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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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射频磁控溅射ZnO压电薄膜及其结构改善工艺研究

射频磁控溅射ZnO压电薄膜及其结构改善工艺研究

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Chen Zhu 陈祝 Nie Hai 聂海 Wu Lijuan 吴丽娟 College of Telecommunication Engineering Chengdu University of Information TechnologyChengdu 610225 成都信息工程学院通信工程学院成都610225

采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度、氧分压对ZnO薄膜结构与择优取向的影响;通过对不同溅射工艺... 详细信息

采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度、氧分压对ZnO薄膜结构与择优取向的影响;通过对不同溅射工艺参数的进一步分析比较,确定了RF溅射最佳条件：基片温度Ts小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar∶O2=20∶5,由此制得了高度c轴(002)择优取向、致密、均匀,满足声表面波器件(SAW)应用要求的ZnO压电薄膜.

关键词：半导体材料氧化锌压电薄膜射频磁控溅射结构分析择优取向

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硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜的工艺研究

硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜的工艺研究

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：陈颖慧中国工程物理研究院北京研究生部北京100088

本文采用射频磁控溅射方法在Si (001)基片上和金刚石衬底上沉积了Zn0薄膜，研究了氢氧比和退火温度对Zn0薄膜微观结构及性能的影响，分析对比了Si基底和金刚石基底对Zn0薄膜结晶质量的影响。利用X射线衍射分析(XRD)和原子粒(力)显微镜(A... 详细信息

本文采用射频磁控溅射方法在Si (001)基片上和金刚石衬底上沉积了Zn0薄膜，研究了氢氧比和退火温度对Zn0薄膜微观结构及性能的影响，分析对比了Si基底和金刚石基底对Zn0薄膜结晶质量的影响。利用X射线衍射分析(XRD)和原子粒(力)显微镜(AFM)对不同条件下生长的Zn0薄膜结构、形貌和界面状态进行了表征和分析。其中晶格取向由XRD测得，表面形貌由AFM测得。

关键词：氧化锌薄膜沉积工艺射频磁控溅射方法基底材料

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物联网用MEMS传感器的发展趋势

物联网用MEMS传感器的发展趋势

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：徐爱东中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

本文简述了MEMS传感器的性能及机理，分析了传感器在物联网中的应用，并讨论了MEMS传感器的封装形式。无线传感器网络就是由部署在监测区域内大量的廉价微型MEMS传感器节点组成，通过无线通信方式形成的一个多跳的自组织的网络系统，基... 详细信息

本文简述了MEMS传感器的性能及机理，分析了传感器在物联网中的应用，并讨论了MEMS传感器的封装形式。无线传感器网络就是由部署在监测区域内大量的廉价微型MEMS传感器节点组成，通过无线通信方式形成的一个多跳的自组织的网络系统，基于MEMS的微传感技术和无线联网技术为无线传感器网络赋予了广阔的应用前景。这些潜在的应用领域可以归纳为：军事、航空、反恐、防爆、救灾、环境、医疗、保健、家居、工业、商业等领域。

关键词：物联网微机电传感器封装形式应用框架

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薄框架功率晶体管(三极管)

薄框架功率晶体管(三极管)

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：谭楠赖辉朋深圳市晶导电子有限公司广东深圳 518101

随着半导体技术的发展，三极管的封装和技术同样快速向前发展。为了减小成本，降低环境污染和能源消耗，三极管的生产制造工艺一直进行着不断的革新，如半导体芯片特征尺寸的缩小、引入大量的新材料、新工艺和新器件结构。在新的工艺、... 详细信息

随着半导体技术的发展，三极管的封装和技术同样快速向前发展。为了减小成本，降低环境污染和能源消耗，三极管的生产制造工艺一直进行着不断的革新，如半导体芯片特征尺寸的缩小、引入大量的新材料、新工艺和新器件结构。在新的工艺、新材料的条件下，出现新的问题对三极管的可靠性带来影响，必须要对三极管可靠性进行分析，主要包括其工艺加工制程可靠性，封装可靠性和产品可靠性，保证工艺材料等变更对三极管的性能不会在使用上造成影响。针对此类问题，本论文主要对晶体管在封装中框架变薄，对晶体管特性的影响进行研究，在开发新材料的同时，减小成本，引进新工艺，改进新设备，实现晶体管加工工艺改进，并把新技术和工艺改进对三极管的性能影响，降低到最小。

关键词：半导体三极管功率晶体管薄框架工艺改进性能评价

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0.18μm锗硅HBT BiCMOS工艺中的pin开关二极管设计

0.18μm锗硅HBT BiCMOS工艺中的pin开关二极管设计

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：刘冬华胡君钱文生陈帆段文婷石晶周天舒黄景丰上海华虹NEC电子有限公司技术开发部上海201206

本文成功地实现了pin开关二极管在0.18μm HBT BiCMOS工艺中的集成。通过不同版图设计对性能影响的对比，结果显示八角形的版图设计性能最优;同时在pin管的总面积不变时，pin二极管单管面积越小，插入损耗越小;而隔离度则与pin的总面积... 详细信息

本文成功地实现了pin开关二极管在0.18μm HBT BiCMOS工艺中的集成。通过不同版图设计对性能影响的对比，结果显示八角形的版图设计性能最优;同时在pin管的总面积不变时，pin二极管单管面积越小，插入损耗越小;而隔离度则与pin的总面积相关，面积越小，隔离度越小。在版图最优的基础上，目前采用优化的i区杂质注入条件，得到了插入损耗<1 dB.隔离度<-20 dB，满足客户产品对pin性能的要求。目前器件性能仍在进一步提高。

关键词：开关二极管版图设计性能评价工艺优化

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20nm凹栅极三维常关型AlGaN/GaN FinHFET设计

20nm凹栅极三维常关型AlGaN/GaN FinHFET设计

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Wang Zhigang 汪志刚 Chen Wanjun 陈万军 State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Scienc 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改变了势垒层中的内建电势分布，耗尽了异质结沟道处的二维电子气(2D... 详细信息

本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改变了势垒层中的内建电势分布，耗尽了异质结沟道处的二维电子气(2DEG)，实现了器件的常关功能.研究结果表明：常关型AlGaN/GaN FinHFET器件与传统凹栅HFET工艺兼容，具有较好的电流驱动能力和反向阻断能力，为GaN电路集成提供了一种新型的思路.

