOSFET铜线键合的研究与探讨
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 赖辉朋 谭楠 深圳市晶导电子有限公司 广东深圳518101
本论文提供了MOSFET铜线键合的一种方法，给出了MOSFET铜线键合的工艺参数以及各方面应该注意的事项。由于采用的是铜线高密度键合，其相对于粗铝丝键合分散了芯片压力，这样芯片不容易裂片。同时G极应用铜线(<3 mil)键合的焊点比铝... 详细信息
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华虹NEC深沟槽刻蚀和填充型超级结工艺技术
华虹NEC深沟槽刻蚀和填充型超级结工艺技术
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 张帅 肖胜安 王飞 刘继全 刘鹏 上海华虹NEC电子有限公司技术开发部 上海201206
华虹NEC深沟槽刻蚀和填充超级结工艺技术的核心是完美的深沟槽刻蚀技术和深沟槽填充技术。满足700 V击穿电压要求的沟槽深度达到3540 Eun，考虑到P型和n型耗尽后微观的电荷平衡，沟槽的宽度和间距都有一定的要求，经过多次尝试与研究，... 详细信息
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高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展
高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 李东生 高明伦 合肥工业大学微电子设计研究所 合肥230009 合肥电子工程学院 合肥230031 合肥工业大学微电子设计研究所 合肥230009
结构的高度集成化、功能的一体化给系统设计提出了挑战，体积、重量和功耗的约束使得电子系统小型化的追求永无止境。单芯片多核处理器(CMP)、系统封装(SIP)、微电子机械系统(MEMs)和纳电子机械系统(NEMs)、三维(3D)集成等技术成为集成... 详细信息
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用软焊料键合实现MEMS晶圆级真空封装
用软焊料键合实现MEMS晶圆级真空封装
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 安兵 唐敢然 孙亚男 吴懿平 华中科技大学材料学院武汉光电国家实验室 武汉430074
MEMS器件气密封装是MEMS制造的关键工艺，晶圆级封装是实现MEMS器件小型化、低成本化的发展方向，有望取代传统的金属管壳封装和陶瓷管壳封装，成为MEMS器件新一代规模化生产方式。本文针对利用软焊料键合实现了一种晶圆对晶圆的真空键... 详细信息
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SOI ESD保护器件研究
SOI ESD保护器件研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模型的标准2 kV。研究发现，注入剂量(9... 详细信息
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200mm图形片薄层硅外延工艺研究
200mm图形片薄层硅外延工艺研究
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： Yuan Zhaogeng 袁肇耿 Zhang Hua 张华 Zhao Lixia 赵丽霞 Hebei Poshing Electronic Technology Co. Ltd.Shijiazhuang 050051China 河北普兴电子科技股份有限公司 石家庄050051
200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法，达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％，图形漂移... 详细信息
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Ku波段GaN内匹配功率放大器的设计与分析
Ku波段GaN内匹配功率放大器的设计与分析
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 戈勤 陈晓娟 罗卫军 刘新宇 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 北京100029
本文介绍了基于AlGaN/GaN HEMTs的Ku波段内匹配功率放大器的设计与分析。为了提高内匹配电路设计的精确度，本文从两方面对匹配电路的设计进行改进：1、改进内匹配电路匹配网络的原理图设计，减少寄生效应难以预测的元件的使用：2、改... 详细信息
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甚短距离光互连模块技术的发展动态
甚短距离光互连模块技术的发展动态
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： Li Yansheng 李言胜 Ji Aiguo 吉爱国 Nie Tingyuan 聂廷远 Institute of Telecom & Electronic Engineering Qingdao Technological UniversityQingdao 266520Shando 青岛理工大学通信与电子工程学院 山东青岛266520
近年来，基于铜线互连的信号传输技术已经不能满足高速信号对于带宽及大容量的要求，一般认为对于10Gb/s信号的铜线互连，其最大传输距离以1米为极限。而光互连技术作为一种解决铜线互连瓶颈问题的有效办法，受到越来越多的关注。本论... 详细信息
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高压Trench IGBT的研制
高压Trench IGBT的研制
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： Tang Hongxiang 唐红祥 Ji Jianxin 计建新 Sun Xiaongdong 孙向东 Sun Yongsheng 孙永生 Cao Liang 曹亮 China Resources Huajing Micro Electronics Co. Ltd.Wuxi214061China 无锡华润华晶微电子有限公司 江苏无锡214061
阐述了高压Trench IGBT结构设计、工艺设计。文中先提出了高压1 200 V的Trench IGBT器件的结构模型;然后仿真其电性能，根据仿真的结果;设计出高压Trench NPT IGBT的版图及工采用该结构设计、工艺设计得到实际研制结果，对研制出1200V ... 详细信息
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