关键词：异质结场效应晶体管器件结构凹形栅极仿真分析性能评价

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美国军用电子元器件技术发展策略

美国军用电子元器件技术发展策略

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：郭新军黄庆红田素梅王巍工业和信息化部电子科学技术情报研究所北京100040

本文概述了美国电子元器件技术进展的现状及趋势，分析了美国军用电子元器件技术发展的策略，主要包括：重视顶层设计并构建军民一体军事技术开发链;实施专项计划快速推进关键技术发展;根据电子元器件技术与军用系统关联程度决定支持力... 详细信息

本文概述了美国电子元器件技术进展的现状及趋势，分析了美国军用电子元器件技术发展的策略，主要包括：重视顶层设计并构建军民一体军事技术开发链;实施专项计划快速推进关键技术发展;根据电子元器件技术与军用系统关联程度决定支持力度;“可信任代工服务”和可靠监管链确保核心知识产权;CALS解决元器件更新换代快而装备服役期长的矛盾;重视基础投资，政府投资与市场调节并举;国际合作制订技术路线图，国内联合研制新型元器件。文章还探讨了美国军用电子元器件技术发展对中国电子元器件技术发展的启示：1、整合资源，形成合力加快发展;2、促进共享，推进军民融合;3、政府履行主要职能，按照市场规律进行调节;4、利用电子信息技术的渗透性加速电子行业产业链的发展。

关键词：电子元器件技术分析策略管理美国军事

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一种用于胎压传感器的新型系统级封装技术研究

一种用于胎压传感器的新型系统级封装技术研究

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Hu Jianzhong 胡建忠 Huang zhongjian 黄钟坚 Chu huabin 褚华斌 Guangdong Yuejing High Technology Co Ltd.Guangzhou510663China 广东省粤晶高科股份有限公司广州510663

TPMS IC是TPMS系统模块的关键核心器件，需要采用系统级封装(SiP)技术封装。对TPMS IC的一种新型SiP封装技术作了研究分析。在引线框架上引入电路板中介层，改善了芯片间电气互连与分布，增大了引入薄膜电阻电容元件的设计弹性。采用预... 详细信息

TPMS IC是TPMS系统模块的关键核心器件，需要采用系统级封装(SiP)技术封装。对TPMS IC的一种新型SiP封装技术作了研究分析。在引线框架上引入电路板中介层，改善了芯片间电气互连与分布，增大了引入薄膜电阻电容元件的设计弹性。采用预成型模制部分芯片的封装技术，满足了IC与MEMS芯片不同的封装要求，还增强了SiP产品的可测试性和故障可分析性。采用敞口模封、灌装低应力弹性凝胶和传感器校准测试相结合的方法有效地避免封装应力对MEMS压力传感器的影响。

关键词：汽车轮胎监测系统胎压传感器系统级封装技术性能评价

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4H-SiC热导率的测试与分析

4H-SiC热导率的测试与分析

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：魏汝省彭燕陈秀芳胡小波徐现刚山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100

本文研究了n型、V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化。采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T)，对比发现n型样品具羊高的热扩散系数。差热扫描量热法(DSC)测试了n型、V掺杂补偿半... 详细信息

本文研究了n型、V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化。采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T)，对比发现n型样品具羊高的热扩散系数。差热扫描量热法(DSC)测试了n型、V掺杂补偿半绝缘、高纯(high purity)4H-SiC体的比热容Cp(T)。对比发现高纯4H-SiC与V补偿半绝缘样品的比热容与温度变化趋势一致，大于n型4H-SiC的比热容，亦即高纯或高补偿SiC相对于n掺杂SiC具有更高的比热容。

关键词：半导体材料碳化硅热导率性能测试

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PMOS金属栅/高k有效功函数调制研究进展

PMOS金属栅/高k有效功函数调制研究进展

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：黄安平郑晓虎杨智超肖志松陈子瑜北京航空航天大学物理系北京100191

本文系统地综述了PMOS金属栅/高k有效功函数调制方法，分析了A1掺杂调制PMOS金属栅/高k有效功函数的机制，并基于能带对准分析，利用电化学势平衡以及静电势的方法，定量计算了A1掺杂导致的高kISiO：界面偶极子的大小及其与有效功函数... 详细信息

本文系统地综述了PMOS金属栅/高k有效功函数调制方法，分析了A1掺杂调制PMOS金属栅/高k有效功函数的机制，并基于能带对准分析，利用电化学势平衡以及静电势的方法，定量计算了A1掺杂导致的高kISiO：界面偶极子的大小及其与有效功函数调制的关系。结果表明，高k/Si02界面偶极子场在金属栅极与高k介质界面层上产生的静电势差引起了真空能级的不连续，从而导致界面势垒及有效功函数的调制。计算结果与实验数据相吻合，由此为未来pMOS有效功函数调制提供了理论途径。

关键词：互补型金属氧化物半导体金属栅极高k介质有效功函数调制

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